পাইকারি মূল্যে চায়না এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর - মেটালাইজড ফিল্ম আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা বিশ্বাস করি: উদ্ভাবনই আমাদের আত্মা ও প্রাণ। উৎকর্ষই আমাদের জীবন। ক্রেতার প্রয়োজনই আমাদের ঈশ্বর।বায়ু শক্তি জেনারেটরের জন্য ক্যাপাসিটর , পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন ক্যাপাসিটর , সিমেন্স ওয়েল্ডিং মেশিনের জন্য ডিসি লিঙ্ক ক্যাপাসিটরবিস্তৃত পরিসর, ভালো গুণমান, বাস্তবসম্মত মূল্য এবং আকর্ষণীয় ডিজাইনের কারণে আমাদের পণ্য ও সমাধানগুলো ব্যবহারকারীদের কাছে ব্যাপকভাবে স্বীকৃত ও বিশ্বস্ত এবং ক্রমাগত পরিবর্তনশীল অর্থনৈতিক ও সামাজিক চাহিদা পূরণ করতে সক্ষম।

পাইকারি মূল্যে চায়না এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর - মেটালাইজড ফিল্ম আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই বিবরণ:

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +১০৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	০.১μF～৫.৬μF
রেট করা ভোল্টেজ	৭০০ভি.ডিসি～৩০০০ভি.ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	১.৫ইউএন ডিসি/১০এস
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
নিরোধক প্রতিরোধ	C≤০.৩৩μF RS≥১৫০০০ MΩ (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S)
স্ট্রাইক কারেন্ট প্রতিরোধ করুন	具体见规格表
শিখা মন্দন	UL94V-0
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071;GB/T17702;

ভোল্টেজ			ইউএন ৭০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৪০০ভিএসি; ইউএস ১০৫০ভি
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @৪০℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	৫০০	২৩৫	8
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	25	৪৮০	৩২৬.৪	10
1	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	24	৪৫০	৪৫০	12
১.৫	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	25	৪৩০	৬৪৫	5
2	৪২.৫	33	৩৫.৫	6	24	৪২০	৮৪০	15
২.৫	৪২.৫	33	45	6	23	৪০০	১০০০	18
3	৪২.৫	33	45	৫.৫	22	৩৮০	১১৪০	20
3	৫৭.৫	30	45	5	26	৩৫০	১০৫০	22
৩.৫	৪২.৫	33	45	5	23	৩৫০	১২২৫	25
৩.৫	৫৭.৫	30	45	6	25	৩০০	১০৫০	22
৪.৭	৫৭.৫	35	50	5	28	২৮০	১৩১৬	25
৫.৬	৫৭.৫	38	54	4	30	২৫০	১৪০০	25
6	৫৭.৫	38	54	৩.৫	33	২৩০	১৩৮০	28
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	32	২২০	১৪৯৬	32
8	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	30	২০০	১৬০০	33


ভোল্টেজ			Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	25	১০০০	৪৭০	10
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	25	৮০০	৫৪৪	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	24	৮০০	৮০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	24	৭০০	১০৫০	15
2	৪২.৫	33	45	5	22	৭০০	১৪০০	20
২.৫	৫৭.৫	30	45	5	30	৬০০	১৫০০	22
3	৫৭.৫	35	50	4	30	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	35	50	৩.৫	28	৫৫০	১৮১৫	25
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	28	৫০০	১৭৫০	25
4	৫৭.৫	38	54	৩.২	26	৫০০	২০০০	28
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	3	25	৪২০	১৯৭৪ সালে	30
৫.৬	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	24	৪০০	২২৪০	32

ভোল্টেজ			ইউএন ১২০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৫৫০ভিএসি; ইউএস ১৮০০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	24	১২০০	৫৬৪	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	23	১১০০	৭৪৮	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	22	৮০০	৮০০	14
১.৫	৪২.৫	33	45	5	20	৮০০	১২০০	15
2	৫৭.৫	30	45	4	30	৭৫০	১৫০০	20
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	৭০০	১৭৫০	25
3	৫৭.৫	35	50	4	27	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	4	27	৫৫০	১৮১৫	28
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	28
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৪৫০	১৮০০	30
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	23	৪২০	১৯৭৪ সালে	32

ভোল্টেজ			ইউএন ১৭০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৫৭৫ভিএসি; ইউএস ২২৫০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.৩৩	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	১৩০০	৪২৯	9
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	24	১৩০০	৬১১	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	8	23	১৩০০	৮৮৪	12
1	৪২.৫	33	45	7	22	১২০০	১২০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	22	১২০০	১৮০০	18
১.৫	৫৭.৫	30	45	5	31	১২০০	১৮০০	20
2	৫৭.৫	30	45	5	30	১১০০	২২০০	22
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	১১০০	২৭৫০	25
3	৫৭.৫	38	54	4	27	৭০০	২১০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	৩.৮	26	৬০০	১৯৮০	28
৩.৫	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	30
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	25	৪৫০	১৮০০	32

