কারখানায় বিশেষভাবে তৈরি উচ্চ ক্ষমতার অনুরণনকারী ক্যাপাসিটর - ROHS এবং REACH অনুবর্তী অ্যাক্সিয়াল স্নাবার ক্যাপাসিটর SMJ-TE – CRE

ফ্যাক্টরিতে বিশেষভাবে তৈরি উচ্চ ক্ষমতার রেজোনেন্ট ক্যাপাসিটর - ROHS এবং REACH অনুবর্তী অ্যাক্সিয়াল স্নাবার ক্যাপাসিটর SMJ-TE – CRE বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রতিক্রিয়া (2)

আমাদের বৃহৎ কর্মদক্ষতা ও রাজস্ব দলের প্রত্যেক সদস্য গ্রাহকদের চাহিদা এবং কোম্পানির যোগাযোগকে গুরুত্ব দেন।এসি পাওয়ার কনভার্টারের জন্য এসি ফিল্টার , শিল্প ক্যাপাসিটর বিক্রয়ের জন্য , কোষ প্রসারকের জন্য ধাতব ফিল্ম ক্যাপাসিটরসর্বাগ্রে গ্রাহকগণ! আপনার যা প্রয়োজন, আমরা আপনাকে সাহায্য করার জন্য আমাদের সর্বোচ্চ চেষ্টা করব। পারস্পরিক উন্নতির জন্য আমাদের সাথে সহযোগিতা করতে আমরা সারা বিশ্বের সম্ভাব্য গ্রাহকদের আন্তরিকভাবে স্বাগত জানাই।

ফ্যাক্টরি দ্বারা কাস্টমাইজড উচ্চ ক্ষমতার রেজোনেন্ট ক্যাপাসিটর - ROHS এবং REACH অনুবর্তী অ্যাক্সিয়াল স্নাবার ক্যাপাসিটর SMJ-TE – CRE বিবরণ:

এসএমজে-টিই সিরিজ

ধাতব পলিপ্রোপিলিন ফিল্ম স্নাবার ক্যাপাসিটর

সেলফ-হিলিং, ড্রাই-টাইপ, স্নাবার ক্যাপাসিটর এলিমেন্টগুলো বিশেষভাবে প্রোফাইল করা, ওয়েভ-কাট মেটালাইজড পিপি ফিল্ম ব্যবহার করে তৈরি করা হয়, যা কম সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স, উচ্চ রাপচার রেজিস্ট্যান্স এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। অতিরিক্ত চাপে সংযোগ বিচ্ছিন্ন করাকে প্রয়োজনীয় বলে মনে করা হয় না। ক্যাপাসিটরের উপরিভাগ স্ব-নির্বাপক পরিবেশ-বান্ধব ইপোক্সি দিয়ে সিল করা থাকে। এর বিশেষ ডিজাইন অত্যন্ত কম সেলফ-ইন্ডাকট্যান্স নিশ্চিত করে।

IMG_0953.HEIC

স্পেসিফিকেশন টেবিল

SMJ-TE অক্ষীয় ক্যাপাসিটর
ভোল্টেজ		Un630V.DC; Urms400Vac; Us 945V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.২২	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	16	23	৩০০	66	৫.৩
০.৩৩	32	12	20	1	13	22	২০০	66	৬.৫
০.৪৭	32	১৪.৫	২২.৫	1	11	21	২২০	১০৩.৪	৮.৩
০.৬৮	32	18	26	1	10	20	১৮০	১২২.৪	৯.৫
1	37	11	19	1	8	28	১৫০	১৫০	৭.৬
১.৫	37	১৩.৫	২১.৫	1	7	27	১৫০	২২৫	৯.৫
2	37	16	24	১.২	6	24	১৩০	২৬০	১০.২
২.৫	37	18	26	১.২	৫.৫	25	১২০	৩০০	১০.৫
3	37	20	28	১.২	5	30	১১০	৩৩০	১০.৮
৩.৩	37	21	29	১.২	৪.৫	30	১১০	৩৬৩	১১.২
4	57	27	৩৬.৫	১.২	৪.২	32	২২০	৮৮০	১২.৮
৪.৭	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৮	32	২০০	৯৪০	১৩.৮
৫.৬	57	31	৩৩.৫	১.২	৩.৫	32	১৮৫	১০৩৬	১৩.৫
৬.৮	37	29	৪১.৫	১.২	২.৫	28	১০০	৬৮০	১৩.৮
৬.৮	57	34	৪৬.৫	১.২	২.৮	30	১৮০	১২২৪	১৪.২
ভোল্টেজ		ইউএন ১০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৫০০ভি.এসি; ইউএস ১৫০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১৫	32	10	১৭.৫	০.৮	20	20	১১০০	১৬৫	৫.৫
০.২২	32	12	20	1	15	21	১০০০	২২০	৭.৩
০.৩৩	32	১৫.৫	23	1	13	21	১০০০	৩৩০	৮.৭
০.৪৭	32	১৮.৫	26	১.২	10	23	১০০০	৪৭০	১০.৫
০.৪৭	44	14	22	১.২	9	24	৯০০	৪২৩	৯.৫
০.৬৮	32	20	৩২.৫	১.২	7	25	৯০০	৬১২	১০.৮
০.৬৮	44	17	25	১.২	6	26	৮০০	৫৪৪	১০.২
1	44	২১.৫	২৯.৫	১.২	৫.৬	27	৯০০	৯০০	11
১.৫	44	26	৩৫.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	12
১.৫	57	21	29	১.২	5	30	৭০০	১০৫০	১২.২
2	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	30	৮০০	১৬০০	১৩.২
2	57	24	৩৩.৫	১.২	৪.৮	32	৬০০	১২০০	১২.৮
২.২	44	30	৪২.৫	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৩.৮
২.২	57	25	৩৪.৫	১.২	৪.২	32	৫০০	১১০০	১৩.৫
২.৫	57	25	38	১.২	4	33	৫০০	১২৫০	১৪.২
3	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৫	34	৪৮০	১৪৪০	১৫.৬
৩.৩	57	২৯.৫	42	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৪৮৫	১৬.৫
৩.৫	57	৩০.৫	43	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৫৭৫	১৭.২
৪.৭	57	35	৫০.৫	১.২	3	36	৪২০	১৯৭৪ সালে	১৭.৮
৫.৬	57	৩৮.৫	65	১.২	২.৮	38	৪০০	২২৪০	১৮.২
ভোল্টেজ		জাতিসংঘ ১২০০ ভোল্ট ডিসি; যুক্তরাজ্য ৫৫০ ভোল্ট এসি; যুক্তরাষ্ট্র ১৮০০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১	32	৮.৫	16	০.৮	20	20	১৩০০	১৩০	6
০.১৫	32	10	১৭.৫	1	18	20	১২০০	১৮০	৭.৫
০.২২	32	13	21	1	15	22	১২০০	২৬৪	৮.৩
০.৩৩	32	16	24	1	12	23	১২০০	৩৯৬	9
০.৪৭	32	১৭.৫	30	১.২	10	23	১২০০	৫৬৪	৯.৫
০.৪৭	44	15	23	১.২	9	26	১১০০	৫১৭	৯.৮
০.৬৮	32	২১.৫	34	১.২	8	25	১১০০	৫১৭	10
০.৬৮	44	১৮.৫	২৬.৫	১.২	6	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
