চীনা পাইকারি উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন এসি ফিল্টারিং ক্যাপাসিটর - অ্যাক্সিয়াল জিটিও স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা আমাদের সম্মানিত ক্রেতাদের জন্য সবচেয়ে আন্তরিক ও বিবেচনামূলক সমাধান প্রদানে নিজেদের উৎসর্গ করব।পাওয়ার ইলেকট্রনিক এসি ক্যাপাসিটর , হারমোনিক বিকৃতি ফিল্টার করার জন্য এসি ক্যাপাসিটর , উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি ক্যাপাসিটরআমাদের পণ্যগুলো ব্যবহারকারীদের কাছে ব্যাপকভাবে স্বীকৃত ও বিশ্বস্ত এবং তা ক্রমাগত বিকশিত অর্থনৈতিক ও সামাজিক চাহিদা মেটাতে সক্ষম।

চীনা পাইকারি উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন এসি ফিল্টারিং ক্যাপাসিটর - অ্যাক্সিয়াল জিটিও স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই বিবরণ:

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +৮৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	০.১μF～৫.৬μF
রেট করা ভোল্টেজ	৬৩০ ভোল্ট ডিসি থেকে ২০০০ ভোল্ট ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	১.৫ইউএন ডিসি/১০এস
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
নিরোধক প্রতিরোধ	C≤০.৩৩μF RS≥১৫০০০ MΩ (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
স্ট্রাইক কারেন্ট প্রতিরোধ করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি ৬১০৭১; আইইসি ৬১৮৮১; জিবি/টি১৭৭০২

আবেদন

১. আইজিবিটি স্নাবার।

২. পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে সর্বোচ্চ ভোল্টেজ ও সর্বোচ্চ কারেন্ট শোষণ সুরক্ষা প্রদানের জন্য এটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

রূপরেখা অঙ্কন

SMJ-TE অক্ষীয় ক্যাপাসিটর
ভোল্টেজ		Un630V.DC; Urms400Vac; Us 945V

ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.২২	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	16	23	৩০০	66	৫.৩
০.৩৩	32	12	20	১	13	22	২০০	66	৬.৫
০.৪৭	32	১৪.৫	২২.৫	১	11	21	২২০	১০৩.৪	৮.৩
০.৬৮	32	18	26	১	10	20	১৮০	১২২.৪	৯.৫
১	37	11	19	১	8	28	১৫০	১৫০	৭.৬
১.৫	37	১৩.৫	২১.৫	১	7	27	১৫০	২২৫	৯.৫
2	37	16	24	১.২	6	24	১৩০	২৬০	১০.২
২.৫	37	18	26	১.২	৫.৫	25	১২০	৩০০	১০.৫
3	37	20	28	১.২	5	30	১১০	৩৩০	১০.৮
৩.৩	37	21	29	১.২	৪.৫	30	১১০	৩৬৩	১১.২
4	57	27	৩৬.৫	১.২	৪.২	32	২২০	৮৮০	১২.৮
৪.৭	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৮	32	২০০	৯৪০	১৩.৮
৫.৬	57	31	৩৩.৫	১.২	৩.৫	32	১৮৫	১০৩৬	১৩.৫
৬.৮	37	29	৪১.৫	১.২	২.৫	28	১০০	৬৮০	১৩.৮
৬.৮	57	34	৪৬.৫	১.২	২.৮	30	১৮০	১২২৪	১৪.২

ভোল্টেজ			ইউএন ১০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৫০০ভি.এসি; ইউএস ১৫০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১৫	32	10	১৭.৫	০.৮	20	20	১১০০	১৬৫	৫.৫
০.২২	32	12	20	১	15	21	১০০০	২২০	৭.৩
০.৩৩	32	১৫.৫	23	১	13	21	১০০০	৩৩০	৮.৭
০.৪৭	32	১৮.৫	26	১.২	10	23	১০০০	৪৭০	১০.৫
০.৪৭	44	14	22	১.২	9	24	৯০০	৪২৩	৯.৫
০.৬৮	32	20	৩২.৫	১.২	7	25	৯০০	৬১২	১০.৮
০.৬৮	44	17	25	১.২	6	26	৮০০	৫৪৪	১০.২
১	44	২১.৫	২৯.৫	১.২	৫.৬	27	৯০০	৯০০	11
১.৫	44	26	৩৫.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	12
১.৫	57	21	29	১.২	5	30	৭০০	১০৫০	১২.২
2	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	30	৮০০	১৬০০	১৩.২
2	57	24	৩৩.৫	১.২	৪.৮	32	৬০০	১২০০	১২.৮
২.২	44	30	৪২.৫	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৩.৮
২.২	57	25	৩৪.৫	১.২	৪.২	32	৫০০	১১০০	১৩.৫
২.৫	57	25	38	১.২	4	33	৫০০	১২৫০	১৪.২
3	57	28	৪০.৫	১.২	৩.৫	34	৪৮০	১৪৪০	১৫.৬
৩.৩	57	২৯.৫	42	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৪৮৫	১৬.৫
৩.৫	57	৩০.৫	43	১.২	৩.২	35	৪৫০	১৫৭৫	১৭.২
৪.৭	57	35	৫০.৫	১.২	3	36	৪২০	১৯৭৪ সালে	১৭.৮
৫.৬	57	৩৮.৫	65	১.২	২.৮	38	৪০০	২২৪০	১৮.২

