০.২২～৩μF

৩০০০ ভোল্ট ডিসি～১০০০০ ভোল্ট ডিসি

±৫%(J) ;±১০%(K)

১.৩৫ইউএন ডিসি/১০এস

tgδ≤0.001 f=1KHz

C≤০.৩৩μF RS≥১৫০০০ MΩ (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S)

C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)

ডেটাশিট দেখুন

100000h(Un; Θhotspot≤70°C)

আইইসি ৬১০৭১;

ক্যাপাসিট্যান্স (μF)

φD (মিমি)

L(মিমি)

L1(মিমি)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

আইপিকে(এ)

আইআরএমএস(এ)

০.২২

35

44

52

25

১১০০

২৪২

30

০.৩৩

43

44

52

25

১০০০

৩৩০

35

০.৪৭

51

44

52

22

৮৫০

৩৯৯

45

০.৬৮

61

44

52

22

৮০০

৫৪৪

55

১

74

44

52

20

৭০০

৭০০

65

১.২

80

44

52

20

৬৫০

৭৮০

75

১.৫

52

70

84

30

৬০০

৯০০

45

২.০

60

70

84

30

৫০০

১০০০

55

৩.০

73

70

84

30

৪০০

১২০০

65

৪.০

83

70

84

30

৩৫০

১৪০০

70

ক্যাপাসিট্যান্স (μF)

φD (মিমি)

L(মিমি)

L1(মিমি)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

আইপিকে(এ)

আইআরএমএস(এ)

০.২২

43

60

72

25

১৫০০

৩৩০

35

০.৩৩

52

60

72

25

১২০০

৩৯৬

45

০.৪৭

62

60

72

25

১০০০

৪৭০

50

০.৬৮

74

60

72

22

৯০০

৬১২

60

১

90

60

72

22

৮০০

৯০০

75

ক্যাপাসিট্যান্স (μF)

φD (মিমি)

L(মিমি)

L1(মিমি)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

আইপিকে(এ)

আইআরএমএস(এ)

০.২২

45

57

72

25

১১০০

২৪২

30

০.৬৮

36

80

92

28

১০০০

৬৮০

25

১.০

43

80

92

28

৮৫০

৮৫০

30

১.৫

52

80

92

25

৮০০

১২০০

35

১.৮

57

80

92

25

৭০০

১২৬০

40

২.০

60

80

92

23

৬৫০

১৩০০

45

৩.০

73

80

92

22

৫০০

১৫০০

50

ক্যাপাসিট্যান্স (μF)

φD (মিমি)

L(মিমি)

L1(মিমি)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

আইপিকে(এ)

আইআরএমএস(এ)

০.৩৩

35

90

১০২

30

১১০০

৩৬৩

25

০.৪৭

41

90

১০২

28

১০০০

৪৭০

30

০.৬৮

49

90

১০২

28

৮৫০

৫৭৮

35

১

60

90

১০২

25

৮০০

৮০০

40

১.৫

72

90

১০২

25

৭০০

১০৫০

45

২.০

83

90

১০২

25

৬৫০

১৩০০

50

ক্যাপাসিট্যান্স (μF)

φD (মিমি)

L(মিমি)

L1(মিমি)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

আইপিকে(এ)

আইআরএমএস(এ)

০.৩৩

45

১১৪

১২৩

35

১৫০০

৪৯৫

30

০.৪৭

54

১১৪

১২৩

35

১৩০০

৬১১

35

০.৬৮

65

১১৪

১২৩

35

১২০০

৮১৬

40

১

78

১১৪

১২৩

30

১০০০

১০০০

55

১.৫

95

১১৪

১২৩

30

৮০০

১২০০

70