1	44	23	31	১.২	5	28	১০০০	১০০০	১২.৪
১.৫	44	২৬.৫	39	১.২	5	30	৯৫০	১৪২৫	১৩.৫
১.৫	57	২২.৫	৩০.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	১২.৬
2	44	29	45	১.২	5	30	৮০০	১৬০০	১৪.২
2	57	২৬.৫	৩৪.৫	১.২	৪.৮	30	৭৫০	১৫০০	১৩.৮
২.২	44	31	47	১.২	৪.২	32	৮০০	১৭৬০	১৪.৫
২.২	57	২৭.৫	৩৫.৫	১.২	৪.২	35	৭০০	১৫৪০	১৪.৫
3	57	29	৪৪.৫	১.২	৩.২	37	৫০০	১৫০০	১৭.২
৩.৩	57	৩০.৫	46	১.২	৩.২	38	৪৫০	১৪৮৫	১৭.৮
৪.৭	57	38	৫৩.৫	১.২	3	38	৪২০	১৯৭৪ সালে	১৮.২
ভোল্টেজ		জাতিসংঘ ১৭০০ ভোল্ট ডিসি; যুক্তরাজ্য ৬০০ ভোল্ট এসি; যুক্তরাষ্ট্র ২৫৫০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	18	25	১৩০০	১৩০	৭.৫
০.১৫	32	12	20	1	16	24	১২০০	১৮০	৮.৫
০.২২	32	15	23	1	15	24	১২০০	২৬৪	৯.৩
০.৩৩	32	১৮.৫	২৬.৫	1	12	22	১২০০	৩৯৬	৯.৯
০.৩৩	44	১৩.৫	২১.৫	১.২	12	29	১১০০	৩৬৩	১০.২
০.৪৭	44	16	24	১.২	9	28	১০০০	৪৭০	১১.২
০.৬৮	44	20	28	১.২	8	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
1	44	24	৩৩.৫	১.২	৫.৬	26	৯০০	৯০০	১২.৪
1	57	১৯.৫	২৭.৫	১.২	6	33	৮৫০	৮৫০	১০.৮
১.৫	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	25	৮০০	১২০০	১৩.৫
১.৫	57	24	32	১.২	5	33	৭৫০	১১২৫	১৩.৫
2	44	৩১.৫	47	১.২	৪.৫	24	৭৫০	১৫০০	১৪.২
2	57	২৭.৫	37	১.২	৪.৮	32	৬৫০	১৩০০	১২.৮
২.২	44	৩৩.৫	49	১.২	৪.৫	34	৭০০	১৫৪০	১৫.৬
২.২	57	29	40	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৪.৫
3	57	31	৪৬.৫	১.২	4	30	৫৬০	১৬৮০	১৭.২
৩.৩	57	33	৪৮.৫	১.২	৩.২	29	৫০০	১৬৫০	১৭.৬
4	57	37	৫২.৫	১.২	3	28	৪৫০	১৮০০	১৮.২
ভোল্টেজ		ইউএন ২০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৭০০ভিএসি; ইউএস ৩০০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.০৬৮	32	9	17	০.৮	25	23	১৫০০	১০২	৬.৯
০.১	32	১১.৫	১৯.৫	1	18	22	১৫০০	১৫০	৮.২
০.১	37	১০.৫	১৮.৫	1	18	26	১৪৫০	১৪৫	8
০.২২	32	১৭.৫	২৫.৫	১.২	15	21	১৪০০	৩০৮	৯.১
০.২২	37	16	24	১.২	15	25	১৩০০	২৮৬	9
০.৩৩	37	20	28	১.২	12	24	১২৫০	৪১২.৫	৯.৫
০.৩৩	44	18	26	১.২	12	30	১২০০	৩৯৬	১০.২
০.৪৭	44	১৯.৫	32	১.২	10	29	১১০০	৫১৭	১২.৪
০.৬৮	44	24	৩৬.৫	১.২	8	28	১০০০	৬৮০	১৪.২
০.৬৮	57	১৮.৫	31	১.২	8	27	৯০০	৬১২	১৪.২
1	57	২৩.৫	36	১.২	6	31	৯৫০	৯৫০	১৪.৫
১.৫	57	২৯.৫	42	১.২	5	31	৮৫০	১২৭৫	১৪.৫
2	57	33	৪৮.৫	১.২	৪.২	31	৭৫০	১৫০০	১৬.৫
২.২	57	35	৫০.৫	১.২	4	30	৭০০	১৫৪০	১৭.৮
ভোল্টেজ		ইউএন ৩০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৭৫০ভিএসি; ইউএস ৪৫০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.০৪৭	44	১৩.৫	২১.৫	1	22	20	২০০০	94	৮.৫
০.০৬৮	44	17	25	1	20	20	১৮০০	১২২.৪	১০.৫
০.১	44	২০.৫	২৮.৫	১.২	18	20	১৫০০	১৫০	১২.৪
০.১৫	44	26	34	১.২	16	22	১৩৫০	২০২.৫	১৩.৮
০.২২	44	29	৪১.৫	১.২	১৪.৫	22	১২০০	২৬৪	১৪.৫

