• বিবিবি

পাইকারি মূল্য চীন ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের পাইকারি 160V 1UF ডিআইপি ক্যাপাসিটর ক্যাপাসিটরের মূল প্রস্তুতকারক

ছোট বিবরণ:

ক্যাপাসিটর মডেল: DMJ-MT সিরিজ

1. ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা: 10-100uf;

2. ভোল্টেজ পরিসীমা: 350-1100V;

3. তাপমাত্রা: 85℃ পর্যন্ত;

৪. খুব কম অপচয় ফ্যাক্টর;

5. খুব উচ্চ অন্তরণ প্রতিরোধের;

 

 


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

"আন্তরিকভাবে, ভালো ধর্ম এবং ভালো মানের কোম্পানির উন্নয়নের ভিত্তি" এই নীতি অনুসরণ করে ব্যবস্থাপনা প্রক্রিয়াকে ঘন ঘন উন্নত করার জন্য, আমরা আন্তর্জাতিকভাবে সংশ্লিষ্ট সমাধানগুলির সারাংশকে ব্যাপকভাবে গ্রহণ করি এবং ক্রেতাদের চাহিদা মেটাতে নিয়মিতভাবে নতুন পণ্য তৈরি করি। পাইকারি মূল্যের চীন পাইকারি ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর 160V 1UF DIP ক্যাপাসিটর ক্যাপাসিটরের মূল প্রস্তুতকারক, যদি আপনার আমাদের কোম্পানি বা পণ্য এবং সমাধান সম্পর্কে কোনও মন্তব্য থাকে, তাহলে আমাদের সাথে কথা বলতে দ্বিধা করবেন না, আপনার আসন্ন মেইলটি অত্যন্ত প্রশংসাযোগ্য হতে পারে।
"আন্তরিকভাবে, ভালো ধর্ম এবং ভালো মানের ব্যবসার উন্নয়নের ভিত্তি" এই নীতির মাধ্যমে ব্যবস্থাপনা প্রক্রিয়াকে ঘন ঘন উন্নত করার জন্য, আমরা আন্তর্জাতিকভাবে সংশ্লিষ্ট সমাধানগুলির সারাংশকে ব্যাপকভাবে গ্রহণ করি এবং নিয়মিতভাবে ক্রেতাদের চাহিদা মেটাতে নতুন পণ্য উৎপাদন করি।ক্যাপাসিটর এবং ক্যাপাসিটর কারখানার চীন প্রস্তুতকারক, আমাদের সমাধানগুলি মূলত ইউরোপ, আফ্রিকা, আমেরিকা, মধ্যপ্রাচ্য এবং দক্ষিণ-পূর্ব এশিয়া এবং অন্যান্য দেশ ও অঞ্চলে রপ্তানি করা হয়। আমরা এখন আমাদের গ্রাহকদের মধ্যে মানসম্পন্ন পণ্য এবং ভালো পরিষেবার জন্য একটি দুর্দান্ত খ্যাতি উপভোগ করেছি। "গুণমান প্রথম, খ্যাতি প্রথম, সর্বোত্তম পরিষেবা" এই উদ্দেশ্য অনুসরণ করে আমরা দেশ-বিদেশের ব্যবসায়ীদের সাথে বন্ধুত্ব করব।

ডিএমজে-পিএস সিরিজ

ডিসি-লিংক এমকেপি ক্যাপাসিটারগুলি বিশেষভাবে উচ্চ ক্ষমতার রূপান্তরকারী প্রযুক্তির অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে ক্রমবর্ধমান বৈদ্যুতিক প্রয়োজনীয়তার কারণে তারা ক্রমবর্ধমানভাবে ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলিকে প্রতিস্থাপন করছে। কম ক্ষতির পলিপ্রোপিলিন ডাইইলেক্ট্রিক দিয়ে তৈরি, এগুলি উচ্চতর কারেন্ট বহন ক্ষমতা দেখায় এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের তুলনায় কম অপচয়/স্ব-তাপীকরণ দেখায়।

আয়তক্ষেত্রাকার কেস সহ CRE DC-LINK MKP ক্যাপাসিটারগুলি 2-পিন, 4-পিন, 6-পিন টার্মিনাল সংস্করণের জন্য উপলব্ধ।

অভ্যন্তরীণ নির্মাণ এবং নন-পোলারাইজড সংযোগ কনফিগারেশনের উপর ভিত্তি করে, CRE DC-LINK ক্যাপাসিটারগুলিকে উদাহরণস্বরূপ একটি 4500 µF/400 VDC, দুটি 2250 µF/400 VDC অথবা বিকল্পভাবে একটি 1125 µF/800 VDC উপাদান হিসাবে সংযুক্ত করা যেতে পারে। কেসের আকার এবং তারের সংস্করণের মানগুলির উপর নির্ভর করে 85 µF/1600 VDC এবং 4500 µF/400 VDC এর মধ্যে উপলব্ধ। চাহিদা অনুসারে কাস্টমাইজড সমাধানগুলি উপলব্ধ করা যেতে পারে।

সিআরই প্ল্যান্ট
MKP ক্যাপাসিটর কারখানা
শুষ্ক ক্যাপাসিটর

অসাধারণ বৈশিষ্ট্য

1. খুব উচ্চ ক্যাপাসিট্যান্স/আয়তন অনুপাত

2. প্রতি উপাদানের উচ্চ ভোল্টেজ রেটিং

৩. খুব কম ডিসপিসেশন ফ্যাক্টর (ESR)

4. খুব উচ্চ অন্তরণ প্রতিরোধের

৫. চমৎকার স্ব-নিরাময় বৈশিষ্ট্য

৬. দীর্ঘ আয়ু

৭. অ-মেরু নির্মাণ

৮. বিশেষভাবে নির্ভরযোগ্য যোগাযোগ কনফিগারেশন

9. উচ্চ শক এবং কম্পন প্রতিরোধের

১০. অসাধারণ যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ ৫৫০V.DC(৮৫℃) ৬০০V(৭০℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) এল (মিমি) ± 1 টি (মিমি) ± 1 এইচ (মিমি) ± 1 পিচ(মিমি) ESR (mΩ) ইএসএল (এনএইচ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@১০KHz ৮৫℃)
P1 P2
4 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ ২০.৫ 10 75 ৩০০ 4
7 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ ১১.৫ 10 75 ৫২৫ ৬.৫
10 2 1 32 18 28 ২৭.৫ 8 10 75 ৭৫০ 9
12 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 7 10 75 ৯০০ 10
20 2 ১.২ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ ৩৭.৫ 7 10 40 ৮০০ 11
30 4 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ ২০.৩ ৬.৫ 10 40 ১২০০ 15
45 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ 6 10 40 ১৮০০ 17
60 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 40 ২৪০০ ১৮.৫
60 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 40 ২৪০০ ১৮.৫
75 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ 3 15 20 ১৫০০ 19
75 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ১৫০০ 18
১০০ 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ ২.৮ 15 20 ২০০০ 20
১০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ২০০০ 22
১১০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ২২০০ 23
১২০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৮ 15 20 ২৪০০ 25
১৫০ 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৫ 15 20 ৩০০০ 28
১৫০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৫ 15 20 ৩০০০ 28
২০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৩ 15 20 ৪০০০ 28
ভোল্টেজ ৭০০ ভোল্ট.ডিসি (৮৫ ℃) ৮০০ ভোল্ট (৭০ ℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) এল (মিমি) ± 1 টি (মিমি) ± 1 এইচ (মিমি) ± 1 পিচ(মিমি) ESR (mΩ) ইএসএল (এনএইচ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@১০KHz ৮৫℃)
P1 P2
3 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ 23 10 75 ২২৫ 4
5 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ 14 10 75 ৩৭৫ 6
8 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ৮.৫ 10 75 ৬০০ ৮.৫
10 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 7 10 75 ৭৫০ 10
10 2 ১.২ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ ৩৭.৫ 10 10 40 ৪০০ 10
20 4 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ ২০.৩ ৭.৫ 10 40 ৮০০ 12
25 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ 6 10 40 ১০০০ 12
40 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৫.৫ 10 40 ১৬০০ 13
40 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 6 15 20 ৮০০ 15
45 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 40 ১৮০০ 15
50 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ ৫.৫ 15 20 ১০০০ 18
55 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 40 ২২০০ 18
60 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 5 15 20 ১২০০ 20
75 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 20 ১৫০০ 22
80 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ 4 15 20 ১৬০০ 22
90 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 20 ১৮০০ 25
১০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ২০০০ ২৭.৫
১০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ২০০০ ২৭.৫
১১০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ২২০০ 28
ভোল্টেজ ৮০০ ভোল্ট.ডিসি (৮৫ ℃) ৯০০ ভোল্ট (৭০ ℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) এল (মিমি) ± 1 টি (মিমি) ± 1 এইচ (মিমি) ± 1 পিচ(মিমি) ESR (mΩ) ইএসএল (এনএইচ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@১০KHz ৮৫℃)
P1 P2
2 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ 31 10 75 ১৫০ ৩.৫
4 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ ১৫.৫ 10 75 ৩০০ ৫.৫
6 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ১০.৫ 10 75 ৪৫০ ৭.৫
8 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 8 10 75 ৬০০ ৯.৫
15 2 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ 10 10 40 ৬০০ 10
20 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ ৭.৫ 10 40 ৮০০ 12
30 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 40 ১২০০ 16
35 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ ৫.৫ 15 20 ৭০০ 14
45 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.২ 10 40 ১৮০০ 17
50 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 20 ১০০০ 18
55 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ 4 10 40 ২২০০ 18
60 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 20 ১২০০ 20
70 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 20 ১৪০০ 22
75 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ১৫০০ 24
85 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ১৭০০ 26
ভোল্টেজ ১১০০ ভোল্ট.ডিসি (৮৫ ℃) ১২০০ ভোল্ট (৭০ ℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) এল (মিমি) ± 1 টি (মিমি) ± 1 এইচ (মিমি) ± 1 পিচ(মিমি) ESR (mΩ) ইএসএল (এনএইচ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@১০KHz ৮৫℃)
P1 P2
1 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ ৪৫.৫ 10 95 95 3
2 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ 23 10 95 ১৯০ ৪.৫
3 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ১৫.৫ 10 95 ২৮৫ 6
4 2 1 32 21 31 ২৭.৫ ১১.৫ 10 95 ৩৮০ 8
10 2 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ 11 10 40 ৪২৯ 11
15 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ 8 10 40 ৬০০ 15
20 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 40 ৮০০ 18
20 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 40 ৮০০ 18
20 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 7 15 25 ৫০০ 15
25 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 6 15 25 ৬২৫ 17
30 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 5 15 25 ৭৫০ 18
35 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 40 ১৪০০ 19
40 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 5 15 25 ১০০০ 18
45 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 25 ১১২৫ ১৮.৫
50 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 25 ১২৫০ 20
55 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 25 ১৩৭৫ 21
60 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 25 ১৫০০ 22
70 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 25 ১৭৫০ 24
ভোল্টেজ ১২০০ ভোল্ট.ডিসি (৮৫ ℃) ১৫০০ ভোল্ট (৭০ ℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) এল (মিমি) ± 1 টি (মিমি) ± 1 এইচ (মিমি) ± 1 পিচ(মিমি) ESR (mΩ) ইএসএল (এনএইচ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@১০KHz ৮৫℃)
P1 P2
1 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ 43 10 ১০০ ১০০ 3
2 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ ২১.৫ 10 ১০০ ২০০ 5
3 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ১৪.৫ 10 ১০০ ৩০০ ৬.৫
4 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 11 10 ১০০ ৪০০ 8
12 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 50 ৬০০ 15
12 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 11 15 40 ৪৮০ 13
18 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 50 ৯০০ 18
20 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ 7 15 50 ১০০০ 16
20 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 8 15 40 ৮০০ 17
25 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ 7 15 40 ১০০০ 20
40 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ 6 15 25 ১০০০ 22
45 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ ৫.৫ 15 25 ১১২৫ 24
ভোল্টেজ ১৮০০ ভোল্ট.ডিসি (৮৫ ℃) ২০০০ ভোল্ট (৭০ ℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) এল (মিমি) ± 1 টি (মিমি) ± 1 এইচ (মিমি) ± 1 পিচ(মিমি) ESR (mΩ) ইএসএল (এনএইচ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@১০KHz ৮৫℃)
P1 P2
6 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 24 10 ১০০ ৬০০ 5
8 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ 20 10 ১০০ ৮০০ 8
10 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ 18 10 ১০০ ১০০০ 10
8 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 12 15 50 ৪০০ 13
10 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 10 15 50 ৫০০ 17
15 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ 8 15 50 ৭৫০ 20
18 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৭.৫ 15 50 ৯০০ 21
20 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 7 15 45 ৯০০ 22

