• বিবিবি

সু-নকশিত পাওয়ার ফ্যাক্টর কারেকশন ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি ব্যবস্থার জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - CRE

ছোট বিবরণ:


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা অগ্রগতির উপর জোর দিই এবং প্রতি বছর বাজারে নতুন পণ্য প্রবর্তন করিউচ্চ ভোল্টেজ ডিসি লিংক ক্যাপাসিটর , অ্যাক্সিল স্নাবার ক্যাপাসিটর , ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর, এবং আমরা গ্রাহকদের চাহিদা অনুযায়ী যেকোনো পণ্যের সন্ধানে সক্ষম। সর্বোত্তম সহায়তা, সর্বোত্তম মানের, দ্রুত ডেলিভারি নিশ্চিত করুন।
সু-নকশিত পাওয়ার ফ্যাক্টর কারেকশন ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি ব্যবস্থার জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - সিআরই বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা

সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃

ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা

৩~৫০μF

রেটেড ভোল্টেজ

২০০ ভোল্ট.এসি~৪৫০ ভোল্ট.এসি

ক্যাপ.টল

±৫%(জে);±১০%(কে)

ভোল্টেজ সহ্য করুন

2Un DC/10S সম্পর্কে

অপচয় ফ্যাক্টর

tgδ≤0.0015f=1KHz

অন্তরণ প্রতিরোধের

আরএস*সি≥৫০০০সে (২০℃ ১০০ ভোল্টে। ডিসি৬০সে)

শিখা প্রতিবন্ধকতা

UL94V-0 লক্ষ্য করুন

আয়ুষ্কাল

100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)

রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড

আইইসি 61071;

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা

সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃

ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা

৩~৫০μF

রেটেড ভোল্টেজ

২০০ ভোল্ট.এসি~৪৫০ ভোল্ট.এসি

ক্যাপ.টল

±৫%(জে);±১০%(কে)

ভোল্টেজ সহ্য করুন

2Un DC/10S সম্পর্কে

অপচয় ফ্যাক্টর

tgδ≤0.0015f=1KHz

অন্তরণ প্রতিরোধের

আরএস*সি≥৫০০০সে (২০℃ ১০০ ভোল্টে। ডিসি৬০সে)

শিখা প্রতিবন্ধকতা

UL94V-0 লক্ষ্য করুন

আয়ুষ্কাল

100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)

বৈশিষ্ট্য

১. শুষ্ক ফিল্ম নির্মাণ;
2. টিনযুক্ত তামার তার দিয়ে তৈরি লিড; ছোট আকার। সহজ ইনস্টলেশন;
৩. কম ESL এবং ESR;
৪. উচ্চ পালস কারেন্ট।

আবেদন

1. শক্তি সঞ্চয় ফিল্টার করার জন্য ডিসি-লিংক সার্কিটে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়;
2. ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার প্রতিস্থাপন করতে পারে, উন্নত কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘ জীবনকাল।
৩. পিভি ইনভার্টার, উইন্ড পাওয়ার কনভার্টার; সকল ধরণের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার এবং ইনভার্টার পাওয়ার সাপ্লাই;
খাঁটি বৈদ্যুতিক এবং হাইব্রিড গাড়ি; চার্জিং পাইল, ইউপিএস, ইত্যাদি।

রূপরেখা অঙ্কন

এফএফএফ

(মিমি)
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) φd এর বিবরণ P1 P2 ESR @১০KHz (mΩ) ডিভি/ডিটি (ভি/μS) আইপিকে(এ) Irms @40℃ @10KHz (A)
20 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৩ 30 ৬০০ 12
20 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ১.৮ 30 ৬০০ 22
25 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ৩.৮ 17 ৪২৫ 12
25 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 17 ৪২৫ 22
30 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ৩.৫ 17 ৫১০ 12
30 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৯ 17 ৫১০ 22
30 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৮ 17 ৫১০ 25
33 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ৩.৩ 17 ৫৬১ 12
33 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৭ 17 ৫৬১ 22
33 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৬ 17 ৫৬১ 28
35 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ৩.২ 17 ৫৯৫ 12
35 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৬ 17 ৫৯৫ 22
35 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৫ 17 ৫৯৫ 30
40 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ 3 17 ৬৮০ 12
40 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৪ 17 ৬৮০ 22
40 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৩ 17 ৬৮০ 30
45 ৫৭.৫ 38 54 ১.০ ৫২.৫ ২.৮ 17 ৭৬৫ 12
45 ৫৭.৫ 38 54 ১.০ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৩ 17 ৭৬৫ 22
45 ৫৭.৫ 38 54 ১.০ ৫২.৫ ১০.২ ২.২ 17 ৭৬৫ 32
50 ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ১.২ ৫২.৫ ২.৭ 17 ৮৫০ 12
50 ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.২ 17 ৮৫০ 22
50 ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.১ 17 ৮৫০ 32

 

ভোল্টেজ ৪০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ২৫০ ভ্যাক; ইউএস ৮০০ ভোল্ট
(মিমি)
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) φd এর বিবরণ P1 P2 ESR(mΩ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
10 ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ ১.২ ৩৭.৫ ২.৬ 40 ৪০০ 12
10 ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ 2 40 ৪০০ 23
15 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৩ 40 ৬০০ 28
15 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ১.৮ 40 ৬০০ 28
15 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ১০.২ ১.৭ 40 ৬০০ 28
18 ৪২.৫ 33 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.২ 40 ৭২০ 15
18 ৪২.৫ 33 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ১.৭ 40 ৭২০ 15
18 ৪২.৫ 33 45 ১.২ ৩৭.৫ ১০.২ ১.৬ 40 ৭২০ 15
20 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ৩.৫ 20 ৪০০ 25
20 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৯ 20 ৪০০ 25
20 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৮ 20 ৪০০ 25
25 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ৩.৪ 20 ৫০০ 28
25 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৮ 20 ৫০০ 28
25 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৭ 20 ৫০০ 28
30 ৫৭.৫ 38 54 ১.২ ৫২.৫ ৩.২ 20 ৬০০ 25
30 ৫৭.৫ 38 54 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৭ 20 ৬০০ 25
30 ৫৭.৫ 38 54 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৬ 20 ৬০০ 25

 

ভোল্টেজ 600V.DC, Urms330Vac; Us1200V
(মিমি)
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) φd এর বিবরণ P1 P2 ESR(mΩ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
5 ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ ১.২ ৩৭.৫ ৩.১ 55 ২৭৫ 12
5 ৪২.৫ ৩৩.৫ ৩৫.৫ ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ২.৫ 55 ২৭৫ 20
৬.৮ ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৮ 55 ৩৭৪ 12
৬.৮ ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ২.২ 55 ৩৭৪ 22
9 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৬ 55 ৪৯৫ 12
9 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ২.২ 55 ৪৯৫ 22
9 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ১০.২ ১.৯ 55 ৪৯৫ 28
10 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ৪.২ 30 ৩০০ 22
10 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৭ 30 ৩০০ 25
15 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ৩.৬ 30 ৪৫০ 12
15 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৮ 30 ৪৫০ 20
15 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৭ 30 ৪৫০ 28

 

ভোল্টেজ 700V.DC, Urms400Vac; Us1400V
(মিমি)
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) φd এর বিবরণ P1 P2 ESR(mΩ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
৪.৭ ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ 3 70 ৩২৯ 12
৪.৭ ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ২.৪ 70 ৩২৯ 22
5 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৯ 70 ৩৫০ 12
5 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ২.৩ 70 ৩৫০ 22
6 ৪২.৫ 33 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৮ 70 ৪২০ 12
6 ৪২.৫ 33 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ২.২ 70 ৪২০ 22
8 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ৪.২ 40 ৩২০ 12
8 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৬ 40 ৩২০ 22
8 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ৩.৫ 40 ৩২০ 28
10 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ৩.৯ 40 ৪০০ 12
10 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৩ 40 ৪০০ 22
10 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ৩.২ 40 ৪০০ 30
15 ৫৭.৫ 38 54 ১.২ ৫২.৫ ৩.৬ 40 ৬০০ 12
15 ৫৭.৫ 38 54 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ৩.১ 40 ৬০০ 22
15 ৫৭.৫ 38 54 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ 3 40 ৬০০ 30

 

