ভালো মানের এসি ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটর

ছোট বিবরণ:

Fখাওয়া:

১: মাইলার টেপ প্যাকেজ, রজন দিয়ে সিল করা;
2: তামার বাদামের সীসা, ছোট আকার, সহজ ইনস্টলেশন;

3: বৃহৎ ক্ষমতা, ছোট আকার;

৪: উচ্চ ভোল্টেজের প্রতিরোধ, স্ব-নিরাময় সহ;

৫: উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +85 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +70 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	৫μF~৫০μF
আন/ রেটেড ভোল্টেজ আন	৩৩০V.AC/৫০Hz~৬৯০V.AC/৫০Hz
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);
ভোল্টেজ সহ্য করুন	ভিটি-টি	২.১৫ইউ_N/১০ সেকেন্ড
	ভিটি-সি	১০০০+২*ইউ_N(সর্বনিম্ন ২০০০)V.AC) ৬০ সেকেন্ড
ওভার ভোল্টেজ	১.১ইউ_N(অন-লোড-ডুরের ৩০%।)
	১.১৫ইউ_N(৩০ মিনিট/দিন)
	১.২ইউ_N(৫ মিনিট/দিন)
	১.৩ইউ_N(১ মিনিট/দিন)
	১.৫ইউ_N(প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবদ্দশায় ১০০০ বার)
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.002 f=1KHz
	tgδ0≤0.0002
অন্তরণ প্রতিরোধের	আরএস*সি≥৫০০০সে (২০℃ ১০০ভি.ডিসি ৬০সে)
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤55 °C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি 61071; আইইসি 60831;

বৈশিষ্ট্য

1. মাইলার টেপ প্যাকেজ, রজন দিয়ে সিল করা;
2. তামার বাদামের সীসা, ছোট আকার, সহজ ইনস্টলেশন;
3. বড় ক্ষমতা, ছোট আকার;
৪. উচ্চ ভোল্টেজের প্রতিরোধ, স্ব-নিরাময় সহ;
৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।

ইনস্টলেশন কেস

আবেদন

1. এসি ফিল্টারের জন্য ব্যবহৃত পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

2. উচ্চ-ক্ষমতার ইউপিএস-এ, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, এসি/ডিসি কনভার্টার এবং ইনভার্টার (ড্রাইভ) এবং এসি ফিল্টারের জন্য অন্যান্য সরঞ্জাম, হারমোনিক্স এবং পাওয়ার ফ্যাক্টর নিয়ন্ত্রণ উন্নত করে।

আয়ুষ্কাল

এমসি৩

রূপরেখা অঙ্কন

বছর

ভোল্টেজ	(অন = ৩৩০ ভোল্ট.এসি)
ক্যাপাসিট্যান্স	φD (মিমি)	এল (মিমি)	ESR @১০KHz (mΩ))	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	তাপমাত্রা (৪০ ℃ @১০ কেজি হার্জ)
৬.৮	35	40	৯.৪	27	১০০	৬৮০	30
8	38	40	৮.০	25	80	৬৪০	35
10	42	40	৬.৪	25	75	৭৫০	40
15	51	40	৫.৩	28	70	১০৫০	48
20	59	40	৪.০	23	65	১৩০০	55
30	71	40	২.৭	27	60	১৮০০	68
40	74	50	২.০	26	55	২২০০	70
50	82	50	১.৬	25	50	২৫০০	75

ভোল্টেজ	(Un=450V.AC)
ক্যাপাসিট্যান্স	φD (মিমি)	এল (মিমি)	ESR @১০KHz (mΩ))	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	তাপমাত্রা (৪০ ℃ @১০ কেজি হার্জ)
৬.৮	35	40	৯.৪	27	১০০	৬৮০	30
8	38	40	৮.০	25	80	৬৪০	35
10	42	40	৬.৪	25	75	৭৫০	40
15	51	40	৫.৩	28	70	১০৫০	48
20	59	40	৪.০	23	65	১৩০০	55
30	71	40	২.৭	27	60	১৮০০	68
40	74	50	২.০	26	55	২২০০	70
50	82	50	১.৬	25	50	২৫০০	75

ভোল্টেজ	(অন = ৬৯০ ভোল্ট.এসি)
ক্যাপাসিট্যান্স	φD (মিমি)	এল (মিমি)	ESR @১০KHz (mΩ))	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	তাপমাত্রা (৪০ ℃ @১০ কেজি হার্জ)
5	35	60	৯.৬	27	১৮০	৯০০	30
৬.৮	40	60	৭.০	26	১৫০	১০২০	35
8	44	60	৭.০	25	১২০	৯৬০	38
10	49	60	৬.৪	26	১১০	১১০০	45
15	59	60	৪.২	23	১০০	১৫০০	55
20	68	60	৩.২	25	90	১৮০০	62
25	76	60	২.৫	22	80	২০০০	70
30	83	60	২.১	23	80	২৪০০	75