ভোল্টেজ			ইউএন ২০০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৭০০ভিএসি; ইউএস ৩০০০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.২২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	15	25	১৫০০	৩৩০	10
০.৩৩	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	12	24	১৫০০	৪৯৫	12
০.৪৭	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	11	23	১৪০০	৬৫৮	15
০.৬৮	৪২.৫	33	45	8	22	১২০০	৮১৬	18
০.৬৮	৫৭.৫	30	45	7	30	১১০০	৭৪৮	20
০.৮২	৪২.৫	33	45	7	28	১২০০	৯৮৪	22
1	৫৭.৫	30	45	6	28	১১০০	১১০০	25
১.৫	৫৭.৫	35	50	5	25	১০০০	১৫০০	28
2	৫৭.৫	38	54	5	24	৮০০	১৬০০	28
২.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	4	23	৭০০	১৫৪০	32

ভোল্টেজ			ইউএন ৩০০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৭৫০ভিএসি; ইউএস ৪৫০০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.১৫	৪২.৫	33	45	18	28	২৫০০	৩৭৫	25
০.২২	৪২.৫	33	45	15	27	২২০০	৪৮৪	28
০.২২	৫৭.৫	35	50	15	25	২০০০	৩৩০	20
০.৩৩	৫৭.৫	35	50	12	24	১৮০০	৪৯৫	20
০.৪৭	৫৭.৫	38	54	11	23	১৬০০	৭৫২	22
০.৬৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	8	22	১৫০০	১০২০	28

বৈশিষ্ট্য

১. প্লাস্টিক, রেজিন দিয়ে সিল করা;

২. টিন-প্রলেপযুক্ত তামার ইনসার্ট লিড, আইজিবিটি (IGBT)-র জন্য সহজে স্থাপনযোগ্য;

৩. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, কম tgδ, কম তাপমাত্রা বৃদ্ধি;

৪. নিম্ন ESL এবং ESR;

৫. উচ্চ স্পন্দন প্রবাহ।

কম ইন্ডাকট্যান্সের অভ্যন্তরীণ কাঠামো, ঐচ্ছিক মোল্ডেড রেজিন কেস এবং কাস্টমাইজড টার্মিনেশন ব্যবহারের মাধ্যমে, SMJ-P সিরিজকে দ্রুত সুইচিং IGBTS-এর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং এটি স্নাবার ও উচ্চ কারেন্ট ও উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির ইনপুট ফিল্টার হিসেবে কাজ করতে পারে।

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমরা আমাদের উৎকৃষ্ট মান, সেরা মূল্য এবং উন্নত সহায়তার মাধ্যমে আমাদের সম্মানিত গ্রাহকদের ক্রমাগত সন্তুষ্ট করব, কারণ আমরা অতিরিক্ত অভিজ্ঞ ও অনেক বেশি পরিশ্রমী এবং পাইকারি মূল্যে চায়না এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর - মেটালাইজড ফিল্ম আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই সাশ্রয়ী উপায়ে সরবরাহ করি। পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: টরন্টো, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র, স্লোভাক প্রজাতন্ত্র। আমরা দৃঢ়ভাবে বিশ্বাস করি যে আপনাকে সন্তোষজনক পণ্য সরবরাহ করার সম্পূর্ণ ক্ষমতা আমাদের আছে। আমরা আপনার উদ্বেগগুলো জানতে এবং একটি নতুন দীর্ঘমেয়াদী সহযোগিতামূলক সম্পর্ক গড়ে তুলতে আগ্রহী। আমরা দৃঢ়ভাবে প্রতিশ্রুতি দিচ্ছি: একই উৎকৃষ্ট মান, আরও ভালো বিক্রয় মূল্য; সঠিক বিক্রয় মূল্য, আরও ভালো গুণমান।

ইপিএস অ্যাপ্লিকেশনের জন্য এসি ফিল্টার

বৈদ্যুতিক গাড়ির ক্যাপাসিটর

উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

ইনভার্টার ডিসি লিঙ্ক ক্যাপাসিটর

পিএফসি ক্যাপাসিটর

পাওয়ার ক্যাপাসিটর ব্যাংক

ডিসি লিঙ্কের জন্য পাওয়ার ক্যাপাসিটর

স্ক্রু/নাট টার্মিনাল রেজোন্যান্স ফিল্ম ক্যাপাসিটর

স্ব-নিরাময়কারী পলিপ্রোপিলিন ক্যাপাসিটার

স্নাবার ক্যাপাসিটর

কোম্পানিটি এই শিল্প বাজারের পরিবর্তনের সাথে তাল মিলিয়ে চলতে পারে, দ্রুত পণ্য আপডেট করে এবং দামও সস্তা। এটি আমাদের দ্বিতীয় সহযোগিতা, এবং অভিজ্ঞতাটি ভালো।