ভিডিও

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমরা আমাদের ক্রেতাদের আদর্শ উচ্চ মানের পণ্য এবং উচ্চ স্তরের পরিষেবা দিয়ে সহায়তা করি। এই খাতে বিশেষজ্ঞ প্রস্তুতকারক হিসেবে, আমরা কারখানার জন্য কাস্টমাইজড হাই পাওয়ার রেজোনেন্ট ক্যাপাসিটর - ROHS এবং REACH অনুবর্তী অ্যাক্সিয়াল স্নাবার ক্যাপাসিটর SMJ-TE – CRE উৎপাদন ও ব্যবস্থাপনায় সমৃদ্ধ বাস্তব অভিজ্ঞতা অর্জন করেছি। এই পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হয়, যেমন: রোমান, সংযুক্ত আরব আমিরাত, সুইডেন। আমাদের সমাধানগুলো জাতীয় দক্ষ সার্টিফিকেশন অর্জন করেছে এবং আমাদের মূল শিল্পে ব্যাপকভাবে সমাদৃত হয়েছে। আমাদের বিশেষজ্ঞ প্রকৌশলী দল পরামর্শ এবং মতামতের জন্য আপনাকে পরিষেবা দিতে সর্বদা প্রস্তুত থাকবে। আপনার প্রয়োজন মেটাতে আমরা আপনাকে বিনামূল্যে নমুনাও সরবরাহ করতে সক্ষম। আপনাকে সর্বোত্তম পরিষেবা এবং সমাধান দেওয়ার জন্য সর্বাত্মক প্রচেষ্টা করা হবে। যারা আমাদের ব্যবসা এবং সমাধানগুলো বিবেচনা করছেন, তারা অনুগ্রহ করে আমাদের ইমেল পাঠিয়ে বা সরাসরি আমাদের সাথে যোগাযোগ করে কথা বলুন। আমাদের পণ্য এবং প্রতিষ্ঠান সম্পর্কে আরও জানতে, আপনি আমাদের কারখানায় এসে তা দেখতে পারেন। আমাদের সাথে ব্যবসায়িক সম্পর্ক গড়ে তুলতে আমরা বিশ্বজুড়ে অতিথিদের সর্বদা স্বাগত জানাই। ক্ষুদ্র ব্যবসার জন্য আমাদের সাথে নির্দ্বিধায় যোগাযোগ করুন এবং আমরা বিশ্বাস করি যে আমরা আমাদের সকল ব্যবসায়ীদের সাথে সর্বোত্তম ব্যবসায়িক অভিজ্ঞতা ভাগ করে নেব।

ফিল্টারিংয়ের জন্য এসি ক্যাপাসিটার

উইন্ড পাওয়ার ইনভার্টারের জন্য কাস্টমাইজড ক্যাপাসিটর

বিদ্যুৎ সঞ্চালনের জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর

উচ্চ কারেন্ট রেজিস্ট্যান্স ফিল্ম ক্যাপাসিটর

উচ্চ ডিভি/ডিটি প্রতিরোধকারী জিটিও স্নাবার

উচ্চ কর্মক্ষমতা সম্পন্ন ফিল্ম ক্যাপাসিটর

উচ্চ ক্ষমতার ক্যাপাসিটর ব্যাংক

ইনভার্টার ক্যাপাসিটর

কম শক্তি ক্ষয় আবেশন তাপ ক্যাপাসিটর

পাওয়ার কনভার্টার ক্যাপাসিটর

পারস্পরিক সুবিধার ব্যবসায়িক নীতি মেনে চলার ফলে আমাদের লেনদেনটি আনন্দদায়ক ও সফল হয়েছে এবং আমরা মনে করি আমরা সেরা ব্যবসায়িক অংশীদার হতে পারব।

লিখেছেন লিভারপুলের জ্যানেট - ২২.১২.২০১৮ ১২:৫২

এই কোম্পানিটি পণ্যের পরিমাণ এবং সরবরাহের সময়ের ব্যাপারে আমাদের চাহিদা ভালোভাবে মেটাতে পারে, তাই আমাদের ক্রয়ের প্রয়োজন হলে আমরা সবসময় তাদেরকেই বেছে নিই।

লিখেছেন জোয়া, কানাডা থেকে - ২০১৭.১২.১৯ ১১:১০