ভোল্টেজ			জাতিসংঘ ১২০০ ভোল্ট ডিসি; যুক্তরাজ্য ৫৫০ ভোল্ট এসি; যুক্তরাষ্ট্র ১৮০০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১	32	৮.৫	16	০.৮	20	20	১৩০০	১৩০	6
০.১৫	32	10	১৭.৫	১	18	20	১২০০	১৮০	৭.৫
০.২২	32	13	21	১	15	22	১২০০	২৬৪	৮.৩
০.৩৩	32	16	24	১	12	23	১২০০	৩৯৬	9
০.৪৭	32	১৭.৫	30	১.২	10	23	১২০০	৫৬৪	৯.৫
০.৪৭	44	15	23	১.২	9	26	১১০০	৫১৭	৯.৮
০.৬৮	32	২১.৫	34	১.২	8	25	১১০০	৫১৭	10
০.৬৮	44	১৮.৫	২৬.৫	১.২	6	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
১	44	23	31	১.২	5	28	১০০০	১০০০	১২.৪
১.৫	44	২৬.৫	39	১.২	5	30	৯৫০	১৪২৫	১৩.৫
১.৫	57	২২.৫	৩০.৫	১.২	5	29	৯০০	১৩৫০	১২.৬
2	44	29	45	১.২	5	30	৮০০	১৬০০	১৪.২
2	57	২৬.৫	৩৪.৫	১.২	৪.৮	30	৭৫০	১৫০০	১৩.৮
২.২	44	31	47	১.২	৪.২	32	৮০০	১৭৬০	১৪.৫
২.২	57	২৭.৫	৩৫.৫	১.২	৪.২	35	৭০০	১৫৪০	১৪.৫
3	57	29	৪৪.৫	১.২	৩.২	37	৫০০	১৫০০	১৭.২
৩.৩	57	৩০.৫	46	১.২	৩.২	38	৪৫০	১৪৮৫	১৭.৮
৪.৭	57	38	৫৩.৫	১.২	3	38	৪২০	১৯৭৪ সালে	১৮.২

ভোল্টেজ			জাতিসংঘ ১৭০০ ভোল্ট ডিসি; যুক্তরাজ্য ৬০০ ভোল্ট এসি; যুক্তরাষ্ট্র ২৫৫০ ভোল্ট
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.১	32	৯.৫	১৭.৫	০.৮	18	25	১৩০০	১৩০	৭.৫
০.১৫	32	12	20	১	16	24	১২০০	১৮০	৮.৫
০.২২	32	15	23	১	15	24	১২০০	২৬৪	৯.৩
০.৩৩	32	১৮.৫	২৬.৫	১	12	22	১২০০	৩৯৬	৯.৯
০.৩৩	44	১৩.৫	২১.৫	১.২	12	29	১১০০	৩৬৩	১০.২
০.৪৭	44	16	24	১.২	9	28	১০০০	৪৭০	১১.২
০.৬৮	44	20	28	১.২	8	27	১০০০	৬৮০	১১.৭
১	44	24	৩৩.৫	১.২	৫.৬	26	৯০০	৯০০	১২.৪
১	57	১৯.৫	২৭.৫	১.২	6	33	৮৫০	৮৫০	১০.৮
১.৫	44	28	৪০.৫	১.২	৪.৮	25	৮০০	১২০০	১৩.৫
১.৫	57	24	32	১.২	5	33	৭৫০	১১২৫	১৩.৫
2	44	৩১.৫	47	১.২	৪.৫	24	৭৫০	১৫০০	১৪.২
2	57	২৭.৫	37	১.২	৪.৮	32	৬৫০	১৩০০	১২.৮
২.২	44	৩৩.৫	49	১.২	৪.৫	34	৭০০	১৫৪০	১৫.৬
২.২	57	29	40	১.২	৪.২	32	৬০০	১৩২০	১৪.৫
3	57	31	৪৬.৫	১.২	4	30	৫৬০	১৬৮০	১৭.২
৩.৩	57	33	৪৮.৫	১.২	৩.২	29	৫০০	১৬৫০	১৭.৬
4	57	37	৫২.৫	১.২	3	28	৪৫০	১৮০০	১৮.২

