ইএসএস-এর জন্য সু-পরিকল্পিত ফিল্ম ক্যাপাসিটর - সোলার ইনভার্টারের জন্য উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন ডিসি লিঙ্ক পিপি ফিল্ম ক্যাপাসিটর (ডিএমজে-পিএস) – সিআরই

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রতিক্রিয়া (2)

আমাদের প্রচেষ্টা এবং কোম্পানির লক্ষ্য হলো "সর্বদা আমাদের গ্রাহকদের চাহিদা পূরণ করা"। আমরা আমাদের পুরাতন এবং নতুন উভয় গ্রাহকদের জন্য উন্নত মানের পণ্য তৈরি ও ডিজাইন করে চলেছি এবং আমাদের গ্রাহকদের পাশাপাশি নিজেদের জন্যও একটি লাভজনক পরিস্থিতি অর্জন করতে চাই।নিম্ন ইএসএল ফিল্ম ক্যাপাসিটর , চিকিৎসা যন্ত্রপাতির জন্য ডিসি ক্যাপাসিটর , কাস্টম ডিজাইন ডিসি লিঙ্ক ক্যাপাসিটরআমরা আমাদের গ্রাহকদের সমস্যা যত দ্রুত সম্ভব সমাধান করতে পারি এবং তাদের লাভ নিশ্চিত করতে পারি। আপনার যদি ভালো পরিষেবা এবং গুণমানের প্রয়োজন হয়, তবে অনুগ্রহ করে আমাদেরকেই বেছে নিন, ধন্যবাদ!

ইএসএস-এর জন্য সু-পরিকল্পিত ফিল্ম ক্যাপাসিটর - সোলার ইনভার্টারের জন্য উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন ডিসি লিঙ্ক পিপি ফিল্ম ক্যাপাসিটর (ডিএমজে-পিএস) – সিআরই বিবরণ:

ডিএমজে-পিএস সিরিজ

DMJ-PS সিরিজের ক্যাপাসিটর হলো CRE-এর অন্যতম একটি সুবিধা, এবং এর জন্য সম্পূর্ণ স্বয়ংক্রিয় উৎপাদন লাইন ব্যবহার করা হয়।

বহু বছরের গবেষণা ও উন্নয়নের অভিজ্ঞতার ফলে, সিআরই পাওয়ার ফিল্ম ক্যাপাসিটরগুলো নবায়নযোগ্য শক্তি এবং স্মার্ট গ্রিড প্রযুক্তিতে কার্যকর বলে প্রমাণিত হয়েছে।

আমরা বিশ্বজুড়ে গ্রাহকদের কাছ থেকে সুনাম অর্জন করি।

IMG_0627.HEIC

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ: +১০৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	৮～১৫০μF
রেট করা ভোল্টেজ	৪৫০ ভোল্ট ডিসি থেকে ১৩০০ ভোল্ট ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	১.৫ইউএন ডিসি/৬০এস
ওভার ভোল্টেজ	১.১ ইউনিট (অন-লোড সময়কালের ৩০%)
	১.১৫ মিনিট (প্রতিদিন ৩০ মিনিট)
	১.২ আন (প্রতিদিন ৫ মিনিট)
	১.৩ আন (১ মিনিট/দিন)
	১.৫ আন (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবনকালে ১০০০ বার)
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0015 f=100Hz
নিরোধক প্রতিরোধ	RS*C≥10000S (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC-তে)
শিখা মন্দন	UL94V-0
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি ৬১০৭১;

বৈশিষ্ট্য

১. প্লাস্টিক আবরণে আবদ্ধকরণ, শুষ্ক রেজিন প্রবেশ করানো;
২. টিনযুক্ত তামার তারের লিড, ছোট আকার, সহজে স্থাপনযোগ্য;
৩. নিম্ন ESL এবং ESR;
৪. উচ্চ স্পন্দন প্রবাহ।
অন্যান্য CRE পণ্যের মতো, এই সিরিজের ক্যাপাসিটরটিও UL সার্টিফিকেটপ্রাপ্ত এবং ১০০% বার্ন-ইন পরীক্ষিত।

আবেদন

১. ডিসি-লিঙ্ক সার্কিটে ফিল্টারিং শক্তি সঞ্চয়ের জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়;
২. ইলেকট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের বিকল্প হিসেবে ব্যবহার করা যায়, ফলে উন্নত কর্মক্ষমতা ও দীর্ঘস্থায়ীত্ব পাওয়া যায়।
৩. পিভি ইনভার্টার, উইন্ড পাওয়ার কনভার্টার; সব ধরনের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার ও ইনভার্টার পাওয়ার সাপ্লাই;
সম্পূর্ণ বৈদ্যুতিক ও হাইব্রিড গাড়ি; চার্জিং পাইল, ইউপিএস, ইত্যাদি।

