• বিবিবি

ধাতব ফিল্ম IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর – CRE

ছোট বিবরণ:


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

কর্পোরেটটি "বৈজ্ঞানিক প্রশাসন, উচ্চতর গুণমান এবং কর্মক্ষমতা প্রাধান্য, ক্লায়েন্টের জন্য সর্বোচ্চ" পরিচালনার ধারণার দিকে এগিয়ে চলেছে।শিল্প কনভার্টারগুলির জন্য ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটর , উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন এসি ফিল্টারিং ক্যাপাসিটার , ধাতবায়িত স্ব-নিরাময় ফিল্ম ক্যাপাসিটর, আমরা বিশ্বজুড়ে ক্লায়েন্ট, এন্টারপ্রাইজ অ্যাসোসিয়েশন এবং বন্ধুদের আমাদের সাথে কথা বলতে এবং পারস্পরিক পুরষ্কারের জন্য সহযোগিতা খুঁজে পেতে আন্তরিকভাবে স্বাগত জানাই।
ধাতব ফিল্ম IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর – CRE বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

 

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা ০.১μF~৫.৬μF
রেটেড ভোল্টেজ ৭০০ ভোল্ট.ডিসি~৩০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপ.টল ±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন ১.৫Un DC/১০S
অপচয় ফ্যাক্টর tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S এ)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)

স্ট্রাইক কারেন্ট সহ্য করুন

具体见规格表

শিখা প্রতিবন্ধকতা

UL94V-0 লক্ষ্য করুন

আয়ুষ্কাল

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড

IEC61071; জিবি/টি17702;

 

ভোল্টেজ 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
মাত্রা (মিমি)
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) ESR @১০০KHz (mΩ) ইএসএল(এনএইচ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে(এ) Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
০.৪৭ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 12 25 ৫০০ ২৩৫ 8
০.৬৮ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 10 25 ৪৮০ ৩২৬.৪ 10
1 ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 8 24 ৪৫০ ৪৫০ 12
১.৫ ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ 7 25 ৪৩০ ৬৪৫ 5
2 ৪২.৫ 33 ৩৫.৫ 6 24 ৪২০ ৮৪০ 15
২.৫ ৪২.৫ 33 45 6 23 ৪০০ ১০০০ 18
3 ৪২.৫ 33 45 ৫.৫ 22 ৩৮০ ১১৪০ 20
3 ৫৭.৫ 30 45 5 26 ৩৫০ ১০৫০ 22
৩.৫ ৪২.৫ 33 45 5 23 ৩৫০ ১২২৫ 25
৩.৫ ৫৭.৫ 30 45 6 25 ৩০০ ১০৫০ 22
৪.৭ ৫৭.৫ 35 50 5 28 ২৮০ ১৩১৬ 25
৫.৬ ৫৭.৫ 38 54 4 30 ২৫০ ১৪০০ 25
6 ৫৭.৫ 38 54 ৩.৫ 33 ২৩০ ১৩৮০ 28
৬.৮ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৩.২ 32 ২২০ ১৪৯৬ 32
8 ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ২.৮ 30 ২০০ ১৬০০ 33

 

ভোল্টেজ ১০০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ৫০০ ভ্যাক; ইউএস ১৫০০ ভোল্ট
মাত্রা (মিমি)
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) ESR(mΩ) ইএসএল(এনএইচ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
০.৪৭ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 11 25 ১০০০ ৪৭০ 10
০.৬৮ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 8 25 ৮০০ ৫৪৪ 12
1 ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ 6 24 ৮০০ ৮০০ 15
১.৫ ৪২.৫ 33 45 6 24 ৭০০ ১০৫০ 15
2 ৪২.৫ 33 45 5 22 ৭০০ ১৪০০ 20
২.৫ ৫৭.৫ 30 45 5 30 ৬০০ ১৫০০ 22
3 ৫৭.৫ 35 50 4 30 ৬০০ ১৮০০ 25
৩.৩ ৫৭.৫ 35 50 ৩.৫ 28 ৫৫০ ১৮১৫ 25
৩.৫ ৫৭.৫ 38 54 ৩.৫ 28 ৫০০ ১৭৫০ 25
4 ৫৭.৫ 38 54 ৩.২ 26 ৫০০ ২০০০ 28
৪.৭ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 3 25 ৪২০ ১৯৭৪ 30
৫.৬ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ২.৮ 24 ৪০০ ২২৪০ 32

