পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামে GTO স্নাবার ক্যাপাসিটর

ছোট বিবরণ:

সুইচিং সার্কিটে ব্যবহৃত ডায়োডের জন্য স্নাবার সার্কিট অপরিহার্য। এটি একটি ডায়োডকে ওভারভোল্টেজ স্পাইক থেকে বাঁচাতে পারে, যা বিপরীত পুনরুদ্ধার প্রক্রিয়ার সময় হতে পারে।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: + 85 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: + 85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	০.২২~৩μF
রেটেড ভোল্টেজ	৩০০০ ভোল্ট.ডিসি~১০০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	১.৩৫Un DC/১০S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.001 f=1KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S তাপমাত্রায়) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S তাপমাত্রায়)
স্ট্রাইক কারেন্ট সহ্য করুন	ডেটাশিট দেখুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি 61071;

বৈশিষ্ট্য

১. মাইলার টেপ, রজন দিয়ে সিল করা;

2. তামার বাদামের সীসা;

3. উচ্চ ভোল্টেজ, কম tgδ, কম তাপমাত্রা বৃদ্ধির প্রতিরোধ;

৪. কম ESL এবং ESR;

৫. উচ্চ পালস কারেন্ট।

আবেদন

১. জিটিও স্নাবার।

2. বিদ্যুৎ ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় যখন সর্বোচ্চ ভোল্টেজ, সর্বোচ্চ বর্তমান শোষণ সুরক্ষা।

সাধারণ সার্কিট

রূপরেখা অঙ্কন

স্পেসিফিকেশন

আন=৩০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	এল (মিমি)	L1(মিমি)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.২২	35	44	52	25	১১০০	২৪২	30
০.৩৩	43	44	52	25	১০০০	৩৩০	35
০.৪৭	51	44	52	22	৮৫০	৩৯৯	45
০.৬৮	61	44	52	22	৮০০	৫৪৪	55
১	74	44	52	20	৭০০	৭০০	65
১.২	80	44	52	20	৬৫০	৭৮০	75
১.৫	52	70	84	30	৬০০	৯০০	45
২.০	60	70	84	30	৫০০	১০০০	55
৩.০	73	70	84	30	৪০০	১২০০	65
৪.০	83	70	84	30	৩৫০	১৪০০	70
অ = 6000V.DC
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	এল (মিমি)	L1(মিমি)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.২২	43	60	72	25	১৫০০	৩৩০	35
০.৩৩	52	60	72	25	১২০০	৩৯৬	45
০.৪৭	62	60	72	25	১০০০	৪৭০	50
০.৬৮	74	60	72	22	৯০০	৬১২	60
১	90	60	72	22	৮০০	৯০০	75

অ = ৭০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	এল (মিমি)	L1(মিমি)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.২২	45	57	72	25	১১০০	২৪২	30
০.৬৮	36	80	92	28	১০০০	৬৮০	25
১.০	43	80	92	28	৮৫০	৮৫০	30
১.৫	52	80	92	25	৮০০	১২০০	35
১.৮	57	80	92	25	৭০০	১২৬০	40
২.০	60	80	92	23	৬৫০	১৩০০	45
৩.০	73	80	92	22	৫০০	১৫০০	50

অ = 8000V.DC
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	এল (মিমি)	L1(মিমি)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.৩৩	35	90	১০২	30	১১০০	৩৬৩	25
০.৪৭	41	90	১০২	28	১০০০	৪৭০	30
০.৬৮	49	90	১০২	28	৮৫০	৫৭৮	35
১	60	90	১০২	25	৮০০	৮০০	40
১.৫	72	90	১০২	25	৭০০	১০৫০	45
২.০	83	90	১০২	25	৬৫০	১৩০০	50

অ = ১০০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	এল (মিমি)	L1(মিমি)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.৩৩	45	১১৪	১২৩	35	১৫০০	৪৯৫	30
০.৪৭	54	১১৪	১২৩	35	১৩০০	৬১১	35
০.৬৮	65	১১৪	১২৩	35	১২০০	৮১৬	40
১	78	১১৪	১২৩	30	১০০০	১০০০	55
১.৫	95	১১৪	১২৩	30	৮০০	১২০০	70