• বিবিবি

ভালো মানের এসি ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটর

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

Fবৈশিষ্ট্য:

১: মাইলার টেপের মোড়ক, রেজিন দিয়ে সিল করা;
২: তামার নাট লিড, ছোট আকার, সহজে স্থাপনযোগ্য;

৩: বৃহৎ ধারণক্ষমতা, ছোট আকার;

৪: উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, সাথে স্ব-আরোগ্যের সুবিধা;

৫: উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।


পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর

সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +৮৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৭০℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃

ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর

৫μF~৫০μF

রেটেড ভোল্টেজ

৩৩০ ভোল্ট এসি/৫০ হার্টজ~৬৯০ ভোল্ট এসি/৫০ হার্টজ

ক্যাপ.টল

±৫%(J);

সহনশীল ভোল্টেজ

ভিটি-টি

২.১৫ইউN/১০ সেকেন্ড

ভিটি-সি

১০০০+২*ইউN(ন্যূনতম ২০০০ ভোল্ট এসি) ৬০ সেকেন্ড

ওভার ভোল্টেজ

১.১ইউN(লোড থাকা সময়ের ৩০%)

১.১৫ইউN(প্রতিদিন ৩০ মিনিট)

১.২ইউN(প্রতিদিন ৫ মিনিট)

১.৩ইউN(প্রতিদিন ১ মিনিট)

১.৫ইউN(প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবনকালে ১০০০ বার)

অপচয় ফ্যাক্টর

tgδ≤0.002 f=1KHz

tgδ0≤0.0002

নিরোধক প্রতিরোধ

RS*C≥5000S (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S)

আয়ুষ্কাল

100000h(Un; Θhotspot≤55 °C)

রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড

আইইসি৬১০৭১; আইইসি ৬০৮৩১;

বৈশিষ্ট্য

১. মাইলার টেপের মোড়ক, রেজিন দিয়ে সিল করা;
২. তামার নাট লিড, ছোট আকার, সহজে স্থাপনযোগ্য;
৩. অধিক ধারণক্ষমতা, ছোট আকার;
৪. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, সাথে স্ব-আরোগ্যের সুবিধা;
৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।

ইনস্টলেশন কেস

জি

আবেদন

১. পাওয়ার ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতিতে এসি ফিল্টার হিসেবে এটি বহুল ব্যবহৃত হয়।

২. উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন ইউপিএস-এ থাকা সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, এসি/ডিসি কনভার্টার, ইনভার্টার (ড্রাইভ) এবং অন্যান্য সরঞ্জাম এসি ফিল্টার, হারমোনিক্স নিয়ন্ত্রণ এবং পাওয়ার ফ্যাক্টর নিয়ন্ত্রণ উন্নত করে।

আয়ুষ্কাল

mc3

রূপরেখা অঙ্কন

 

yy

ভোল্টেজ (ইউএন=৩৩০ভি.এসি)
ধারকত্ব φD (মিমি) L(মিমি) ESR @10KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) আইপিকে(এ) Irms(40℃ @10KHz )
৬.৮ 35 40 ৯.৪ 27 ১০০ ৬৮০ 30
8 38 40 ৮.০ 25 80 ৬৪০ 35
10 42 40 ৬.৪ 25 75 ৭৫০ 40
15 51 40 ৫.৩ 28 70 ১০৫০ 48
20 59 40 ৪.০ 23 65 ১৩০০ 55
30 71 40 ২.৭ 27 60 ১৮০০ 68
40 74 50 ২.০ 26 55 ২২০০ 70
50 82 50 ১.৬ 25 50 ২৫০০ 75

 

ভোল্টেজ (ইউএন=৪৫০ভি.এসি)
ধারকত্ব φD (মিমি) L(মিমি) ESR @10KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) আইপিকে(এ) Irms(40℃ @10KHz )
৬.৮ 35 40 ৯.৪ 27 ১০০ ৬৮০ 30
8 38 40 ৮.০ 25 80 ৬৪০ 35
10 42 40 ৬.৪ 25 75 ৭৫০ 40
15 51 40 ৫.৩ 28 70 ১০৫০ 48
20 59 40 ৪.০ 23 65 ১৩০০ 55
30 71 40 ২.৭ 27 60 ১৮০০ 68
40 74 50 ২.০ 26 55 ২২০০ 70
50 82 50 ১.৬ 25 50 ২৫০০ 75

 

ভোল্টেজ (ইউএন=৬৯০ভি.এসি)
ধারকত্ব φD (মিমি) L(মিমি) ESR @10KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) আইপিকে(এ) Irms(40℃ @10KHz )
5 35 60 ৯.৬ 27 ১৮০ ৯০০ 30
৬.৮ 40 60 ৭.০ 26 ১৫০ ১০২০ 35
8 44 60 ৭.০ 25 ১২০ ৯৬০ 38
10 49 60 ৬.৪ 26 ১১০ ১১০০ 45
15 59 60 ৪.২ 23 ১০০ ১৫০০ 55
20 68 60 ৩.২ 25 90 ১৮০০ 62
25 76 60 ২.৫ 22 80 ২০০০ 70
30 83 60 ২.১ 23 80 ২৪০০ 75

  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী:

  • আমাদের কাছে আপনার বার্তা পাঠান:

    আপনার বার্তাটি এখানে লিখে আমাদের কাছে পাঠিয়ে দিন।

    আমাদের কাছে আপনার বার্তা পাঠান: