পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামে GTO স্নাবার ক্যাপাসিটর

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

সুইচিং সার্কিটে ব্যবহৃত ডায়োডের জন্য স্নাবার সার্কিট অপরিহার্য। এটি ডায়োডকে ওভারভোল্টেজ স্পাইক থেকে রক্ষা করতে পারে, যা রিভার্স রিকভারি প্রক্রিয়ার সময় উৎপন্ন হতে পারে।

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +৮৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	০.২২～৩μF
রেট করা ভোল্টেজ	৩০০০ ভোল্ট ডিসি～১০০০০ ভোল্ট ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	১.৩৫ইউএন ডিসি/১০এস
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.001 f=1KHz
নিরোধক প্রতিরোধ	C≤০.৩৩μF RS≥১৫০০০ MΩ (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
স্ট্রাইক কারেন্ট প্রতিরোধ করুন	ডেটাশিট দেখুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি ৬১০৭১;

বৈশিষ্ট্য

১. মাইলার টেপ, রেজিন দিয়ে সিল করা;

২. তামার নাট লিড;

৩. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, কম tgδ, কম তাপমাত্রা বৃদ্ধি;

৪. নিম্ন ESL এবং ESR;

৫. উচ্চ স্পন্দন প্রবাহ।

আবেদন

১. জিটিও স্নাবার।

২. পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে সর্বোচ্চ ভোল্টেজ ও সর্বোচ্চ কারেন্ট শোষণ সুরক্ষা প্রদানের জন্য এটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

সাধারণ সার্কিট

রূপরেখা অঙ্কন

স্পেসিফিকেশন

Un=3000V.DC
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	L(মিমি)	L1(মিমি)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.২২	35	44	52	25	১১০০	২৪২	30
০.৩৩	43	44	52	25	১০০০	৩৩০	35
০.৪৭	51	44	52	22	৮৫০	৩৯৯	45
০.৬৮	61	44	52	22	৮০০	৫৪৪	55
১	74	44	52	20	৭০০	৭০০	65
১.২	80	44	52	20	৬৫০	৭৮০	75
১.৫	52	70	84	30	৬০০	৯০০	45
২.০	60	70	84	30	৫০০	১০০০	55
৩.০	73	70	84	30	৪০০	১২০০	65
৪.০	83	70	84	30	৩৫০	১৪০০	70
Un=6000V.DC
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	L(মিমি)	L1(মিমি)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.২২	43	60	72	25	১৫০০	৩৩০	35
০.৩৩	52	60	72	25	১২০০	৩৯৬	45
০.৪৭	62	60	72	25	১০০০	৪৭০	50
০.৬৮	74	60	72	22	৯০০	৬১২	60
১	90	60	72	22	৮০০	৯০০	75

Un=7000V.DC
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	L(মিমি)	L1(মিমি)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.২২	45	57	72	25	১১০০	২৪২	30
০.৬৮	36	80	92	28	১০০০	৬৮০	25
১.০	43	80	92	28	৮৫০	৮৫০	30
১.৫	52	80	92	25	৮০০	১২০০	35
১.৮	57	80	92	25	৭০০	১২৬০	40
২.০	60	80	92	23	৬৫০	১৩০০	45
৩.০	73	80	92	22	৫০০	১৫০০	50

Un=8000V.DC
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	L(মিমি)	L1(মিমি)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.৩৩	35	90	১০২	30	১১০০	৩৬৩	25
০.৪৭	41	90	১০২	28	১০০০	৪৭০	30
০.৬৮	49	90	১০২	28	৮৫০	৫৭৮	35
১	60	90	১০২	25	৮০০	৮০০	40
১.৫	72	90	১০২	25	৭০০	১০৫০	45
২.০	83	90	১০২	25	৬৫০	১৩০০	50

Un=10000V.DC
ক্যাপাসিট্যান্স (μF)	φD (মিমি)	L(মিমি)	L1(মিমি)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস(এ)
০.৩৩	45	১১৪	১২৩	35	১৫০০	৪৯৫	30
০.৪৭	54	১১৪	১২৩	35	১৩০০	৬১১	35
০.৬৮	65	১১৪	১২৩	35	১২০০	৮১৬	40
১	78	১১৪	১২৩	30	১০০০	১০০০	55
১.৫	95	১১৪	১২৩	30	৮০০	১২০০	70