ভোল্টেজ আন 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
(মিমি)
Cn(μF) এল (±১) টি (± 1) এইচ(±১) φd এর বিবরণ P1 P2 ESR(mΩ) ডিভি/ডিটি(ভি/μS) আইপিকে(এ) আইআরএমএস
3 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৪ ১১০ ৩৩০ 12
3 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ১.৮ ১১০ ৩৩০ 22
3 ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ১০.২ ১.৭ ১১০ ৩৩০ 25
৩.৩ ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২.৩ ১১০ ৩৬৩ 12
৩.৩ ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ১.৭ ১১০ ৩৬৩ 22
৩.৩ ৪২.৫ 30 45 ১.২ ৩৭.৫ ১০.২ ১.৬ ১১০ ৩৬৩ 28
4 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ৩.১ 55 ২২০ 12
4 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৫ 55 ২২০ 22
4 ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৪ 55 ২২০ 28
৪.৭ ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ 3 55 ২৫৮.৫ 12
৪.৭ ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.৪ 55 ২৫৮.৫ 22
৪.৭ ৫৭.৫ 30 45 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.৩ 55 ২৫৮.৫ 30
৫.৬ ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২.৯ 55 ৩০৮ 12
৫.৬ ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ২০.৩ ২.২ 55 ৩০৮ 22
৫.৬ ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৫২.৫ ১০.২ ২.২ 55 ৩০৮ 31
6 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৩৭.৫ ২.৮ 55 ৩৩০ 12
6 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৫ ২.১ 55 ৩৩০ 22
6 ৫৭.৫ 35 50 ১.২ ৩৭.৫ ১০.২ 2 55 ৩৩০ 32
৬.৮ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ১.২ ৩৭.৫ ২.৫ 55 ৩৭৪ 12
৬.৮ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ১.২ ৩৭.৫ ২০.৩ ১.৯ 55 ৩৭৪ 22
৬.৮ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ১.২ ৩৭.৫ ১০.২ ১.৮ 55 ৩৭৪ 32

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সু-নকশিত পাওয়ার ফ্যাক্টর কারেকশন ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি সিস্টেমের জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - সিআরই বিস্তারিত ছবি

সু-নকশিত পাওয়ার ফ্যাক্টর কারেকশন ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি সিস্টেমের জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - সিআরই বিস্তারিত ছবি

সু-নকশিত পাওয়ার ফ্যাক্টর কারেকশন ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি সিস্টেমের জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - সিআরই বিস্তারিত ছবি


সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

"আমরা উৎকর্ষতার জন্য প্রচেষ্টা করি, গ্রাহকদের সেবা প্রদান করি", কর্মী, সরবরাহকারী এবং সম্ভাব্যদের জন্য শীর্ষ সহযোগিতা দল এবং আধিপত্য বিস্তারকারী ব্যবসা হওয়ার আশা করি, সু-নকশাকৃত পাওয়ার ফ্যাক্টর কারেকশন ক্যাপাসিটরের জন্য সুবিধা ভাগাভাগি এবং ক্রমাগত প্রচার বাস্তবায়ন করি - উচ্চ শক্তি ব্যবস্থার জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - CRE, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: আর্জেন্টিনা, আর্জেন্টিনা, আর্জেন্টিনা, উচ্চ আউটপুট ভলিউম, শীর্ষ মানের, সময়মত ডেলিভারি এবং আপনার সন্তুষ্টি নিশ্চিত। আমরা সমস্ত অনুসন্ধান এবং মন্তব্যকে স্বাগত জানাই। আপনি যদি আমাদের কোনও পণ্যে আগ্রহী হন বা পূরণ করার জন্য একটি OEM অর্ডার থাকে, তাহলে অনুগ্রহ করে এখনই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন। আমাদের সাথে কাজ করলে আপনার অর্থ এবং সময় সাশ্রয় হবে।
  • কোম্পানির পরিচালকের ব্যবস্থাপনার অভিজ্ঞতা এবং কঠোর মনোভাব অত্যন্ত সমৃদ্ধ, বিক্রয় কর্মীরা উষ্ণ এবং প্রফুল্ল, প্রযুক্তিগত কর্মীরা পেশাদার এবং দায়িত্বশীল, তাই আমাদের পণ্য নিয়ে কোনও চিন্তা নেই, একটি চমৎকার প্রস্তুতকারক। ৫ তারা ব্যাংকক থেকে কোরা দ্বারা - ২০১৭.০৭.০৭ ১৩:০০
    চুক্তি স্বাক্ষরের পর, আমরা অল্প সময়ের মধ্যে সন্তোষজনক পণ্য পেয়েছি, এটি একটি প্রশংসনীয় প্রস্তুতকারক। ৫ তারা অটোয়া থেকে ক্রিস্টোফার ম্যাবে - ২০১৮.০৯.২৩ ১৮:৪৪

    আপনার বার্তা আমাদের পাঠান:

    আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।

    আপনার বার্তা আমাদের পাঠান: