2018 উচ্চ মানের হাই পাওয়ার ফিল্ম ক্যাপাসিটর - পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে জিটিও স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE
2018 উচ্চ মানের হাই পাওয়ার ফিল্ম ক্যাপাসিটর - পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামে জিটিও স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE বিস্তারিত:
প্রযুক্তিগত তথ্য
অপারেটিং তাপমাত্রা বিন্যাস | সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, উপরে, সর্বোচ্চ: + 85℃ উপরের বিভাগের তাপমাত্রা: +85℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40℃ |
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা | 0.22~3μF |
রেটেড ভোল্টেজ | 3000V.DC~10000V.DC |
Cap.tol | ±5%(J) ;±10%(K) |
ভোল্টেজ সহ্য করুন | 1.35Un DC/10S |
অপচয় ফ্যাক্টর | tgδ≤0.001 f=1KHz |
অন্তরণ প্রতিরোধের | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S এ) C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ) |
স্ট্রাইক স্রোত সহ্য করুন | ডেটাশীট দেখুন |
আয়ু | 100000h(Un; Θhotspot≤70°C) |
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড | IEC 61071 ; |
বৈশিষ্ট্য
1. মাইলার টেপ, রজন দিয়ে সিল করা;
2. কপার বাদাম লিড;
3. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ, কম tgδ, নিম্ন তাপমাত্রা বৃদ্ধি;
4. কম ESL এবং ESR;
5. উচ্চ পালস কারেন্ট।
আবেদন
1. জিটিও স্নাবার।
2. ব্যাপকভাবে শক্তি ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতি ব্যবহৃত যখন পিক ভোল্টেজ, পিক বর্তমান শোষণ সুরক্ষা.
সাধারণ সার্কিট
রূপরেখা অঙ্কন
স্পেসিফিকেশন
আন=3000V.DC | |||||||
ক্যাপাসিট্যান্স (μF) | φD (মিমি) | এল(মিমি) | L1(মিমি) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
0.22 | 35 | 44 | 52 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
0.33 | 43 | 44 | 52 | 25 | 1000 | 330 | 35 |
0.47 | 51 | 44 | 52 | 22 | 850 | 399 | 45 |
0.68 | 61 | 44 | 52 | 22 | 800 | 544 | 55 |
1 | 74 | 44 | 52 | 20 | 700 | 700 | 65 |
1.2 | 80 | 44 | 52 | 20 | 650 | 780 | 75 |
1.5 | 52 | 70 | 84 | 30 | 600 | 900 | 45 |
2.0 | 60 | 70 | 84 | 30 | 500 | 1000 | 55 |
3.0 | 73 | 70 | 84 | 30 | 400 | 1200 | 65 |
4.0 | 83 | 70 | 84 | 30 | 350 | 1400 | 70 |
আন=6000V.DC | |||||||
ক্যাপাসিট্যান্স (μF) | φD (মিমি) | এল(মিমি) | L1(মিমি) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
0.22 | 43 | 60 | 72 | 25 | 1500 | 330 | 35 |
0.33 | 52 | 60 | 72 | 25 | 1200 | 396 | 45 |
0.47 | 62 | 60 | 72 | 25 | 1000 | 470 | 50 |
0.68 | 74 | 60 | 72 | 22 | 900 | 612 | 60 |
1 | 90 | 60 | 72 | 22 | 800 | 900 | 75 |
আন=7000V.DC | |||||||
ক্যাপাসিট্যান্স (μF) | φD (মিমি) | এল(মিমি) | L1(মিমি) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
0.22 | 45 | 57 | 72 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
0.68 | 36 | 80 | 92 | 28 | 1000 | 680 | 25 |
1.0 | 43 | 80 | 92 | 28 | 850 | 850 | 30 |
1.5 | 52 | 80 | 92 | 25 | 800 | 1200 | 35 |
1.8 | 57 | 80 | 92 | 25 | 700 | 1260 | 40 |
2.0 | 60 | 80 | 92 | 23 | 650 | 1300 | 45 |
3.0 | 73 | 80 | 92 | 22 | 500 | 1500 | 50 |
Un=8000V.DC | |||||||
ক্যাপাসিট্যান্স (μF) | φD (মিমি) | এল(মিমি) | L1(মিমি) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
0.33 | 35 | 90 | 102 | 30 | 1100 | 363 | 25 |
0.47 | 41 | 90 | 102 | 28 | 1000 | 470 | 30 |
0.68 | 49 | 90 | 102 | 28 | 850 | 578 | 35 |
1 | 60 | 90 | 102 | 25 | 800 | 800 | 40 |
1.5 | 72 | 90 | 102 | 25 | 700 | 1050 | 45 |
2.0 | 83 | 90 | 102 | 25 | 650 | 1300 | 50 |
আন=10000V.DC | |||||||
ক্যাপাসিট্যান্স (μF) | φD (মিমি) | এল(মিমি) | L1(মিমি) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
0.33 | 45 | 114 | 123 | 35 | 1500 | 495 | 30 |
0.47 | 54 | 114 | 123 | 35 | 1300 | 611 | 35 |
0.68 | 65 | 114 | 123 | 35 | 1200 | 816 | 40 |
1 | 78 | 114 | 123 | 30 | 1000 | 1000 | 55 |
1.5 | 95 | 114 | 123 | 30 | 800 | 1200 | 70 |
পণ্যের বিস্তারিত ছবি:
সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:
আমাদের লক্ষ্য হবে 2018 সালের উচ্চ মানের হাই পাওয়ার ফিল্ম ক্যাপাসিটর - পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামে GTO স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE , পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করবে, যেমন: মালি, অস্ট্রেলিয়া, রুয়ান্ডা, আমাদের উদ্দেশ্য হল "আমাদের গ্রাহকদের জন্য প্রথম ধাপের পণ্য এবং সর্বোত্তম পরিষেবা সরবরাহ করা, এইভাবে আমরা নিশ্চিত যে আমাদের সাথে সহযোগিতা করার মাধ্যমে আপনার অবশ্যই একটি মার্জিন সুবিধা থাকবে" .আপনি যদি আমাদের কোনো পণ্যে আগ্রহী হন বা একটি কাস্টম অর্ডার নিয়ে আলোচনা করতে চান, তাহলে অনুগ্রহ করে নির্দ্বিধায় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।আমরা অদূর ভবিষ্যতে বিশ্বজুড়ে নতুন ক্লায়েন্টদের সাথে সফল ব্যবসায়িক সম্পর্ক গঠনের জন্য উন্মুখ।
কারখানার প্রযুক্তিগত কর্মীরা আমাদের সহযোগিতা প্রক্রিয়ায় অনেক ভাল পরামর্শ দিয়েছেন, এটি খুব ভাল, আমরা খুব কৃতজ্ঞ। প্রোভেন্স থেকে মলি দ্বারা - 2018.12.28 15:18