উইন্ড পাওয়ার ইনভার্টার ক্যাপাসিটরের জন্য চীনের কারখানা - উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য কাস্টমাইজড ড্রাই ফিল্ম ক্যাপাসিটর ডিজাইন – সিআরই
উইন্ড পাওয়ার ইনভার্টার ক্যাপাসিটরের জন্য চীনের কারখানা - উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য কাস্টমাইজড ড্রাই ফিল্ম ক্যাপাসিটর ডিজাইন – সিআরই বিবরণ:
আমাদের শক্তি
১. সিআরই (CRE) আকার, ওজন ও খরচ কমানোর পাশাপাশি শক্তির ঘনত্ব, নির্ভরযোগ্যতা ও কার্যকারিতা বাড়ানোর জন্য ক্রমাগত উন্নয়ন করে চলেছে।
২. একজন পেশাদার ফিল্ম ক্যাপাসিটর ডিজাইনার হিসেবে, আমরা একটি নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ক্যাপাসিটরের কর্মক্ষমতার বৈশিষ্ট্যগুলোকে সর্বোত্তম করতে ফিল্ম/সেগমেন্টেড ফিল্ম উপকরণ এবং কৌশল প্রয়োগ করি।
৩. বহু বছরের অভিজ্ঞতার আলোকে, সিআরই বিশ্বজুড়ে আমাদের গ্রাহকদের জন্য উদ্ভাবনী ক্যাপাসিটর সমাধান তৈরি করে চলেছে।
প্রযুক্তিগত তথ্য
| কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর | সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা: +৭০℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৬০℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃ | |
| ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর | ১০০μF～২০০০০μF | |
| রেটেড ভোল্টেজ | ৬০০ভি.ডিসি～৪০০০ভি.ডিসি | |
| ক্যাপাসিট্যান্স সহনশীলতা | ±৫%(J);±১০%(K) | |
| সহনশীল ভোল্টেজ | ভিটি-টি | ১.৫ইউএন ডিসি/৬০এস |
| ভিটি-সি | 1000+2×Un/√2 （V.AC） 60S(min 3000 V.AC) | |
| ওভার ভোল্টেজ | ১.১ ইউনিট (অন-লোড চলাকালীন ৩০%) | |
| ১.১৫ মিনিট (প্রতিদিন ৩০ মিনিট) | ||
| ১.২ আন (প্রতিদিন ৫ মিনিট) | ||
| ১.৩ আন (১ মিনিট/দিন) | ||
| ১.৫ আন (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবনকালে ১০০০ বার) | ||
| অপচয় ফ্যাক্টর | tgδ≤0.003 f=100Hz | |
| tgδ0≤0.0002 | ||
| ইএসএল | ＜১৫০ NH | |
| শিখা মন্দন | UL94V-0 | |
| সর্বোচ্চ উচ্চতা | ২০০০ মিটার | |
| যখন উচ্চতা ২০০০ মিটারের উপরে থেকে ৫০০০ মিটারের নিচে থাকে, তখন এর ব্যবহার কমিয়ে আনার বিষয়টি বিবেচনা করা প্রয়োজন। (প্রতি ১০০০ মিটার উচ্চতা বৃদ্ধির জন্য ভোল্টেজ এবং কারেন্ট ১০% করে কমানো হবে)। | ||
| আয়ুষ্কাল | 100000h (Un; Θhotspot ≤70 °C) | |
| রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড | আইইসি ৬১০৭১; আইইসি ৬১৮৮১; | |
বৈশিষ্ট্য
১. ধাতব আবরণে আবদ্ধকরণ, শুষ্ক রেজিন প্রবেশ করানো;
২. তামার নাট/স্ক্রু লিড, সহজে স্থাপনযোগ্য;
৩. বৃহৎ ধারণক্ষমতা, পছন্দসই মাপ;
৪. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং স্ব-আরোগ্যের সক্ষমতা;
৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।
স্পেসিফিকেশন টেবিল
| ভোল্টেজ | Un 800V.DC Us 1200V Ur 200V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms(A)50℃@10KHz | ESR (mΩ) @1KHz | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ৪০০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ১৯০ | 5 | ২০.০ | ১২০ | ১.১ | ০.৯ | ১৭.৬ |
| ৮০০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ৩৫০ | 4 | ৩২.০ | ১৮০ | ০.৭২ | ০.৬ | ৩১.২ |
| ৬০০০ | ৪২০ | ১২৫ | ২৪৫ | 5 | ৩০.০ | ১৫০ | ০.৯৫ | ০.৭ | ২৬.৪ |
| ১০০০০ | ৪২০ | ১২৫ | ৩৬০ | 4 | ৪০.০ | ২০০ | ০.৭২ | ০.৫ | ৩৯.২ |
| ১২০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ২৪৫ | 4 | ৪৮.০ | ২৫০ | ০.৯ | ০.৩ | ৪৯.৬ |
| ২০০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩৬০ | 3 | ৬০.০ | ৩০০ | ০.৬ | ০.৩ | ৭৩.৬ |
| ভোল্টেজ | Un 1200V.DC Us 1800V Ur 300V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms(A)50℃@10KHz | ESR (mΩ) @1KHz | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ২৫০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ১৯০ | 8 | ২০.০ | ১২০ | ১.১ | ০.৯ | ১৭.৬ |
| ৩৩০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ২৪৫ | 8 | ২৬.৪ | ১৫০ | ০.৯৫ | ০.৭ | ২২.৪ |
| ৫০০০ | ৪২০ | ১২৫ | ৩০০ | 7 | ৩৫.০ | ১৮০ | ০.৮ | ০.৬ | ৩২.৮ |
| ৭৫০০ | ৪২০ | ১২৫ | ৪৩০ | ৫.৫ | ৪১.৩ | ২০০ | ০.৬৬ | ০.৬ | ৪৪.৮ |
| ৫০০০ | ৩৪০ | ২৩৫ | ১৯০ | 8 | ৪০.০ | ২০০ | ১.১ | ০.৩ | ৩২.৮ |
| ১০০০০ | ৩৪০ | ২৩৫ | ৩৫০ | 6 | ৬০.০ | ২৫০ | ০.৮ | ০.৩ | ৫৮.৪ |
| ৫০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ১৭৫ | 8 | ৪০.০ | ২০০ | 1 | ০.৪ | 36 |
| ৭৫০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ২৪৫ | 7 | ৫২.৫ | ২৫০ | ০.৯ | ০.৩ | ৪৯.৬ |
| ১০০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩০০ | 7 | ৭০.০ | ২৫০ | ০.৮ | ০.৩ | ৬১.৬ |
| ১৫০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৪৩০ | 5 | ৭৫.০ | ৩০০ | ০.৬ | ০.৩ | 84 |
| ভোল্টেজ | Un 1500V.DC Us 2250V Ur 450V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms(A)50℃@10KHz | ESR (mΩ) @1KHz | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ১২০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ১৯০ | 10 | ১২.০ | ১২০ | ১.১ | ০.৯ | ১৭.৬ |
| ৩০০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ৪২০ | 8 | ২৪.০ | ১৮০ | ০.৬৬ | ০.৭ | ৩৭.৬ |
| ২০০০ | ৪২০ | ১২৫ | ২৪৫ | 10 | ২০.০ | ১৫০ | ০.৯৫ | ০.৭ | ২৬.৪ |
| ৪০০০ | ৪২০ | ১২৫ | ৪৩০ | 8 | ৩২.০ | ২০০ | ০.৬৬ | ০.৬ | ৪৪.৮ |
| ৫০০০ | ৩৪০ | ২৩৫ | ৩৫০ | 8 | ৪০.০ | ২৫০ | ০.৮ | ০.৩ | ৫৮.৪ |
| ৪০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ২৪৫ | 10 | ৪০.০ | ২৫০ | ০.৯ | ০.৩ | ৪৯.৬ |
| ৮০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৪৩০ | 8 | ৬৪.০ | ৩০০ | ০.৬ | ০.৩ | 84 |
| ভোল্টেজ | Un 2000V.DC Us 3000V Ur 600V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms(A)50℃@10KHz | ESR (mΩ) @1KHz | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ১০০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ২৪৫ | 12 | ১২.০ | ১৫০ | ০.৯৫ | ০.৭ | ২২.৪ |
| ১৫০০ | ৩৪০ | ১২৫ | ৩৫০ | 10 | ১৫.০ | ১৮০ | ০.৭২ | ০.৬ | ৩১.২ |
| ২০০০ | ৪২০ | ১২৫ | ৩৬০ | 10 | ২০.০ | ২০০ | ০.৭২ | ০.৫ | ৩৯.২ |
| ২৪০০ | ৪২০ | ১২৫ | ৪৩০ | 9 | ২১.৬ | ২০০ | ০.৬৬ | ০.৬ | ৪৪.৮ |
| ৩২০০ | ৩৪০ | ২৩৫ | ৩৫০ | 10 | ৩২.০ | ২৫০ | ০.৮ | ০.৩ | ৪৬.৪ |
| ৪০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩৬০ | 10 | ৪০.০ | ২৮০ | ০.৭ | ০.৩ | ৫৮.৪ |
| ৪৮০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৪৩০ | 9 | ৪৩.২ | ৩০০ | ০.৬ | ০.৩ | ৬৭.২ |
| ভোল্টেজ | Un 2200V.DC Us 3300V Ur 600V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms (A)max | ESR (mΩ) | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ২০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ২৪৫ | 12 | 24 | ১৫০ | ০.৯ | ০.৭৪০৭৪০৭৪১ | 40 |
| ২৭৫০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩০০ | 10 | ২৭.৫ | ২০০ | ০.৮ | ০.৪৬৮৭৫ | ৪৯.৬ |