 

ভোল্টেজ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) ESR(mΩ) ইএসএল(এনএইচ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
০.৪৭ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 11 24 ১২০০ ৫৬৪ 10
০.৬৮ ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ 7 23 ১১০০ ৭৪৮ 12
1 ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ 6 22 ৮০০ ৮০০ 14
১.৫ ৪২.৫ 33 45 5 20 ৮০০ ১২০০ 15
2 ৫৭.৫ 30 45 4 30 ৭৫০ ১৫০০ 20
২.৫ ৫৭.৫ 35 50 4 28 ৭০০ ১৭৫০ 25
3 ৫৭.৫ 35 50 4 27 ৬০০ ১৮০০ 25
৩.৩ ৫৭.৫ 38 54 4 27 ৫৫০ ১৮১৫ 28
৩.৫ ৫৭.৫ 38 54 ৩.৫ 25 ৫০০ ১৭৫০ 28
4 ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৩.৫ 25 ৪৫০ ১৮০০ 30
৪.৭ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৩.২ 23 ৪২০ ১৯৭৪ 32

 

ভোল্টেজ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) ESR(mΩ) ইএসএল(এনএইচ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
০.৩৩ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 12 25 ১৩০০ ৪২৯ 9
০.৪৭ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 10 24 ১৩০০ ৬১১ 10
০.৬৮ ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ 8 23 ১৩০০ ৮৮৪ 12
1 ৪২.৫ 33 45 7 22 ১২০০ ১২০০ 15
১.৫ ৪২.৫ 33 45 6 22 ১২০০ ১৮০০ 18
১.৫ ৫৭.৫ 30 45 5 31 ১২০০ ১৮০০ 20
2 ৫৭.৫ 30 45 5 30 ১১০০ ২২০০ 22
২.৫ ৫৭.৫ 35 50 4 28 ১১০০ ২৭৫০ 25
3 ৫৭.৫ 38 54 4 27 ৭০০ ২১০০ 25
৩.৩ ৫৭.৫ 38 54 ৩.৮ 26 ৬০০ ১৯৮০ 28
৩.৫ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৩.৫ 25 ৫০০ ১৭৫০ 30
4 ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৩.২ 25 ৪৫০ ১৮০০ 32

 

ভোল্টেজ ২০০০V.DC,Urms৭০০Vac;Us৩০০০V
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) ESR(mΩ) ইএসএল(এনএইচ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
০.২২ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ 15 25 ১৫০০ ৩৩০ 10
০.৩৩ ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ 12 24 ১৫০০ ৪৯৫ 12
০.৪৭ ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ 11 23 ১৪০০ ৬৫৮ 15
০.৬৮ ৪২.৫ 33 45 8 22 ১২০০ ৮১৬ 18
০.৬৮ ৫৭.৫ 30 45 7 30 ১১০০ ৭৪৮ 20
০.৮২ ৪২.৫ 33 45 7 28 ১২০০ ৯৮৪ 22
1 ৫৭.৫ 30 45 6 28 ১১০০ ১১০০ 25
১.৫ ৫৭.৫ 35 50 5 25 ১০০০ ১৫০০ 28
2 ৫৭.৫ 38 54 5 24 ৮০০ ১৬০০ 28
২.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 4 23 ৭০০ ১৫৪০ 32

 

