পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য উচ্চ ক্ষমতার ক্যাপাসিটর

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স বৈশিষ্ট্যযুক্ত ইমেজ জন্য উচ্চ ক্ষমতা ক্যাপাসিটর

ছোট বিবরণ:

উচ্চ ক্ষমতার ক্যাপাসিটর DKMJ-S সিরিজ

1. অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা: +70 থেকে -45℃

2. ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা: 100uf - 20000uf

3. রেটেড ভোল্টেজ: 600VDC-4000VDC

4. সর্বোচ্চ উচ্চতা: 2000 মি

5. জীবনকাল: 100000 ঘন্টা

6. রেফারেন্স: স্ট্যান্ডার্ড: IEC61071, IEC61881

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

DKMJ-S স্পেসিফিকেশন

CRE 10 বছর ধরে হাই-পারফরম্যান্স ফিল্ম ক্যাপাসিটর প্রযুক্তি ডিজাইনে বিশ্বনেতা।আমরা 100VDC থেকে 4kVDC পর্যন্ত শুষ্ক-ক্ষত ক্যাপাসিটার তৈরি করি।CRE হাই পাওয়ারের একটি প্রধান বৈশিষ্ট্য হল নিয়ন্ত্রিত স্ব-নিরাময় প্রযুক্তি।এটি ক্যাপাসিটারগুলিকে কার্যকরভাবে ডাইলেকট্রিকের মধ্যে যেকোন মাইক্রোস্কোপিক পরিবাহী স্থানগুলিকে নিরোধক করে বিপর্যয়মূলক ব্যর্থতা ছাড়াই কাজ চালিয়ে যেতে সক্ষম করে।

যদিও পাওয়ার ফিল্ম ক্যাপাসিটরগুলি তাদের অপারেটিং লাইফ জুড়ে কার্যকরী থাকে, প্রাথমিক ক্যাপাসিট্যান্স মান প্রয়োগকৃত ভোল্টেজ এবং হট স্পট তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীল হারে হ্রাস পাবে।আমাদের স্ট্যান্ডার্ড ডিজাইনগুলি <(2-5)% ক্যাপাসিট্যান্স ক্ষয় প্রদান করে 100,000 ঘন্টার বেশি সময় নামমাত্র ভোল্টেজ এবং একটি 70ºC হট স্পট তাপমাত্রায়, যখন অ্যাপ্লিকেশন নির্দিষ্ট ডিজাইন অনুরোধে প্রদান করা যেতে পারে।ডিসি ফিল্টারিং, প্রোটেকশন, পালস ডিসচার্জ, টিউনিং, এসি ফিল্টারিং এবং স্টোরেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য CRE হাই পাওয়ার ক্যাপাসিটারের বিভিন্ন সিরিজ উপলব্ধ।

প্রযুক্তিগত তথ্য

উচ্চ শক্তি ফিল্ম ক্যাপাসিটর		তথ্য
রেটেড ক্যাপাসিট্যান্স	CN	1880μF±10%
রেটেড ভোল্টেজ	UN	2150V.DC
অ-পুনরাবৃত্ত সার্জ ভোল্টেজ	Us	3225V
সর্বাধিক বর্তমান	Iসর্বোচ্চ	240A
সর্বোচ্চ পিক স্রোত	Î	28.2KA
সর্বোচ্চ ঢেউ বর্তমান	Is	84.6KA
সিরিজ প্রতিরোধ	Rs	≤0.35mΩ
ক্ষতির স্পর্শক	ট্যানδ	0.002 (100Hz)
ক্ষতি কোণের স্পর্শক	ট্যানδ0	0.0002
স্ব-স্রাব সময় কনস্ট.	C × Ris	10000S(100VDC 60S)
স্ব-আবরণ	Le	≤29nH
তাপ সহ্য করার ক্ষমতা	Rth	0.33K/W
সর্বনিম্ন অপারেটিং তাপমাত্রা	Èমিনিট	-40°C
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা	Èসর্বোচ্চ	85C
সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা	Èস্টোরেজ	-40~85°C
চাকরি জীবন	হটস্পটে	100000 ঘন্টা(≤70°সে)
ব্যর্থতার কোটা		100 ফিট

টেস্ট ডেটা
টার্মিনালের মধ্যে ভোল্টেজ পরীক্ষা	Vtt	3225V.DC/10S
এসি ভোল্টেজ টেস্ট টার্মিনাল/কন্টেইনার	Vt-c	7000V.AC/50Hz 10S

অপারেটিং উচ্চতা		2000 মি (সর্বোচ্চ)
সর্বোচ্চ টর্ক		25Nm (সর্বোচ্চ)
ওজন		≈25 কেজি

DKMJ-S নির্বাচন টেবিল

ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 800V.DC Us 1200V Ur 200V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
4000	340	125	190	5	20.0	120	1.1	0.9	17.6
8000	340	125	350	4	32.0	180	0.72	0.6	31.2
6000	420	125	245	5	30.0	150	0.95	0.7	26.4
10000	420	125	360	4	40.0	200	0.72	0.5	৩৯.২
12000	420	235	245	4	48.0	250	0.9	0.3	49.6
20000	420	235	360	3	৬০.০	300	0.6	0.3	73.6
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 1200V.DC Us 1800V Ur 300V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
2500	340	125	190	8	20.0	120	1.1	0.9	17.6
৩৩০০	340	125	245	8	26.4	150	0.95	0.7	22.4
5000	420	125	300	7	৩৫.০	180	0.8	0.6	32.8
7500	420	125	430	5.5	41.3	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	190	8	40.0	200	1.1	0.3	32.8
10000	340	235	350	6	৬০.০	250	0.8	0.3	58.4
5000	420	235	175	8	40.0	200	1	0.4	36
7500	420	235	245	7	52.5	250	0.9	0.3	49.6
10000	420	235	300	7	70.0	250	0.8	0.3	61.6
15000	420	235	430	5	75.0	300	0.6	0.3	84
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 1500V.DC Us 2250V Ur 450V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
1200	340	125	190	10	12.0	120	1.1	0.9	17.6
3000	340	125	420	8	24.0	180	0.66	0.7	37.6
2000	420	125	245	10	20.0	150	0.95	0.7	26.4
4000	420	125	430	8	32.0	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	350	8	40.0	250	0.8	0.3	58.4
4000	420	235	245	10	40.0	250	0.9	0.3	49.6
8000	420	235	430	8	64.0	300	0.6	0.3	84
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 2000V.DC Us 3000V Ur 600V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
1000	340	125	245	12	12.0	150	0.95	0.7	22.4
1500	340	125	350	10	15.0	180	0.72	0.6	31.2
2000	420	125	360	10	20.0	200	0.72	0.5	৩৯.২
2400	420	125	430	9	21.6	200	0.66	0.6	44.8
3200	340	235	350	10	32.0	250	0.8	0.3	46.4
4000	420	235	360	10	40.0	280	0.7	0.3	58.4
4800	420	235	430	9	43.2	300	0.6	0.3	67.2
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 2200V.DC Us 3300V Ur 600V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms (A) সর্বোচ্চ	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
2000	420	235	245	12	24	150	0.9	০.৭৪০৭৪০৭৪১	40
2750	420	235	300	10	27.5	200	0.8	0.46875	49.6
3500	420	235	360	10	35	200	0.7	0.535714286	58.4
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 3000V.DC আমাদের 4500V উর 800V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms (A) সর্বোচ্চ	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
1050	420	235	245	20	21	150	0.9	০.৭৪০৭৪০৭৪১	40
1400	420	235	300	15	21	200	0.8	0.46875	49.6
1800	420	235	360	15	27	200	0.7	0.535714286	58.4
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms (A) সর্বোচ্চ	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
600	420	235	245	20	12	150	0.9	০.৭৪০৭৪০৭৪১	40
800	420	235	300	20	16	200	0.8	0.46875	49.6
1000	420	235	360	20	20	200	0.7	0.535714286	58.4
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 2800V.DC আমাদের 4200V উর 800V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
2×1000	560	190	310	20	2×20	2×350	1	0.2	60
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 3200V.DC Us 4800V Ur 900V
Cn (μF)	ওয়াট (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
2×1200	340	175	950	15	2×18	2×200	1.0	0.5	95