আয়তক্ষেত্রাকার কেস সহ ডিসি-লিঙ্ক এমকেপি ক্যাপাসিটার

আয়তাকার কেস সহ ডিসি-লিঙ্ক এমকেপি ক্যাপাসিটরের বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

ক্যাপাসিটর মডেল: ডিএমজে-পিএস সিরিজ

১. ক্যাপাসিট্যান্সের পরিসর: ৮-১৫০ মাইক্রোফ্যারাড;

২. ভোল্টেজ পরিসীমা: ৪৫০-১৩০০ ভোল্ট;

৩. তাপমাত্রা: সর্বোচ্চ ১০৫℃;

৪. অত্যন্ত কম অপচয় গুণাঙ্ক;

৫. অত্যন্ত উচ্চ তাপ নিরোধক প্রতিরোধ ক্ষমতা;

৬. অ-মেরু গঠন;

৭. পিসিবি মাউন্টিং, বিকল্প হিসেবে ২-পিন, ৪-পিন, ৬-পিন টার্মিনাল সংস্করণ রয়েছে;

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

ডিএমজে-পিএস সিরিজ

ডিসি-লিঙ্ক এমকেপি ক্যাপাসিটরগুলো উচ্চ ক্ষমতার কনভার্টার প্রযুক্তির অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিশেষভাবে ডিজাইন করা হয়েছে, যেখানে ক্রমবর্ধমান বৈদ্যুতিক চাহিদার কারণে এগুলো ইলেকট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের স্থান ক্রমশ দখল করছে। কম লসযুক্ত পলিপ্রোপিলিন ডাইইলেকট্রিক দিয়ে তৈরি হওয়ায়, ইলেকট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের তুলনায় এগুলো উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে বেশি কারেন্ট বহন ক্ষমতা এবং কম ডিসিপেশন/সেলফ-হিটিং প্রদর্শন করে।

আয়তাকার কেসযুক্ত CRE DC-LINK MKP ক্যাপাসিটরগুলো ২-পিন, ৪-পিন এবং ৬-পিন টার্মিনাল সংস্করণে পাওয়া যায়।

অভ্যন্তরীণ গঠন এবং নন-পোলারাইজড সংযোগ কনফিগারেশনের উপর ভিত্তি করে, CRE DC-LINK ক্যাপাসিটরগুলিকে উদাহরণস্বরূপ একটি 4500 µF/400 VDC, দুটি 2250 µF/400 VDC অথবা একটি 1125 µF/800 VDC কম্পোনেন্ট হিসাবে সংযুক্ত করা যেতে পারে। কেসের আকার এবং ওয়্যারিং সংস্করণের উপর নির্ভর করে 85 µF/1600 VDC থেকে 4500 µF/400 VDC পর্যন্ত মান পাওয়া যায়। চাহিদা অনুযায়ী কাস্টমাইজড সমাধানও তৈরি করা যেতে পারে।

অসামান্য বৈশিষ্ট্য

১. অত্যন্ত উচ্চ ক্যাপাসিট্যান্স/আয়তন অনুপাত

২. প্রতিটি উপাদানের উচ্চ ভোল্টেজ রেটিং

৩. খুব কম অপচয় গুণাঙ্ক (ESR)