ভোল্টেজ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) ESR(mΩ) ইএসএল(এনএইচ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
০.১৫ ৪২.৫ 33 45 18 28 ২৫০০ ৩৭৫ 25
০.২২ ৪২.৫ 33 45 15 27 ২২০০ ৪৮৪ 28
০.২২ ৫৭.৫ 35 50 15 25 ২০০০ ৩৩০ 20
০.৩৩ ৫৭.৫ 35 50 12 24 ১৮০০ ৪৯৫ 20
০.৪৭ ৫৭.৫ 38 54 11 23 ১৬০০ ৭৫২ 22
০.৬৮ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 8 22 ১৫০০ ১০২০ 28

বৈশিষ্ট্য

১. প্লাস্টিক, রজন দিয়ে সিল করা;

2. টিন-প্লেটেড কপার সন্নিবেশ লিড, IGBT-এর জন্য সহজ ইনস্টলেশন;

3. উচ্চ ভোল্টেজ, কম tgδ, কম তাপমাত্রা বৃদ্ধির প্রতিরোধ;

৪. কম ESL এবং ESR;

৫. উচ্চ পালস কারেন্ট।

কম ইন্ডাক্ট্যান্স অভ্যন্তরীণ নির্মাণ, ঐচ্ছিক মোল্ডেড রেজিন কেস এবং কাস্টমাইজড টার্মিনেশন ব্যবহার করে, SMJ-P সিরিজগুলি দ্রুত স্যুইচিং IGBTS-এর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং স্নাবার এবং উচ্চ কারেন্ট উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইনপুট ফিল্টার হিসেবে কাজ করতে পারে।


পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

ধাতব ফিল্ম IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর – CRE বিস্তারিত ছবি

ধাতব ফিল্ম IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর – CRE বিস্তারিত ছবি

ধাতব ফিল্ম IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর – CRE বিস্তারিত ছবি

ধাতব ফিল্ম IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর – CRE বিস্তারিত ছবি


সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমরা আমাদের পণ্য এবং মেরামতের উন্নতি এবং নিখুঁততা বজায় রেখেছি। একই সাথে, আমরা পাইকারি মূল্যের চায়না এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর - মেটালাইজড ফিল্ম আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর - সিআরই-এর জন্য গবেষণা এবং অগ্রগতির জন্য সক্রিয়ভাবে কাজ করি। পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: প্যারিস, ইথিওপিয়া, কোস্টারিকা। এই ক্ষেত্রের পরিবর্তনশীল প্রবণতার কারণে, আমরা নিবেদিতপ্রাণ প্রচেষ্টা এবং ব্যবস্থাপনাগত উৎকর্ষতার সাথে পণ্য বাণিজ্যে নিজেদেরকে জড়িত করি। আমরা আমাদের গ্রাহকদের জন্য সময়মত ডেলিভারি সময়সূচী, উদ্ভাবনী নকশা, গুণমান এবং স্বচ্ছতা বজায় রাখি। আমাদের উদ্দেশ্য হল নির্ধারিত সময়ের মধ্যে মানসম্পন্ন পণ্য সরবরাহ করা।
  • কারখানার কারিগরি কর্মীরা সহযোগিতা প্রক্রিয়ায় আমাদের অনেক ভালো পরামর্শ দিয়েছেন, এটি খুবই ভালো, আমরা অত্যন্ত কৃতজ্ঞ। ৫ তারা ক্যালিফোর্নিয়া থেকে হান্নার লেখা - ২০১৮.০৬.১৮ ১৭:২৫
    কারখানাটি ক্রমাগত ক্রমবর্ধমান অর্থনৈতিক ও বাজারের চাহিদা পূরণ করতে পারে, যাতে তাদের পণ্যগুলি ব্যাপকভাবে স্বীকৃত এবং বিশ্বস্ত হয়, এবং সেই কারণেই আমরা এই কোম্পানিটিকে বেছে নিয়েছি। ৫ তারা মাল্টা থেকে রজার রিভকিনের লেখা - ২০১৮.০৭.২৬ ১৬:৫১

    আপনার বার্তা আমাদের পাঠান:

    আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।

    আপনার বার্তা আমাদের পাঠান: