পাইকারি উচ্চ ভোল্টেজ Snubber ক্যাপাসিটর

পাইকারি উচ্চ ভোল্টেজ স্নাবার ক্যাপাসিটর বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

ছোট বিবরণ:

CRE সব ধরণের স্নাবার ক্যাপাসিটার সরবরাহ করে।

1. CRE দ্বারা পরিকল্পিত এবং উত্পাদিত উদ্ভাবনী স্নাবার ক্যাপাসিটার

2. ফিল্ম ক্যাপাসিটর নকশা এবং উত্পাদন নেতা.

3. আপনার যদি অনন্য স্নাবার স্পেসিফিকেশনের প্রয়োজন হয়, একটি কাস্টম ডিজাইন করা স্নাবার ক্যাপাসিটরের জন্য আমাদের ডিজাইন সেন্টারে যান।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা বিন্যাস	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +90 ℃ উপরের বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	1μF～8μF
রেটেড ভোল্টেজ	1200V.DC～4000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	1.5Un/10S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.001 f=1KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
আয়ু	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC 61071 ; IEC 60110

বৈশিষ্ট্য

বিকল্পগুলির জন্য সিঙ্গেল মেটালাইজড স্নাবার ক্যাপাসিটার এবং ডাবল মেটালাইজড স্নাবার ক্যাপাসিটর রয়েছে।

আবেদন

1. পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনে, স্নাবার ক্যাপাসিটারগুলি ক্ল্যাম্পিং ভোল্টেজ এবং কারেন্ট রিংিংয়ের মাধ্যমে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ কমানোর দায়িত্বে থাকে।

2. IGBT মডিউলে মাউন্ট করা, স্ট্রে ইনডাক্টেন্স কমানোর জন্য, Snubber ক্যাপাসিটারগুলি বহুমুখীতার উদ্দেশ্যে কনফিগারযোগ্য টার্মিনালে সরবরাহ করা হয়।

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
৬.৮	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ	আন 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28