ভালো মানের এসি ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটর
প্রযুক্তিগত তথ্য
| কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর | সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +৮৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৭০℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃ | |
| ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর | ৫μF~৫০μF | |
| রেটেড ভোল্টেজ | ৩৩০ ভোল্ট এসি/৫০ হার্টজ~৬৯০ ভোল্ট এসি/৫০ হার্টজ | |
| ক্যাপ.টল | ±৫%(J); | |
| সহনশীল ভোল্টেজ | ভিটি-টি | ২.১৫ইউN/১০ সেকেন্ড |
| ভিটি-সি | ১০০০+২*ইউN(ন্যূনতম ২০০০ ভোল্ট এসি) ৬০ সেকেন্ড | |
| ওভার ভোল্টেজ | ১.১ইউN(লোড থাকা সময়ের ৩০%) | |
| ১.১৫ইউN(প্রতিদিন ৩০ মিনিট) | ||
| ১.২ইউN(প্রতিদিন ৫ মিনিট) | ||
| ১.৩ইউN(প্রতিদিন ১ মিনিট) | ||
| ১.৫ইউN(প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবনকালে ১০০০ বার) | ||
| অপচয় ফ্যাক্টর | tgδ≤0.002 f=1KHz | |
| tgδ0≤0.0002 | ||
| নিরোধক প্রতিরোধ | RS*C≥5000S (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S) | |
| আয়ুষ্কাল | 100000h(Un; Θhotspot≤55 °C) | |
| রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড | আইইসি৬১০৭১; আইইসি ৬০৮৩১; | |
বৈশিষ্ট্য
১. মাইলার টেপের মোড়ক, রেজিন দিয়ে সিল করা;
২. তামার নাট লিড, ছোট আকার, সহজে স্থাপনযোগ্য;
৩. অধিক ধারণক্ষমতা, ছোট আকার;
৪. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, সাথে স্ব-আরোগ্যের সুবিধা;
৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।
ইনস্টলেশন কেস

আবেদন
১. পাওয়ার ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতিতে এসি ফিল্টার হিসেবে এটি বহুল ব্যবহৃত হয়।
২. উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন ইউপিএস-এ থাকা সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, এসি/ডিসি কনভার্টার, ইনভার্টার (ড্রাইভ) এবং অন্যান্য সরঞ্জাম এসি ফিল্টার, হারমোনিক্স নিয়ন্ত্রণ এবং পাওয়ার ফ্যাক্টর নিয়ন্ত্রণ উন্নত করে।
আয়ুষ্কাল

রূপরেখা অঙ্কন

| ভোল্টেজ | (ইউএন=৩৩০ভি.এসি) | ||||||
| ধারকত্ব | φD (মিমি) | L(মিমি) | ESR @10KHz (mΩ)) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | আইপিকে(এ) | Irms(40℃ @10KHz ) |
| ৬.৮ | 35 | 40 | ৯.৪ | 27 | ১০০ | ৬৮০ | 30 |
| 8 | 38 | 40 | ৮.০ | 25 | 80 | ৬৪০ | 35 |
| 10 | 42 | 40 | ৬.৪ | 25 | 75 | ৭৫০ | 40 |
| 15 | 51 | 40 | ৫.৩ | 28 | 70 | ১০৫০ | 48 |
| 20 | 59 | 40 | ৪.০ | 23 | 65 | ১৩০০ | 55 |
| 30 | 71 | 40 | ২.৭ | 27 | 60 | ১৮০০ | 68 |
| 40 | 74 | 50 | ২.০ | 26 | 55 | ২২০০ | 70 |
| 50 | 82 | 50 | ১.৬ | 25 | 50 | ২৫০০ | 75 |
| ভোল্টেজ | (ইউএন=৪৫০ভি.এসি) | ||||||
| ধারকত্ব | φD (মিমি) | L(মিমি) | ESR @10KHz (mΩ)) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | আইপিকে(এ) | Irms(40℃ @10KHz ) |
| ৬.৮ | 35 | 40 | ৯.৪ | 27 | ১০০ | ৬৮০ | 30 |
| 8 | 38 | 40 | ৮.০ | 25 | 80 | ৬৪০ | 35 |
| 10 | 42 | 40 | ৬.৪ | 25 | 75 | ৭৫০ | 40 |
| 15 | 51 | 40 | ৫.৩ | 28 | 70 | ১০৫০ | 48 |
| 20 | 59 | 40 | ৪.০ | 23 | 65 | ১৩০০ | 55 |
| 30 | 71 | 40 | ২.৭ | 27 | 60 | ১৮০০ | 68 |
| 40 | 74 | 50 | ২.০ | 26 | 55 | ২২০০ | 70 |
| 50 | 82 | 50 | ১.৬ | 25 | 50 | ২৫০০ | 75 |
| ভোল্টেজ | (ইউএন=৬৯০ভি.এসি) | ||||||
| ধারকত্ব | φD (মিমি) | L(মিমি) | ESR @10KHz (mΩ)) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | আইপিকে(এ) | Irms(40℃ @10KHz ) |
| 5 | 35 | 60 | ৯.৬ | 27 | ১৮০ | ৯০০ | 30 |
| ৬.৮ | 40 | 60 | ৭.০ | 26 | ১৫০ | ১০২০ | 35 |
| 8 | 44 | 60 | ৭.০ | 25 | ১২০ | ৯৬০ | 38 |
| 10 | 49 | 60 | ৬.৪ | 26 | ১১০ | ১১০০ | 45 |
| 15 | 59 | 60 | ৪.২ | 23 | ১০০ | ১৫০০ | 55 |
| 20 | 68 | 60 | ৩.২ | 25 | 90 | ১৮০০ | 62 |
| 25 | 76 | 60 | ২.৫ | 22 | 80 | ২০০০ | 70 |
| 30 | 83 | 60 | ২.১ | 23 | 80 | ২৪০০ | 75 |