| ৩৫০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩৬০ | 10 | 35 | ২০০ | ০.৭ | ০.৫৩৫৭১৪২৮৬ | ৫৮.৪ |
| ভোল্টেজ | Un 3000V.DC Us 4500V Ur 800V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms (A)max | ESR (mΩ) | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ১০৫০ | ৪২০ | ২৩৫ | ২৪৫ | 20 | 21 | ১৫০ | ০.৯ | ০.৭৪০৭৪০৭৪১ | 40 |
| ১৪০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩০০ | 15 | 21 | ২০০ | ০.৮ | ০.৪৬৮৭৫ | ৪৯.৬ |
| ১৮০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩৬০ | 15 | 27 | ২০০ | ০.৭ | ০.৫৩৫৭১৪২৮৬ | ৫৮.৪ |
| ভোল্টেজ | Un 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms (A)max | ESR (mΩ) | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ৬০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ২৪৫ | 20 | 12 | ১৫০ | ০.৯ | ০.৭৪০৭৪০৭৪১ | 40 |
| ৮০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩০০ | 20 | 16 | ২০০ | ০.৮ | ০.৪৬৮৭৫ | ৪৯.৬ |
| ১০০০ | ৪২০ | ২৩৫ | ৩৬০ | 20 | 20 | ২০০ | ০.৭ | ০.৫৩৫৭১৪২৮৬ | ৫৮.৪ |
| ভোল্টেজ | Un 2800V.DC Us 4200V Ur 800V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms(A)50℃@10KHz | ESR (mΩ) @1KHz | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ২×১০০০ | ৫৬০ | ১৯০ | ৩১০ | 20 | ২×২০ | ২×৩৫০ | 1 | ০.২ | 60 |
| ভোল্টেজ | Un 3200V.DC Us 4800V Ur 900V | ||||||||
| Cn (μF) | W (মিমি) | টি (মিমি) | H (মিমি) | dv/dt (V/μS) | আইপি (কেএ) | Irms(A)50℃@10KHz | ESR (mΩ) @1KHz | Rth (K/W) | ওজন (কেজি) |
| ২×১২০০ | ৩৪০ | ১৭৫ | ৯৫০ | 15 | ২×১৮ | ২×২০০ | ১.০ | ০.৫ | 95 |
পণ্যের বিস্তারিত ছবি:
সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:
আমাদের লক্ষ্য ও দৃঢ় উদ্দেশ্য হলো "সর্বদা আমাদের ক্রেতাদের চাহিদা পূরণ করা"। আমরা আমাদের পুরাতন এবং নতুন উভয় গ্রাহকদের জন্য শীর্ষ-মানের চমৎকার সমাধান উৎপাদন ও কাঠামোবদ্ধ করে চলেছি এবং আমাদের গ্রাহক ও নিজেদের জন্য একটি উইন-উইন সম্ভাবনা অর্জন করছি। চীনের উইন্ড পাওয়ার ইনভার্টার ক্যাপাসিটর ফ্যাক্টরি - হাই-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য কাস্টমাইজড ড্রাই ফিল্ম ক্যাপাসিটর ডিজাইন – CRE, এই পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: আইসল্যান্ড, বেলিজ, ফ্রান্স। উচ্চ গুণমান, যুক্তিসঙ্গত মূল্য, সময়মতো ডেলিভারি এবং গ্রাহকদের তাদের লক্ষ্য সফলভাবে অর্জনে সহায়তা করার জন্য কাস্টমাইজড পরিষেবার মাধ্যমে আমাদের কোম্পানি দেশীয় ও আন্তর্জাতিক উভয় বাজারে প্রশংসা অর্জন করেছে। ক্রেতাদের আমাদের সাথে যোগাযোগ করার জন্য স্বাগত জানাই।
নাইজেরিয়া থেকে ইভাঞ্জেলিনের লেখা - ১৪.০২.২০১৭ ১৩:১৯ সহযোগিতা প্রক্রিয়ায় কারখানার কারিগরি কর্মীগণ আমাদের অনেক ভালো পরামর্শ দিয়েছেন, যা অত্যন্ত প্রশংসনীয় এবং আমরা তাদের প্রতি অত্যন্ত কৃতজ্ঞ।
কোমোরোসের জেন-এর লেখা - ২০১৭.১২.০৯ ১৪:০১ আমাদের কাছে আপনার বার্তা পাঠান:
আপনার বার্তাটি এখানে লিখে আমাদের কাছে পাঠিয়ে দিন।
পণ্যের বিভাগ
-
ব্যাটারি চার্জারের জন্য ফ্যাক্টরি থেকে পাইকারি ক্যাপাসিটর...
-
রিএ ফিল্টারিংয়ের জন্য সর্বনিম্ন মূল্যের এসি ক্যাপাসিটর...
-
কোষের প্রসারের জন্য ২০১৮ সালের সর্বাধুনিক ডিজাইনের ক্যাপাসিটর...
-
উচ্চ মানের আল্ট্রাক্যাপাসিটর - ব্যাটারি-আল্ট্রাক্যাপ...
-
নলাকার ক্যাপাসিটরের জন্য ইউরোপীয় শৈলী - কাস্টো...
-
ডিসি লিঙ্ক ক্যাপাসিটর ব্যাংকের গুণমান পরিদর্শন -...
