পিসিবি ক্যাপাসিটরের জন্য নবায়নযোগ্য নকশা - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE

পিসিবি ক্যাপাসিটরের জন্য নবায়নযোগ্য নকশা - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - সিআরই বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

"বিস্তারিত দ্বারা গুণমান নিয়ন্ত্রণ করুন, গুণমান দ্বারা শক্তি দেখান"। আমাদের এন্টারপ্রাইজ একটি উল্লেখযোগ্যভাবে দক্ষ এবং স্থিতিশীল টিম টিম প্রতিষ্ঠা করার জন্য প্রচেষ্টা করেছে এবং এর জন্য একটি কার্যকর চমৎকার নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা অন্বেষণ করেছেপাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর সলিউশন , বায়ু শক্তি ইউনিটের ডিসি ভোল্টেজ ইন্টারমিডিয়েট সার্কিটের জন্য ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটার , লো এসএল ফিল্ম ক্যাপাসিটর, আমাদের সাথে সহযোগিতা এবং বিকাশের জন্য আন্তরিকভাবে স্বাগত! আমরা উচ্চ মানের এবং প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের পণ্য সরবরাহ করতে থাকব।

পিসিবি ক্যাপাসিটরের জন্য নবায়নযোগ্য নকশা - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - সিআরই বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: + 85 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: + 85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	০.১μF~৫.৬μF
রেটেড ভোল্টেজ	৬৩০ ভোল্ট.ডিসি~২০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	১.৫Un DC/১০S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S তাপমাত্রায়) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S তাপমাত্রায়)
স্ট্রাইক কারেন্ট সহ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি 61071; আইইসি 61881; জিবি/টি17702

আবেদন

১. আইজিবিটি স্নাবার, জিটিও স্নাবার

2. বিদ্যুৎ ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় যখন সর্বোচ্চ ভোল্টেজ, সর্বোচ্চ বর্তমান শোষণ সুরক্ষা।