আয়ুষ্কাল

রূপরেখা অঙ্কন

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ					৫৫০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ৬০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
4	২	০.৮	32	11	21	২৭.৫		২০.৫	10	75	৩০০	4
7	২	০.৮	32	15	25	২৭.৫		১১.৫	10	75	৫২৫	৬.৫
10	২	১	32	18	28	২৭.৫		8	10	75	৭৫০	9
12	২	১	32	21	31	২৭.৫		7	10	75	৯০০	10
20	২	১.২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	৩৭.৫		7	10	40	৮০০	11
30	4	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫	২০.৩	৬.৫	10	40	১২০০	15
45	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	6	10	40	১৮০০	17
60	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	15	40	২৪০০	১৮.৫
60	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	15	40	২৪০০	১৮.৫
75	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	3	15	20	১৫০০	19
75	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	১৫০০	18
১০০	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	২.৮	15	20	২০০০	20
১০০	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	২০০০	22
১১০	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	২২০০	23
১২০	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	২.৮	15	20	২৪০০	25
১৫০	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	২.৫	15	20	৩০০০	28
১৫০	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	২.৫	15	20	৩০০০	28
২০০	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	২.৩	15	20	৪০০০	28
ভোল্টেজ					৭০০ভি.ডিসি (৮৫℃) ৮০০ভি (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
3	২	০.৮	32	11	21	২৭.৫		23	10	75	২২৫	4
5	২	০.৮	32	15	25	২৭.৫		14	10	75	৩৭৫	6
8	২	১	32	18	28	২৭.৫		৮.৫	10	75	৬০০	৮.৫
10	২	১	32	21	31	২৭.৫		7	10	75	৭৫০	10
10	২	১.২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	৩৭.৫		10	10	40	৪০০	10
20	4	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫	২০.৩	৭.৫	10	40	৮০০	12
25	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	6	10	40	১০০০	12
40	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	৫.৫	10	40	১৬০০	13
40	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	6	15	20	৮০০	15
45	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	5	10	40	১৮০০	15
50	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	৫.৫	15	20	১০০০	18
55	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	40	২২০০	18
60	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	5	15	20	১২০০	20
75	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	20	১৫০০	22
80	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	4	15	20	১৬০০	22
90	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	20	১৮০০	25
১০০	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	২০০০	২৭.৫
১০০	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	২০০০	২৭.৫
১১০	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	২২০০	28
ভোল্টেজ					৮০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ৯০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
২	২	০.৮	32	11	21	২৭.৫		31	10	75	১৫০	৩.৫
4	২	০.৮	32	15	25	২৭.৫		১৫.৫	10	75	৩০০	৫.৫
6	২	১	32	18	28	২৭.৫		১০.৫	10	75	৪৫০	৭.৫
8	২	১	32	21	31	২৭.৫		8	10	75	৬০০	৯.৫
15	২	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫		10	10	40	৬০০	10
20	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	৭.৫	10	40	৮০০	12
30	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	40	১২০০	16
35	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	৫.৫	15	20	৭০০	14
45	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	৪.২	10	40	১৮০০	17
50	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	20	১০০০	18
55	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	4	10	40	২২০০	18
60	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	20	১২০০	20
70	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	20	১৪০০	22
75	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	20	১৫০০	24
85	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	3	15	20	১৭০০	26
ভোল্টেজ					১১০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ১২০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
১	২	০.৮	32	11	21	২৭.৫		৪৫.৫	10	95	95	3
২	২	০.৮	32	15	25	২৭.৫		23	10	95	১৯০	৪.৫
3	২	১	32	18	28	২৭.৫		১৫.৫	10	95	২৮৫	6
4	২	১	32	21	31	২৭.৫		১১.৫	10	95	৩৮০	8
10	২	১.২	৪২.৫	24	44	৩৭.৫		11	10	40	৪২৯	11
15	4	১.২	৪২.৫	29	37	৩৭.৫	২০.৩	8	10	40	৬০০	15
20	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	5	10	40	৮০০	18
20	4	১.২	৪২.৫	33	45	৩৭.৫	২০.৩	5	10	40	৮০০	18
20	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	7	15	25	৫০০	15
25	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	6	15	25	৬২৫	17
30	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	5	15	25	৭৫০	18
35	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	40	১৪০০	19
40	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	5	15	25	১০০০	18
45	4	১.২	৫৭.৫	38	54	৫২.৫	২০.৩	৪.৫	15	25	১১২৫	১৮.৫
50	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	25	১২৫০	20
55	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	৩.৫	15	25	১৩৭৫	21
60	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৩.২	15	25	১৫০০	22
70	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	3	15	25	১৭৫০	24
ভোল্টেজ					১২০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ১৫০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
১	২	০.৮	32	11	21	২৭.৫		43	10	১০০	১০০	3
২	২	০.৮	32	15	25	২৭.৫		২১.৫	10	১০০	২০০	5
3	২	১	32	18	28	২৭.৫		১৪.৫	10	১০০	৩০০	৬.৫
4	২	১	32	21	31	২৭.৫		11	10	১০০	৪০০	8
12	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	5	10	50	৬০০	15
12	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	11	15	40	৪৮০	13
18	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	৪.৫	10	50	৯০০	18
20	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	7	15	50	১০০০	16
20	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	8	15	40	৮০০	17
25	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	7	15	40	১০০০	20
40	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	6	15	25	১০০০	22
45	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	৫.৫	15	25	১১২৫	24
ভোল্টেজ					১৮০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ২০০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	পিচ (মিমি)		ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
সিএন (ইউএফ)	তারের সংখ্যা	φD (মিমি)	L(মিমি)±১	টি(মিমি)±১	H(মিমি)±১	P1	P2	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে (এ)	Irms(A) （@10KHz 85℃）
6	4	১.২	৪২.৫	30	45	৩৭.৫	২০.৩	24	10	১০০	৬০০	5
8	4	১.২	৪২.৫	35	50	৩৭.৫	২০.৩	20	10	১০০	৮০০	8
10	4	১.২	৪২.৫	40	55	৩৭.৫	২০.৩	18	10	১০০	১০০০	10
8	4	১.২	৫৭.৫	30	45	৫২.৫	২০.৩	12	15	50	৪০০	13
10	4	১.২	৫৭.৫	35	50	৫২.৫	২০.৩	10	15	50	৫০০	17
15	4	১.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	৫২.৫	২০.৩	8	15	50	৭৫০	20
18	4	১.২	৫৭.৫	45	55	৫২.৫	২০.৩	৭.৫	15	50	৯০০	21
20	4	১.২	৫৭.৫	45	65	৫২.৫	২০.৩	7	15	45	৯০০	22

ভিডিও

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

নির্ভরযোগ্য উন্নত মানের সিস্টেম, চমৎকার সুনাম এবং নিখুঁত গ্রাহক সহায়তার মাধ্যমে, আমাদের সংস্থা দ্বারা উৎপাদিত বিভিন্ন পণ্য ও সমাধান বেশ কয়েকটি দেশ ও অঞ্চলে রপ্তানি করা হয়। যেমন—ESS-এর জন্য সু-নকশাকৃত ফিল্ম ক্যাপাসিটর - সোলার ইনভার্টারের জন্য উচ্চ কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ডিসি লিঙ্ক পিপি ফিল্ম ক্যাপাসিটর (DMJ-PS) – CRE। পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: মালদ্বীপ, নিউ অরলিন্স। আমরা আমাদের উন্নয়ন কৌশলের দ্বিতীয় পর্যায় শুরু করব। আমাদের সংস্থা "যৌক্তিক মূল্য, কার্যকর উৎপাদন সময় এবং ভালো বিক্রয়োত্তর সেবা"-কে আমাদের মূলনীতি হিসেবে বিবেচনা করে। আপনি যদি আমাদের কোনো পণ্য বা সমাধানে আগ্রহী হন অথবা একটি কাস্টম অর্ডার নিয়ে আলোচনা করতে চান, তাহলে নির্দ্বিধায় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন। আমরা অদূর ভবিষ্যতে বিশ্বজুড়ে নতুন গ্রাহকদের সাথে সফল ব্যবসায়িক সম্পর্ক স্থাপনের জন্য উন্মুখ হয়ে আছি।

কমপ্যাক্ট ডিজাইন ফিল্ম ক্যাপাসিটর

নতুন শক্তি বিদ্যুৎ ব্যবস্থার জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ভালো মানের রেজোন্যান্স ক্যাপাসিটর

উচ্চ ডিভি/ডিটি প্রতিরোধকারী জিটিও স্নাবার

উচ্চ শক্তি সঞ্চয়কারী ক্যাপাসিটার

উচ্চ রিপল কারেন্ট ফিল্ম ক্যাপাসিটর

উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি ফিল্টার ফিল্ম ক্যাপাসিটর

নিম্ন ইএসএল ক্যাপাসিটর

এসি ফিল্টারিংয়ের জন্য পাওয়ার ক্যাপাসিটার

আইজিবিটির জন্য স্নাবার ক্যাপাসিটর

পণ্য ও পরিষেবা খুবই ভালো, আমাদের নেতা এই ক্রয় প্রক্রিয়ায় অত্যন্ত সন্তুষ্ট, এটি আমাদের প্রত্যাশার চেয়েও ভালো।