ভিডিও

"আন্তরিকভাবে, ভালো ধর্ম এবং ভালো মানের কোম্পানির উন্নয়নের ভিত্তি" এই নীতির মাধ্যমে ব্যবস্থাপনা প্রক্রিয়াকে ঘন ঘন উন্নত করার জন্য, আমরা আন্তর্জাতিকভাবে সংশ্লিষ্ট সমাধানগুলির সারাংশকে ব্যাপকভাবে গ্রহণ করি এবং ক্রেতাদের চাহিদা মেটাতে নিয়মিতভাবে নতুন পণ্য তৈরি করি পাইকারি মূল্যের চীন পাইকারি ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর 160V 1UF ডিআইপি ক্যাপাসিটর ক্যাপাসিটরের মূল প্রস্তুতকারক, যদি আপনার আমাদের কোম্পানি বা পণ্য এবং সমাধান সম্পর্কে কোনও মন্তব্য থাকে, তাহলে আমাদের সাথে কথা বলতে দ্বিধা করবেন না, আপনার আসন্ন মেইলটি অত্যন্ত প্রশংসা করা হতে পারে। পাইকারি মূল্য চীনক্যাপাসিটর এবং ক্যাপাসিটর কারখানার চীন প্রস্তুতকারক, আমাদের সমাধানগুলি মূলত ইউরোপ, আফ্রিকা, আমেরিকা, মধ্যপ্রাচ্য এবং দক্ষিণ-পূর্ব এশিয়া এবং অন্যান্য দেশ ও অঞ্চলে রপ্তানি করা হয়। আমরা এখন আমাদের গ্রাহকদের মধ্যে মানসম্পন্ন পণ্য এবং ভালো পরিষেবার জন্য একটি দুর্দান্ত খ্যাতি উপভোগ করেছি। "গুণমান প্রথম, খ্যাতি প্রথম, সর্বোত্তম পরিষেবা" এই উদ্দেশ্য অনুসরণ করে আমরা দেশ-বিদেশের ব্যবসায়ীদের সাথে বন্ধুত্ব করব।


  • আগে:
  • পরবর্তী:

  • আপনার বার্তা আমাদের পাঠান:

    আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।

    আপনার বার্তা আমাদের পাঠান: