এসি ফিল্টার ক্যাপাসিটর (AKMJ-MC)
প্রযুক্তিগত তথ্য
| অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা | সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা: +85 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +70 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃ | ||
| ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা | একক-পর্যায় | ২০UF~৫০০μF | |
| তিন-পর্যায়ের | ৩×৪০UF~৩×২০০μF | ||
| রেটেড ভোল্টেজ | ৩৩০V.AC/৫০Hz~১১৪০V.AC/৫০Hz | ||
| ক্যাপ.টল | ±৫%(জে); | ||
| ভোল্টেজ সহ্য করুন | ভিটি-টি | ২.১৫ ইউএন / ১০ সেকেন্ড | |
| ভিটি-সি | ১০০০+২×আন ভি.এসি ৬০ এস (মিনিমাম ৩০০০ ভি.এসি) | ||
| ওভার ভোল্টেজ | ১.১Un(চালু-চালু-সময়ের ৩০%।) | ||
| ১.১৫ ইউএন (৩০ মিনিট/দিন) | |||
| ১.২ ইউএন (৫ মিনিট/দিন) | |||
| ১.৩ ইউএন (১ মিনিট/দিন) | |||
| ১.৫Un (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবদ্দশায় ১০০০ বার) | |||
| অপচয় ফ্যাক্টর | tgδ≤0.002 f=100Hz | ||
| tgδ0≤0.0002 | |||
| অন্তরণ প্রতিরোধের | আরএস*সি≥১০০০০সে (২০℃ ১০০V.DC এ) | ||
| শিখা প্রতিবন্ধকতা | UL94V-0 লক্ষ্য করুন | ||
| সর্বোচ্চ উচ্চতা | ২০০০ মি | ||
| যখন উচ্চতা ২০০০ মিটারের উপরে থেকে ৫০০০ মিটারের নিচে থাকে, তখন হ্রাসকৃত পরিমাণ ব্যবহারের কথা বিবেচনা করা প্রয়োজন। (প্রতিটি ১০০০ মিটার বৃদ্ধির জন্য, ভোল্টেজ এবং কারেন্ট ১০% হ্রাস পাবে)
| |||
| আয়ুষ্কাল | 100000h(Un; Θhotspot≤55 °C) | ||
| রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড | আইইসি 61071; আইইসি 60831; | ||
বৈশিষ্ট্য
1. অ্যালুমিনিয়াম বৃত্তাকার হাউজিং প্যাকেজ, রজন দিয়ে সিল করা;
2. তামার বাদাম/স্ক্রু লিড, উত্তাপযুক্ত প্লাস্টিকের কভার পজিশনিং;
3. বৃহৎ ক্ষমতা, কাস্টমাইজড মাত্রা;
৪. উচ্চ ভোল্টেজের প্রতিরোধ, স্ব-নিরাময় সহ;
৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।
আবেদন
1. এসি ফিল্টারিংয়ের জন্য ব্যবহৃত পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
2. উচ্চ-ক্ষমতার ইউপিএস-এ, এসি ফিল্টারের জন্য পাওয়ার সাপ্লাই, ইনভার্টার এবং অন্যান্য সরঞ্জামের সুইচিং, হারমোনিক্স এবং পাওয়ার ফ্যাক্টর নিয়ন্ত্রণ উন্নত করা।
সাধারণ সার্কিট

আয়ুষ্কাল

একক ফেজের রূপরেখা অঙ্কন
| ΦD(মিমি) | পি(মিমি) | H1(মিমি) | S | F | M |
| 76 | 32 | 20 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| 86 | 32 | 20 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| 96 | 45 | 20 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| ১১৬ | 50 | 22 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| ১৩৬ | 50 | 30 | M16×25 এর বিবরণ | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |


তিন-পর্যায়ের রূপরেখা অঙ্কন
| ΦD(মিমি) | H1(মিমি) | S | F | M | D1 | P |
| ১১৬ | 40 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ | 50 | ৪৩.৫ |
| ১৩৬ | 30 | M16×25 এর বিবরণ | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ | 60 | 52 |

| ভোল্টেজ | আন=৩৩০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১২০০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 80 | 76 | 80 | 40 | 80 | ৬.৪ | ১৯.২ | 30 | 4 | ৪.২ | 32 | ০.৫ |
| ১২০ | 86 | 80 | 40 | 70 | ৮.৪ | ২৫.২ | 40 | ২.৮ | ৩.৩ | 32 | ০.৭ |
| ১৫০ | 96 | 80 | 45 | 70 | ১০.৫ | ৩১.৫ | 50 | ৩.৫ | ১.৭ | 45 | ০.৭৫ |
| ১৭০ | 76 | ১৩০ | 50 | 60 | ১০.২ | ৩০.৬ | 60 | ৩.২ | ১.৩ | 32 | ০.৭৫ |
| ২৩০ | 86 | ১৩০ | 50 | 60 | ১৩.৮ | ৪১.৪ | 70 | ২.৪ | ১.৩ | 32 | ১.১ |
| ৩০০ | 96 | ১৩০ | 50 | 50 | ১৫.০ | ৪৫.০ | 75 | ২.৮ | ১.০ | 45 | ১.২ |
| ৪২০ | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 50 | ২১.০ | ৬৩.০ | 80 | ১.৯ | ১.২ | 50 | ১.৬ |
| ভোল্টেজ | আন=৪৫০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১৫২০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 50 | 76 | 80 | 40 | 90 | ৪.৫ | ১৩.৫ | 30 | 4 | ৪.২ | 32 | ০.৫ |
| 65 | 86 | 80 | 50 | 80 | ৫.২ | ১৫.৬ | 40 | ২.৮ | ৩.৩ | 32 | ০.৭ |
| 80 | 96 | 80 | 45 | 80 | ৬.৪ | ১৯.২ | 50 | ৩.৫ | ১.৭ | 45 | ০.৭৫ |
| ১০০ | 76 | ১৩০ | 50 | 70 | ৭.০ | ২১.০ | 60 | ৩.২ | ১.৩ | 32 | ০.৭৫ |
| ১৩০ | 86 | ১৩০ | 45 | 60 | ৭.৮ | ২৩.৪ | 70 | ২.৪ | ১.৩ | 32 | ১.১ |
| ১৬০ | 96 | ১৩০ | 50 | 50 | ৮.০ | ২৪.০ | 75 | ২.৮ | ১.০ | 45 | ১.২ |
| ২৫০ | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 50 | ১২.৫ | ৩৭.৫ | 80 | ১.৯ | ১.২ | 50 | ১.৬ |
| ভোল্টেজ | আন=৬৯০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২১০০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 40 | 76 | ১৩০ | 50 | ১০০ | ৪.০ | ১২.০ | 30 | ২.৮ | ৬.০ | 32 | ০.৭৫ |
| 50 | 76 | ১৫০ | 45 | 90 | ৪.৫ | ১৩.৫ | 35 | ২.৪ | ৫.১ | 32 | ০.৮৫ |
| 60 | 86 | ১৩০ | 45 | 80 | ৪.৮ | ১৪.৪ | 40 | ২.২ | ৪.৩ | 32 | ১.১ |
| 65 | 86 | ১৫০ | 50 | 80 | ৫.২ | ১৫.৬ | 45 | ১.৮ | ৪.১ | 32 | ১.২ |
| 75 | 96 | ১৩০ | 50 | 80 | ৬.০ | ১৮.০ | 50 | ১.৫ | ৪.০ | 45 | ১.২ |
| 80 | 96 | ১৫০ | 55 | 75 | ৬.০ | ১৮.০ | 60 | ১.২ | ৩.৫ | 45 | ১.৩ |
| ১১০ | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 70 | ৭.৭ | ২৩.১ | 65 | ০.৮ | ৪.৪ | 50 | ১.৬ |
| ১২০ | ১১৬ | ১৫০ | 65 | 50 | ৬.০ | ১৮.০ | 75 | ০.৬ | ৪.৪ | 50 | ১.৮ |
| ভোল্টেজ | আন=৮৫০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২৮৫০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 25 | 76 | ১৩০ | 50 | ১১০ | ২.৮ | ৮.৩ | 35 | ১.৫ | ৮.২ | 32 | ০.৭৫ |
| 30 | 76 | ১৫০ | 60 | ১০০ | ৩.০ | ৯.০ | 40 | ১.২ | ৭.৮ | 32 | ০.৮৫ |
| 32 | 86 | ১৩০ | 45 | ১০০ | ৩.২ | ৯.৬ | 50 | ১.১৫ | ৫.২ | 32 | ১.১ |
| 45 | 86 | ১৫০ | 50 | 90 | ৪.১ | ১২.২ | 50 | ১.০৫ | ৫.৭ | 32 | ১.২ |
| 40 | 96 | ১৩০ | 50 | 90 | ৩.৬ | ১০.৮ | 50 | 1 | ৬.০ | 45 | ১.২ |
| 60 | 96 | ১৫০ | 60 | 85 | ৫.১ | ১৫.৩ | 60 | ০.৯ | ৪.৬ | 45 | ১.৩ |
| 60 | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 80 | ৪.৮ | ১৪.৪ | 65 | ০.৮৫ | ৪.২ | 50 | ১.৬ |
| 90 | ১১৬ | ১৫০ | 65 | 75 | ৬.৮ | ২০.৩ | 75 | ০.৮ | ৩.৩ | 50 | ১.৮ |
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস(এ) | ESR(mΩ) | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ভোল্টেজ | আন=৪০০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১২০০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | ১১০ | ১১৬ | ১৩০ | ১০০ | 60 | ৬.৬ | ১৯.৮ | ৩×৫০ | ৩×০.৭৮ | ৪.৫ | ৪৩.৫ | ১.৬ |
| ৩× | ১৪৫ | ১১৬ | ১৮০ | ১১০ | 50 | ৭.৩ | ২১.৮ | ৩×৬০ | ৩×০.৭২ | ৩.৮ | ৪৩.৫ | ২.৪ |
| ৩× | ১৭৫ | ১১৬ | ২১০ | ১২০ | 50 | ৮.৮ | ২৬.৩ | ৩×৭৫ | ৩×০.৬৭ | ৩.৫ | ৪৩.৫ | ২.৭ |
| ৩× | ২০০ | ১৩৬ | ২৩০ | ১২৫ | 40 | ৮.০ | ২৪.০ | ৩×৮৫ | ৩×০.৬ | ২.১ | 52 | ৪.২ |
| ভোল্টেজ | আন=৫০০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১৫২০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | ১০০ | ১১৬ | ১৮০ | ১০০ | 80 | ৮.০ | ২৪.০ | ৩×৪৫ | ৩×০.৭৮ | ৪.৫ | ৪৩.৫ | ২.৬ |
| ৩× | ১২০ | ১১৬ | ২৩০ | ১২০ | 70 | ৮.৪ | ২৫.২ | ৩×৫০ | ৩×০.৭২ | ৩.৮ | ৪৩.৫ | 3 |
| ৩× | ১২৫ | ১৩৬ | ১৮০ | ১১০ | 40 | ৫.০ | ১৫.০ | ৩×৭০ | ৩×০.৬৭ | ৩.৫ | 52 | ৩.২ |
| ৩× | ১৩৫ | ১৩৬ | ২৩০ | ১৩০ | 50 | ৬.৮ | ২০.৩ | ৩×৮০ | ৩×০.৬ | ২.১ | 52 | ৪.২ |
| ভোল্টেজ | আন=৬৯০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২১০০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | 49 | ১১৬ | ২৩০ | ১২০ | 70 | ৩.৪ | ১০.৩ | ৩×৫৬ | ৩×০.৫৫ | ২.১ | ৪৩.৫ | 3 |
| ৩× | ৫৫.৭ | ১৩৬ | ২৩০ | ১৩০ | 90 | ৫.০ | ১৫.০ | ৩×৫৬ | ৩×০.৪ | ২.১ | 52 | ৪.২ |
| ভোল্টেজ | আন=৮৫০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২৫৮০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | ৪১.৫ | ১১৬ | ২৩০ | ১২০ | 80 | ৩.০ | ৯.০ | ৩×৫৬ | ৩×০.৫৫ | ২.১ | ৪৩.৫ | 3 |
| ৩× | ৫৫.৭ | ১৩৬ | ২৩০ | ১৩০ | 50 | ০.৪ | ১.২ | ৩×১০৪ | ৩×০.৪৫ | ১.৮ | 52 | ৪.২ |