৪. অত্যন্ত উচ্চ তাপ নিরোধক প্রতিরোধ ক্ষমতা

৫. চমৎকার স্ব-আরোগ্যের বৈশিষ্ট্য

৬. দীর্ঘ জীবন প্রত্যাশা

৭. নন-পোলার নির্মাণ

৮. বিশেষভাবে নির্ভরযোগ্য সংযোগ কনফিগারেশন

৯. উচ্চ অভিঘাত ও কম্পন প্রতিরোধ ক্ষমতা

১০. অসামান্য যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ					৫৫০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ৬০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
4	2	০.৮	32	11	21	২৭.৫		২০.৫	10	75	৩০০	4
7	2	০.৮	32	15	25	২৭.৫		১১.৫	10	75	৫২৫	৬.৫
10	2	1	32	18	28	২৭.৫		8	10	75	৭৫০	9
12	2	1	32	21	31	২৭.৫		7	10	75	৯০০	10
20	2	১.২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	৩৭.৫		7	10	40	৮০০	11
30	4	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫	২০.৩	৬.৫	10	40	১২০০	15
45	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	6	10	40	১৮০০	17
60	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	15	40	২৪০০	১৮.৫
60	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	15	40	২৪০০	১৮.৫
75	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	3	15	20	১৫০০	19
75	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	১৫০০	18
১০০	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	২.৮	15	20	২০০০	20
১০০	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	২০০০	22
১১০	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	২২০০	23
১২০	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	২.৮	15	20	২৪০০	25
১৫০	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	২.৫	15	20	৩০০০	28
১৫০	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	২.৫	15	20	৩০০০	28
২০০	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	২.৩	15	20	৪০০০	28
ভোল্টেজ					৭০০ভি.ডিসি (৮৫℃) ৮০০ভি (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
3	2	০.৮	32	11	21	২৭.৫		23	10	75	২২৫	4
5	2	০.৮	32	15	25	২৭.৫		14	10	75	৩৭৫	6
8	2	1	32	18	28	২৭.৫		৮.৫	10	75	৬০০	৮.৫
10	2	1	32	21	31	২৭.৫		7	10	75	৭৫০	10
10	2	১.২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	৩৭.৫		10	10	40	৪০০	10
20	4	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫	২০.৩	৭.৫	10	40	৮০০	12
25	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	6	10	40	১০০০	12
40	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	৫.৫	10	40	১৬০০	13
40	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	6	15	20	৮০০	15
45	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	5	10	40	১৮০০	15
50	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	৫.৫	15	20	১০০০	18
55	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	40	২২০০	18
60	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	5	15	20	১২০০	20
75	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	20	১৫০০	22
80	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	4	15	20	১৬০০	22
90	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	20	১৮০০	25
১০০	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	২০০০	২৭.৫
১০০	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	২০০০	২৭.৫
১১০	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	২২০০	28
ভোল্টেজ					৮০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ৯০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
2	2	০.৮	32	11	21	২৭.৫		31	10	75	১৫০	৩.৫
4	2	০.৮	32	15	25	২৭.৫		১৫.৫	10	75	৩০০	৫.৫
6	2	1	32	18	28	২৭.৫		১০.৫	10	75	৪৫০	৭.৫
8	2	1	32	21	31	২৭.৫		8	10	75	৬০০	৯.৫
15	2	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫		10	10	40	৬০০	10
20	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	৭.৫	10	40	৮০০	12
30	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	40	১২০০	16
35	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	৫.৫	15	20	৭০০	14
45	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	৪.২	10	40	১৮০০	17
50	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	20	১০০০	18
55	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	4	10	40	২২০০	18
60	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	20	১২০০	20
70	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	20	১৪০০	22
75	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	১৫০০	24
85	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	১৭০০	26
ভোল্টেজ					১১০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ১২০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
1	2	০.৮	32	11	21	২৭.৫		৪৫.৫	10	95	95	3
2	2	০.৮	32	15	25	২৭.৫		23	10	95	১৯০	৪.৫
3	2	1	32	18	28	২৭.৫		১৫.৫	10	95	২৮৫	6
4	2	1	32	21	31	২৭.৫		১১.৫	10	95	৩৮০	8
10	2	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫		11	10	40	৪২৯	11
15	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	8	10	40	৬০০	15
20	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	5	10	40	৮০০	18
20	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	5	10	40	৮০০	18
20	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	7	15	25	৫০০	15
25	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	6	15	25	৬২৫	17
30	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	5	15	25	৭৫০	18
35	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	40	১৪০০	19
40	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	5	15	25	১০০০	18
45	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	25	১১২৫	১৮.৫
50	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	25	১২৫০	20
55	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	25	১৩৭৫	21
60	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	25	১৫০০	22
70	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	3	15	25	১৭৫০	24
ভোল্টেজ					১২০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ১৫০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
1	2	০.৮	32	11	21	২৭.৫		43	10	১০০	১০০	3
2	2	০.৮	32	15	25	২৭.৫		২১.৫	10	১০০	২০০	5
3	2	1	32	18	28	২৭.৫		১৪.৫	10	১০০	৩০০	৬.৫
4	2	1	32	21	31	২৭.৫		11	10	১০০	৪০০	8
12	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	5	10	50	৬০০	15
12	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	11	15	40	৪৮০	13
18	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	50	৯০০	18
20	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	7	15	50	১০০০	16
20	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	8	15	40	৮০০	17
25	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	7	15	40	১০০০	20
40	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	6	15	25	১০০০	22
45	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	৫.৫	15	25	১১২৫	24
ভোল্টেজ					১৮০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ২০০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
6	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	24	10	১০০	৬০০	5
8	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	20	10	১০০	৮০০	8
10	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	18	10	১০০	১০০০	10
8	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	12	15	50	৪০০	13
10	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	10	15	50	৫০০	17
15	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	8	15	50	৭৫০	20
18	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৭.৫	15	50	৯০০	21
20	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	7	15	45	৯০০	22