পিসিবি ক্যাপাসিটরের জন্য নবায়নযোগ্য ডিজাইন - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা সর্বদা আপনাকে সবচেয়ে আন্তরিক গ্রাহক পরিষেবা এবং সর্বোৎকৃষ্ট উপকরণ দিয়ে তৈরি বিভিন্ন ডিজাইন ও শৈলীর সম্ভার প্রদান করে থাকি। এই প্রচেষ্টার মধ্যে দ্রুততার সাথে কাস্টমাইজড ডিজাইন সরবরাহ ও প্রেরণও অন্তর্ভুক্ত।নতুন শক্তি বিদ্যুৎ ব্যবস্থার জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর , চিকিৎসা যন্ত্রপাতির জন্য ডিসি ক্যাপাসিটর , শক্তি বাফারিং ক্যাপাসিটরআমরা আমাদের গ্রাহকদের শুধু উচ্চ মানের পণ্যই সরবরাহ করি না, বরং তার চেয়েও অনেক বেশি গুরুত্বপূর্ণ হলো প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের সাথে আমাদের সর্বোত্তম পরিষেবা।

পিসিবি ক্যাপাসিটরের জন্য নবায়নযোগ্য ডিজাইন - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই বিবরণ:

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +৮৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	০.১μF～৫.৬μF
রেট করা ভোল্টেজ	৬৩০ ভোল্ট ডিসি থেকে ২০০০ ভোল্ট ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	১.৫ইউএন ডিসি/১০এস
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
নিরোধক প্রতিরোধ	C≤০.৩৩μF RS≥১৫০০০ MΩ (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
স্ট্রাইক কারেন্ট প্রতিরোধ করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি ৬১০৭১; আইইসি ৬১৮৮১; জিবি/টি১৭৭০২

আবেদন

১. আইজিবিটি স্নাবার, জিটিও স্নাবার

২. পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে সর্বোচ্চ ভোল্টেজ ও সর্বোচ্চ কারেন্ট শোষণ সুরক্ষা প্রদানের জন্য এটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

রূপরেখা অঙ্কন

SMJ-TE অক্ষীয় ক্যাপাসিটর
ভোল্টেজ		Un630V.DC; Urms400Vac; Us 945V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.২২	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	16	23	৩০০	66	৫.৩
০.৩৩	32	12	20	1	13	22	২০০	66	৬.৫
০.৪৭	32	১৪.৫	২২.৫	1	11	21	২২০	১০৩.৪	৮.৩
০.৬৮	32	18	26	1	10	20	১৮০	১২২.৪	৯.৫
1	37	11	19	1	8	28	১৫০	১৫০	৭.৬
১.৫	37	১৩.৫	২১.৫	1	7	27	১৫০	২২৫	৯.৫
2	37	16	24	১.২	6	24	১৩০	২৬০	১০.২
২.৫	37	18	26	১.২	৫.৫	25	১২০	৩০০	১০.৫
3	37	20	28	১.২	5	30	১১০	৩৩০	১০.৮
৩.৩	37	21	29	১.২	৪.৫	30	১১০	৩৬৩	১১.২
4	57	27	৩৬.৫	১.২	৪.২	32	২২০	৮৮০	১২.৮
৪.৭	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৮	32	২০০	৯৪০	১৩.৮
৫.৬	57	31	৩৩.৫	১.২	৩.৫	32	১৮৫	১০৩৬	১৩.৫
৬.৮	37	29	৪১.৫	১.২	২.৫	28	১০০	৬৮০	১৩.৮
৬.৮	57	34	৪৬.৫	১.২	২.৮	30	১৮০	১২২৪	১৪.২
ভোল্টেজ		ইউএন ১০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৫০০ভি.এসি; ইউএস ১৫০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১৫	32	10	১৭.৫	০.৮	20	20	১১০০	১৬৫	৫.৫
০.২২	32	12	20	1	15	21	১০০০	২২০	৭.৩
০.৩৩	32	১৫.৫	23	1	13	21	১০০০	৩৩০	৮.৭
০.৪৭	32	১৮.৫	26	১.২	10	23	১০০০	৪৭০	১০.৫
০.৪৭	44	14	22	১.২	9	24	৯০০	৪২৩	৯.৫
০.৬৮	32	20	৩২.৫	১.২	7	25	৯০০	৬১২	১০.৮
০.৬৮	44	17	25	১.২	6	26	৮০০	৫৪৪	১০.২
1	44	২১.৫	২৯.৫	১.২	৫.৬	27	৯০০	৯০০	11
১.৫	44	26	৩৫.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	12
১.৫	57	21	29	১.২	5	30	৭০০	১০৫০	১২.২
2	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	30	৮০০	১৬০০	১৩.২
2	57	24	৩৩.৫	১.২	৪.৮	32	৬০০	১২০০	১২.৮
২.২	44	30	৪২.৫	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৩.৮
২.২	57	25	৩৪.৫	১.২	৪.২	32	৫০০	১১০০	১৩.৫
২.৫	57	25	38	১.২	4	33	৫০০	১২৫০	১৪.২
3	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৫	34	৪৮০	১৪৪০	১৫.৬
৩.৩	57	২৯.৫	42	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৪৮৫	১৬.৫
৩.৫	57	৩০.৫	43	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৫৭৫	১৭.২
৪.৭	57	35	৫০.৫	১.২	3	36	৪২০	১৯৭৪ সালে	১৭.৮
৫.৬	57	৩৮.৫	65	১.২	২.৮	38	৪০০	২২৪০	১৮.২
ভোল্টেজ		জাতিসংঘ ১২০০ ভোল্ট ডিসি; যুক্তরাজ্য ৫৫০ ভোল্ট এসি; যুক্তরাষ্ট্র ১৮০০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১	32	৮.৫	16	০.৮	20	20	১৩০০	১৩০	6
০.১৫	32	10	১৭.৫	1	18	20	১২০০	১৮০	৭.৫
০.২২	32	13	21	1	15	22	১২০০	২৬৪	৮.৩
০.৩৩	32	16	24	1	12	23	১২০০	৩৯৬	9
০.৪৭	32	১৭.৫	30	১.২	10	23	১২০০	৫৬৪	৯.৫
০.৪৭	44	15	23	১.২	9	26	১১০০	৫১৭	৯.৮
০.৬৮	32	২১.৫	34	১.২	8	25	১১০০	৫১৭	10
০.৬৮	44	১৮.৫	২৬.৫	১.২	6	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
1	44	23	31	১.২	5	28	১০০০	১০০০	১২.৪
১.৫	44	২৬.৫	39	১.২	5	30	৯৫০	১৪২৫	১৩.৫
১.৫	57	২২.৫	৩০.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	১২.৬
2	44	29	45	১.২	5	30	৮০০	১৬০০	১৪.২
2	57	২৬.৫	৩৪.৫	১.২	৪.৮	30	৭৫০	১৫০০	১৩.৮
২.২	44	31	47	১.২	৪.২	32	৮০০	১৭৬০	১৪.৫
২.২	57	২৭.৫	৩৫.৫	১.২	৪.২	35	৭০০	১৫৪০	১৪.৫
3	57	29	৪৪.৫	১.২	৩.২	37	৫০০	১৫০০	১৭.২
৩.৩	57	৩০.৫	46	১.২	৩.২	38	৪৫০	১৪৮৫	১৭.৮
৪.৭	57	38	৫৩.৫	১.২	3	38	৪২০	১৯৭৪ সালে	১৮.২
ভোল্টেজ		জাতিসংঘ ১৭০০ ভোল্ট ডিসি; যুক্তরাজ্য ৬০০ ভোল্ট এসি; যুক্তরাষ্ট্র ২৫৫০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	18	25	১৩০০	১৩০	৭.৫
০.১৫	32	12	20	1	16	24	১২০০	১৮০	৮.৫
০.২২	32	15	23	1	15	24	১২০০	২৬৪	৯.৩
০.৩৩	32	১৮.৫	২৬.৫	1	12	22	১২০০	৩৯৬	৯.৯
০.৩৩	44	১৩.৫	২১.৫	১.২	12	29	১১০০	৩৬৩	১০.২
০.৪৭	44	16	24	১.২	9	28	১০০০	৪৭০	১১.২
০.৬৮	44	20	28	১.২	8	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
1	44	24	৩৩.৫	১.২	৫.৬	26	৯০০	৯০০	১২.৪
1	57	১৯.৫	২৭.৫	১.২	6	33	৮৫০	৮৫০	১০.৮
১.৫	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	25	৮০০	১২০০	১৩.৫
১.৫	57	24	32	১.২	5	33	৭৫০	১১২৫	১৩.৫
2	44	৩১.৫	47	১.২	৪.৫	24	৭৫০	১৫০০	১৪.২
2	57	২৭.৫	37	১.২	৪.৮	32	৬৫০	১৩০০	১২.৮
২.২	44	৩৩.৫	49	১.২	৪.৫	34	৭০০	১৫৪০	১৫.৬
২.২	57	29	40	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৪.৫
3	57	31	৪৬.৫	১.২	4	30	৫৬০	১৬৮০	১৭.২
৩.৩	57	33	৪৮.৫	১.২	৩.২	29	৫০০	১৬৫০	১৭.৬
4	57	37	৫২.৫	১.২	3	28	৪৫০	১৮০০	১৮.২
ভোল্টেজ		ইউএন ২০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৭০০ভিএসি; ইউএস ৩০০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.০৬৮	32	9	17	০.৮	25	23	১৫০০	১০২	৬.৯
০.১	32	১১.৫	১৯.৫	1	18	22	১৫০০	১৫০	৮.২
০.১	37	১০.৫	১৮.৫	1	18	26	১৪৫০	১৪৫	8
০.২২	32	১৭.৫	২৫.৫	১.২	15	21	১৪০০	৩০৮	৯.১
০.২২	37	16	24	১.২	15	25	১৩০০	২৮৬	9
০.৩৩	37	20	28	১.২	12	24	১২৫০	৪১২.৫	৯.৫
০.৩৩	44	18	26	১.২	12	30	১২০০	৩৯৬	১০.২
০.৪৭	44	১৯.৫	32	১.২	10	29	১১০০	৫১৭	১২.৪
০.৬৮	44	24	৩৬.৫	১.২	8	28	১০০০	৬৮০	১৪.২
০.৬৮	57	১৮.৫	31	১.২	8	27	৯০০	৬১২	১৪.২
1	57	২৩.৫	36	১.২	6	31	৯৫০	৯৫০	১৪.৫
১.৫	57	২৯.৫	42	১.২	5	31	৮৫০	১২৭৫	১৪.৫
2	57	33	৪৮.৫	১.২	৪.২	31	৭৫০	১৫০০	১৬.৫
২.২	57	35	৫০.৫	১.২	4	30	৭০০	১৫৪০	১৭.৮
ভোল্টেজ		ইউএন ৩০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৭৫০ভিএসি; ইউএস ৪৫০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.০৪৭	44	১৩.৫	২১.৫	1	22	20	২০০০	94	৮.৫
০.০৬৮	44	17	25	1	20	20	১৮০০	১২২.৪	১০.৫
০.১	44	২০.৫	২৮.৫	১.২	18	20	১৫০০	১৫০	১২.৪
০.১৫	44	26	34	১.২	16	22	১৩৫০	২০২.৫	১৩.৮
০.২২	44	29	৪১.৫	১.২	১৪.৫	22	১২০০	২৬৪	১৪.৫