রূপরেখা অঙ্কন

SMJ-TE অক্ষীয় ক্যাপাসিটর
ভোল্টেজ		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	এইচ (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @২৫℃ @১০০KHz (A)
০.২২	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	16	23	৩০০	66	৫.৩
০.৩৩	32	12	20	1	13	22	২০০	66	৬.৫
০.৪৭	32	১৪.৫	২২.৫	1	11	21	২২০	১০৩.৪	৮.৩
০.৬৮	32	18	26	1	10	20	১৮০	১২২.৪	৯.৫
1	37	11	19	1	8	28	১৫০	১৫০	৭.৬
১.৫	37	১৩.৫	২১.৫	1	7	27	১৫০	২২৫	৯.৫
2	37	16	24	১.২	6	24	১৩০	২৬০	১০.২
২.৫	37	18	26	১.২	৫.৫	25	১২০	৩০০	১০.৫
3	37	20	28	১.২	5	30	১১০	৩৩০	১০.৮
৩.৩	37	21	29	১.২	৪.৫	30	১১০	৩৬৩	১১.২
4	57	27	৩৬.৫	১.২	৪.২	32	২২০	৮৮০	১২.৮
৪.৭	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৮	32	২০০	৯৪০	১৩.৮
৫.৬	57	31	৩৩.৫	১.২	৩.৫	32	১৮৫	১০৩৬	১৩.৫
৬.৮	37	29	৪১.৫	১.২	২.৫	28	১০০	৬৮০	১৩.৮
৬.৮	57	34	৪৬.৫	১.২	২.৮	30	১৮০	১২২৪	১৪.২
ভোল্টেজ		১০০০ ভোল্ট ডিসি; ৫০০ ভ্যাকুয়াম; ১৫০০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	এইচ (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @২৫℃ @১০০KHz (A)
০.১৫	32	10	১৭.৫	০.৮	20	20	১১০০	১৬৫	৫.৫
০.২২	32	12	20	1	15	21	১০০০	২২০	৭.৩
০.৩৩	32	১৫.৫	23	1	13	21	১০০০	৩৩০	৮.৭
০.৪৭	32	১৮.৫	26	১.২	10	23	১০০০	৪৭০	১০.৫
০.৪৭	44	14	22	১.২	9	24	৯০০	৪২৩	৯.৫
০.৬৮	32	20	৩২.৫	১.২	7	25	৯০০	৬১২	১০.৮
০.৬৮	44	17	25	১.২	6	26	৮০০	৫৪৪	১০.২
1	44	২১.৫	২৯.৫	১.২	৫.৬	27	৯০০	৯০০	11
১.৫	44	26	৩৫.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	12
১.৫	57	21	29	১.২	5	30	৭০০	১০৫০	১২.২
2	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	30	৮০০	১৬০০	১৩.২
2	57	24	৩৩.৫	১.২	৪.৮	32	৬০০	১২০০	১২.৮
২.২	44	30	৪২.৫	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৩.৮
২.২	57	25	৩৪.৫	১.২	৪.২	32	৫০০	১১০০	১৩.৫
২.৫	57	25	38	১.২	4	33	৫০০	১২৫০	১৪.২
3	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৫	34	৪৮০	১৪৪০	১৫.৬
৩.৩	57	২৯.৫	42	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৪৮৫	১৬.৫
৩.৫	57	৩০.৫	43	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৫৭৫	১৭.২
৪.৭	57	35	৫০.৫	১.২	3	36	৪২০	১৯৭৪	১৭.৮
৫.৬	57	৩৮.৫	65	১.২	২.৮	38	৪০০	২২৪০	১৮.২
ভোল্টেজ		১২০০ ভোল্ট ডিসি; ৫৫০ ভ্যাক; ১৮০০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	এইচ (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @২৫℃ @১০০KHz (A)
০.১	32	৮.৫	16	০.৮	20	20	১৩০০	১৩০	6
০.১৫	32	10	১৭.৫	1	18	20	১২০০	১৮০	৭.৫
০.২২	32	13	21	1	15	22	১২০০	২৬৪	৮.৩
০.৩৩	32	16	24	1	12	23	১২০০	৩৯৬	9
০.৪৭	32	১৭.৫	30	১.২	10	23	১২০০	৫৬৪	৯.৫
০.৪৭	44	15	23	১.২	9	26	১১০০	৫১৭	৯.৮
০.৬৮	32	২১.৫	34	১.২	8	25	১১০০	৫১৭	10
০.৬৮	44	১৮.৫	২৬.৫	১.২	6	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
1	44	23	31	১.২	5	28	১০০০	১০০০	১২.৪
১.৫	44	২৬.৫	39	১.২	5	30	৯৫০	১৪২৫	১৩.৫
১.৫	57	২২.৫	৩০.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	১২.৬
2	44	29	45	১.২	5	30	৮০০	১৬০০	১৪.২
2	57	২৬.৫	৩৪.৫	১.২	৪.৮	30	৭৫০	১৫০০	১৩.৮
২.২	44	31	47	১.২	৪.২	32	৮০০	১৭৬০	১৪.৫
২.২	57	২৭.৫	৩৫.৫	১.২	৪.২	35	৭০০	১৫৪০	১৪.৫
3	57	29	৪৪.৫	১.২	৩.২	37	৫০০	১৫০০	১৭.২
৩.৩	57	৩০.৫	46	১.২	৩.২	38	৪৫০	১৪৮৫	১৭.৮
৪.৭	57	38	৫৩.৫	১.২	3	38	৪২০	১৯৭৪	১৮.২
ভোল্টেজ		১৭০০V.DC; Urms ৬০০Vac; Us ২৫৫০V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	এইচ (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @২৫℃ @১০০KHz (A)
০.১	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	18	25	১৩০০	১৩০	৭.৫
০.১৫	32	12	20	1	16	24	১২০০	১৮০	৮.৫
০.২২	32	15	23	1	15	24	১২০০	২৬৪	৯.৩
০.৩৩	32	১৮.৫	২৬.৫	1	12	22	১২০০	৩৯৬	৯.৯
০.৩৩	44	১৩.৫	২১.৫	১.২	12	29	১১০০	৩৬৩	১০.২
০.৪৭	44	16	24	১.২	9	28	১০০০	৪৭০	১১.২
০.৬৮	44	20	28	১.২	8	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
1	44	24	৩৩.৫	১.২	৫.৬	26	৯০০	৯০০	১২.৪
1	57	১৯.৫	২৭.৫	১.২	6	33	৮৫০	৮৫০	১০.৮
১.৫	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	25	৮০০	১২০০	১৩.৫
১.৫	57	24	32	১.২	5	33	৭৫০	১১২৫	১৩.৫
2	44	৩১.৫	47	১.২	৪.৫	24	৭৫০	১৫০০	১৪.২
2	57	২৭.৫	37	১.২	৪.৮	32	৬৫০	১৩০০	১২.৮
২.২	44	৩৩.৫	49	১.২	৪.৫	34	৭০০	১৫৪০	১৫.৬
২.২	57	29	40	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৪.৫
3	57	31	৪৬.৫	১.২	4	30	৫৬০	১৬৮০	১৭.২
৩.৩	57	33	৪৮.৫	১.২	৩.২	29	৫০০	১৬৫০	১৭.৬
4	57	37	৫২.৫	১.২	3	28	৪৫০	১৮০০	১৮.২
ভোল্টেজ		২০০০V.DC; Urms ৭০০Vac; Us ৩০০০V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	এইচ (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @২৫℃ @১০০KHz (A)
০.০৬৮	32	9	17	০.৮	25	23	১৫০০	১০২	৬.৯
০.১	32	১১.৫	১৯.৫	1	18	22	১৫০০	১৫০	৮.২
০.১	37	১০.৫	১৮.৫	1	18	26	১৪৫০	১৪৫	8
০.২২	32	১৭.৫	২৫.৫	১.২	15	21	১৪০০	৩০৮	৯.১
০.২২	37	16	24	১.২	15	25	১৩০০	২৮৬	9
০.৩৩	37	20	28	১.২	12	24	১২৫০	৪১২.৫	৯.৫
০.৩৩	44	18	26	১.২	12	30	১২০০	৩৯৬	১০.২
০.৪৭	44	১৯.৫	32	১.২	10	29	১১০০	৫১৭	১২.৪
০.৬৮	44	24	৩৬.৫	১.২	8	28	১০০০	৬৮০	১৪.২
০.৬৮	57	১৮.৫	31	১.২	8	27	৯০০	৬১২	১৪.২
1	57	২৩.৫	36	১.২	6	31	৯৫০	৯৫০	১৪.৫
১.৫	57	২৯.৫	42	১.২	5	31	৮৫০	১২৭৫	১৪.৫
2	57	33	৪৮.৫	১.২	৪.২	31	৭৫০	১৫০০	১৬.৫
২.২	57	35	৫০.৫	১.২	4	30	৭০০	১৫৪০	১৭.৮
ভোল্টেজ		3000V.DC; Urms 750Vac; Us 4500V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	এইচ (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @২৫℃ @১০০KHz (A)
০.০৪৭	44	১৩.৫	২১.৫	1	22	20	২০০০	94	৮.৫
০.০৬৮	44	17	25	1	20	20	১৮০০	১২২.৪	১০.৫
০.১	44	২০.৫	২৮.৫	১.২	18	20	১৫০০	১৫০	১২.৪
০.১৫	44	26	34	১.২	16	22	১৩৫০	২০২.৫	১৩.৮
০.২২	44	29	৪১.৫	১.২	১৪.৫	22	১২০০	২৬৪	১৪.৫

ভিডিও

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমাদের লক্ষ্য হওয়া উচিত বর্তমান পণ্যের গুণমান এবং পরিষেবা একীভূত করা এবং উন্নত করা, একই সাথে পিসিবি ক্যাপাসিটরের জন্য পুনর্নবীকরণযোগ্য ডিজাইনের অনন্য গ্রাহকদের চাহিদা পূরণের জন্য ধারাবাহিকভাবে নতুন পণ্য উৎপাদন করা - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - সিআরই, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: সৌদি আরব, উগান্ডা, চেক, আমরা আমাদের গ্রাহকদের পেশাদার পরিষেবা, দ্রুত উত্তর, সময়মত ডেলিভারি, চমৎকার মানের এবং সর্বোত্তম মূল্য সরবরাহ করি। প্রতিটি গ্রাহকের সন্তুষ্টি এবং ভাল ক্রেডিট আমাদের অগ্রাধিকার। আমরা গ্রাহকদের জন্য অর্ডার প্রক্রিয়াকরণের প্রতিটি বিবরণের উপর মনোযোগ দিই যতক্ষণ না তারা ভাল লজিস্টিক পরিষেবা এবং সাশ্রয়ী মূল্যের সাথে নিরাপদ এবং সুষ্ঠু পণ্য না পায়। এর উপর নির্ভর করে, আমাদের পণ্যগুলি আফ্রিকা, মধ্য-প্রাচ্য এবং দক্ষিণ-পূর্ব এশিয়ার দেশগুলিতে খুব ভাল বিক্রি হয়। 'গ্রাহক প্রথমে, এগিয়ে যান' এই ব্যবসায়িক দর্শন মেনে, আমরা আন্তরিকভাবে দেশ-বিদেশের ক্লায়েন্টদের আমাদের সাথে সহযোগিতা করার জন্য স্বাগত জানাই।

আপস সিস্টেমের জন্য এসি-ফিল্টার

মোটরগাড়ি অ্যাপ্লিকেশনে ক্যাপাসিটার

কাস্টমাইজড ক্যাপাসিটর সলিউশন

ডিসি বাস ক্যাপাসিটর