পাইকারি মূল্য চায়না এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর - ধাতব ফিল্ম আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর - সিআরই

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

প্রায়শই গ্রাহক-ভিত্তিক, এবং শুধুমাত্র সম্ভবত সবচেয়ে সম্মানজনক, বিশ্বস্ত এবং সৎ প্রদানকারী নয়, আমাদের গ্রাহকদের জন্য অংশীদার হওয়াই আমাদের চূড়ান্ত লক্ষ্য।আল্ট্রাক্যাপাসিটর ব্যাটারি , নিম্ন ESL ফিল্ম ক্যাপাসিটর , Igbt এর জন্য স্নাবার ক্যাপাসিটর, আমরা এখন চারটি নেতৃস্থানীয় সমাধান আছে.আমাদের পণ্য শুধুমাত্র চীনা বাজারে বিক্রি সবচেয়ে কার্যকর, কিন্তু আন্তর্জাতিক শিল্প সময় স্বাগত জানাই.

পাইকারি মূল্য চায়না এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর - ধাতব ফিল্ম আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা বিন্যাস	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উপরের বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	0.1μF～5.6μF
রেটেড ভোল্টেজ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	1.5Un DC/10S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S এ) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
স্ট্রাইক স্রোত সহ্য করুন	具体见规格表
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0
আয়ু	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071;GB/T17702;

ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ			Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
৬.৮	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ			Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ			Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ			Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ			আন 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ			আন 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

বৈশিষ্ট্য

1. প্লাস্টিক, রজন সঙ্গে সিল;

2. টিন-ধাতুপট্টাবৃত তামা সন্নিবেশ সীসা, IGBT জন্য সহজ ইনস্টলেশন;

3. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ, কম tgδ, নিম্ন তাপমাত্রা বৃদ্ধি;

4. কম ESL এবং ESR;

5. উচ্চ পালস কারেন্ট।

কম ইন্ডাকট্যান্স অভ্যন্তরীণ নির্মাণ, ঐচ্ছিক ছাঁচযুক্ত রজন কেস এবং কাস্টমাইজড টার্মিনেশন ব্যবহার করে, SMJ-P সিরিজটি IGBTS দ্রুত পরিবর্তন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং এটি স্নুবার এবং উচ্চ বর্তমান উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইনপুট ফিল্টার হিসাবে কাজ করতে পারে।

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমরা আমাদের কোম্পানির "গুণমান, কর্মক্ষমতা, উদ্ভাবন এবং সততা" এর স্পিরিট নিয়ে থাকি।আমরা আমাদের প্রচুর সম্পদ, উন্নত যন্ত্রপাতি, অভিজ্ঞ কর্মী এবং পাইকারি মূল্যের চায়না এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর - মেটালাইজড ফিল্ম আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE-এর জন্য চমত্কার সমাধান দিয়ে আমাদের ক্লায়েন্টদের জন্য আরও মান তৈরি করার লক্ষ্য রাখি, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করবে, যেমন : আলবেনিয়া, মক্কা, মঙ্গোলিয়া, আমাদের সমস্ত পণ্য যুক্তরাজ্য, জার্মানি, ফ্রান্স, স্পেন, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র, কানাডা, ইরান, ইরাক, মধ্যপ্রাচ্য এবং আফ্রিকার ক্লায়েন্টদের কাছে রপ্তানি করা হয়।আমাদের পণ্যগুলি উচ্চ মানের, প্রতিযোগিতামূলক দাম এবং সবচেয়ে অনুকূল শৈলীর জন্য আমাদের গ্রাহকদের দ্বারা স্বাগত জানানো হয়।আমরা সমস্ত গ্রাহকদের সাথে ব্যবসায়িক সম্পর্ক স্থাপন এবং জীবনের জন্য আরও সুন্দর রঙ আনতে আশা করি।

Eps অ্যাপ্লিকেশনের জন্য এসি ফিল্টার

বৈদ্যুতিক গাড়ির ক্যাপাসিটর

উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

ইনভার্টার ডিসি লিংক ক্যাপাসিটর

পিএফসি ক্যাপাসিটর