ভিডিও

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

এটি ক্রমাগত নতুন পণ্য এবং সমাধান বিকাশের জন্য "সৎ, পরিশ্রমী, উদ্যোগী, উদ্ভাবনী" এই নীতি মেনে চলে। এটি ক্রেতাদের সাফল্যকে নিজের ব্যক্তিগত সাফল্য হিসেবে বিবেচনা করে। আসুন আমরা উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত পিসিবি ক্যাপাসিটরের জন্য নবায়নযোগ্য ডিজাইন - পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর (সিআরই)-এর মাধ্যমে হাতে হাত রেখে একটি সমৃদ্ধ ভবিষ্যৎ গড়ে তুলি। পণ্যটি পুয়ের্তো রিকো, লস অ্যাঞ্জেলেস, লেসোথোর মতো সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে। আমাদের কোম্পানি "গুণমান প্রথম, নিখুঁততা চিরস্থায়ী, জনমুখী, প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন" এই ব্যবসায়িক দর্শন মেনে চলবে। কঠোর পরিশ্রমের মাধ্যমে ক্রমাগত অগ্রগতি, শিল্পে উদ্ভাবন এবং একটি প্রথম শ্রেণীর প্রতিষ্ঠান হওয়ার জন্য সর্বাত্মক প্রচেষ্টা করা হয়। আমরা বৈজ্ঞানিক ব্যবস্থাপনা মডেল তৈরি করতে, প্রচুর দক্ষ জ্ঞান অর্জন করতে, উন্নত উৎপাদন সরঞ্জাম এবং উৎপাদন প্রক্রিয়া বিকাশ করতে, প্রথম সারির মানসম্পন্ন সমাধান, যুক্তিসঙ্গত মূল্য, উচ্চ মানের পরিষেবা এবং দ্রুত ডেলিভারি তৈরি করতে আমাদের সর্বোচ্চ চেষ্টা করি, যাতে আপনার জন্য নতুন মূল্য তৈরি করা যায়।

ইউপিএস সিস্টেমের জন্য এসি-ফিল্টার

মোটরগাড়ির প্রয়োগে ক্যাপাসিটর

কাস্টমাইজড ক্যাপাসিটর সমাধান

ডিসি বাস ক্যাপাসিটর

ডিসি লিঙ্ক পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

শিল্প কনভার্টারের জন্য ডিসি-লিঙ্ক ক্যাপাসিটর

এক্সক্লুসিভ পাওয়ার ক্যাপাসিটর সলিউশন

গ্লোবাল ফিল্ম ক্যাপাসিটর সরবরাহকারী

উচ্চ ক্ষমতার অনুরণন ক্যাপাসিটার

উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন থাইরিস্টরের জন্য স্নাবার

এই শিল্পক্ষেত্রের একজন ভালো সরবরাহকারী হিসেবে, বিস্তারিত ও সতর্ক আলোচনার পর আমরা একটি সর্বসম্মত চুক্তিতে পৌঁছেছি। আশা করি, আমাদের সহযোগিতা নির্বিঘ্নে চলবে।