ভোল্টেজ			ইউএন ২০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৭০০ভিএসি; ইউএস ৩০০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.০৬৮	32	9	17	০.৮	25	23	১৫০০	১০২	৬.৯
০.১	32	১১.৫	১৯.৫	১	18	22	১৫০০	১৫০	৮.২
০.১	37	১০.৫	১৮.৫	১	18	26	১৪৫০	১৪৫	8
০.২২	32	১৭.৫	২৫.৫	১.২	15	21	১৪০০	৩০৮	৯.১
০.২২	37	16	24	১.২	15	25	১৩০০	২৮৬	9
০.৩৩	37	20	28	১.২	12	24	১২৫০	৪১২.৫	৯.৫
০.৩৩	44	18	26	১.২	12	30	১২০০	৩৯৬	১০.২
০.৪৭	44	১৯.৫	32	১.২	10	29	১১০০	৫১৭	১২.৪
০.৬৮	44	24	৩৬.৫	১.২	8	28	১০০০	৬৮০	১৪.২
০.৬৮	57	১৮.৫	31	১.২	8	27	৯০০	৬১২	১৪.২
১	57	২৩.৫	36	১.২	6	31	৯৫০	৯৫০	১৪.৫
১.৫	57	২৯.৫	42	১.২	5	31	৮৫০	১২৭৫	১৪.৫
2	57	33	৪৮.৫	১.২	৪.২	31	৭৫০	১৫০০	১৬.৫
২.২	57	35	৫০.৫	১.২	4	30	৭০০	১৫৪০	১৭.৮

ভোল্টেজ			ইউএন ৩০০০ভি.ডিসি; ইউআরএমএস ৭৫০ভিএসি; ইউএস ৪৫০০ভি
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	L (মিমি±১)	টি (মিমি±১)	H (মিমি±১)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @২৫℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.০৪৭	44	১৩.৫	২১.৫	১	22	20	২০০০	94	৮.৫
০.০৬৮	44	17	25	১	20	20	১৮০০	১২২.৪	১০.৫
০.১	44	২০.৫	২৮.৫	১.২	18	20	১৫০০	১৫০	১২.৪
০.১৫	44	26	34	১.২	16	22	১৩৫০	২০২.৫	১৩.৮
০.২২	44	29	৪১.৫	১.২	১৪.৫	22	১২০০	২৬৪	১৪.৫

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমাদের উচ্চ-দক্ষ বিক্রয় দলের প্রতিটি সদস্য গ্রাহকদের চাহিদা এবং ব্যবসায়িক যোগাযোগকে গুরুত্ব দেন। চীনা পাইকারি উচ্চ-কর্মক্ষমতাসম্পন্ন এসি ফিল্টারিং ক্যাপাসিটর - অ্যাক্সিয়াল জিটিও স্নাবার ক্যাপাসিটর – সিআরই (CRE) এর ক্ষেত্রে, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: সেশেলস, জেদ্দা, পাকিস্তান। সভাপতি এবং কোম্পানির সকল সদস্য গ্রাহকদের জন্য মানসম্পন্ন পণ্য ও পরিষেবা প্রদান করতে আগ্রহী এবং একটি উজ্জ্বল ভবিষ্যতের জন্য সকল দেশি ও বিদেশি গ্রাহকদের আন্তরিকভাবে স্বাগত জানান ও তাদের সাথে সহযোগিতা করতে ইচ্ছুক।

এসি ফিল্টার পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

কোষ প্রসারকের জন্য ক্যাপাসিটর

শীতলীকরণ শক্তি ক্যাপাসিটার

ডিসি ফিল্টার ক্যাপাসিটর

ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টারের জন্য ডিসি-লিঙ্ক ক্যাপাসিটর

ইভি ক্যাপাসিটর

শক্তি সঞ্চয় রূপান্তরকারীতে ফিল্ম ক্যাপাসিটরের ব্যবহার

ডিফিব্রিলেটরে ব্যবহৃত ফিল্ম ক্যাপাসিটর

পাওয়ার ইলেকট্রনিক ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ওয়্যারলেস চার্জিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অনুনাদী ক্যাপাসিটর

আমরা চীনা উৎপাদনের প্রশংসা করে আসছি, এবারও তারা আমাদের হতাশ করেনি, চমৎকার কাজ!

ব্রুনাই থেকে নাওমি - ২৫.১২.২০১৮ ১২:৪৩

কোম্পানির অ্যাকাউন্ট ম্যানেজারের এই শিল্পক্ষেত্রে ব্যাপক জ্ঞান ও অভিজ্ঞতা রয়েছে, তিনি আমাদের প্রয়োজন অনুযায়ী উপযুক্ত প্রোগ্রাম সরবরাহ করতে পারেন এবং অনর্গল ইংরেজি বলতে পারেন।

অ্যাডিলেড থেকে অ্যালবার্টের লেখা - ১১.১২.২০১৮ ১৪:১৩