শক্তি সঞ্চয়ের জন্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

ছোট বিবরণ:

ধাতব ফিল্ম পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর DMJ-MC সিরিজ

১. উচ্চ প্রযুক্তির মাধ্যমে উদ্ভাবন - সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা প্রযুক্তি অর্জনের জন্য CRE প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে অনন্য পণ্য সমাধান।

২. বিশ্বস্ত অংশীদার- বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় পাওয়ার সিস্টেম সরবরাহকারীদের ক্যাপাসিটর সরবরাহকারী এবং বিশ্বব্যাপী পাওয়ার ইলেকট্রনিক সিস্টেমে মোতায়েন।

৩. প্রতিষ্ঠিত পণ্য পোর্টফোলিও, বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য CRE পণ্যের নির্ভরযোগ্যতার প্রমাণিত ইতিহাস সহ একটি বিস্তৃত পোর্টফোলিও।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +85 ℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা:+৭০℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	৫০μF~৪০০০μF
আন/ রেটেড ভোল্টেজ আন	৪৫০ ভোল্ট.ডিসি~৪০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	ভিটি-টি	১.৫Un DC/60S
	ভিটি-সি	১০০০+২×Un/√২ (V.AC) ৬০S(সর্বনিম্ন ৩০০০ V.AC)
ওভার ভোল্টেজ	১.১Un(অন-লোড-ডুরের ৩০%।)
	১.১৫ ইউএন (৩০ মিনিট/দিন)
	১.২ ইউএন (৫ মিনিট/দিন)
	১.৩ ইউএন (১ মিনিট/দিন)
	১.৫Un (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবদ্দশায় ১০০০ বার)
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
অন্তরণ প্রতিরোধের	টাকা*C≥10000S (20℃ 100V.DC 60s এ)
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
সর্বোচ্চ উচ্চতা	৩৫০০ মি
	যখন উচ্চতা ৩৫০০ মিটারের উপরে থেকে ৫৫০০ মিটারের মধ্যে থাকে, তখন হ্রাসকৃত পরিমাণ ব্যবহারের কথা বিবেচনা করা প্রয়োজন। (প্রতিটি ১০০০ মিটার বৃদ্ধির জন্য, ভোল্টেজ এবং কারেন্ট ১০% হ্রাস পাবে)
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071 ; GB/T17702;

বৈশিষ্ট্য

1. অ্যালুমিনিয়াম বৃত্তাকার শেল এনক্যাপসুলেশন, শুকনো রজন আধান;

2. পুরুষ এবং মহিলা লিড, সহজ ইনস্টলেশন;

3. বড় ক্ষমতা, ছোট আকার;

৪. উচ্চ ভোল্টেজের প্রতিরোধ, স্ব-নিরাময় সহ;

৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।

অন্যান্য CRE পণ্যের মতো, সিরিজ ক্যাপাসিটরের UL সার্টিফিকেট এবং 100% বার্ন-ইন পরীক্ষিত।

আবেদন

1. পিভি ইনভার্টার;
2. বায়ু শক্তি রূপান্তরকারী;
3. সকল ধরণের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার এবং ইনভার্টার;
৪. ইভি এবং চার্জিং পাইল;
৫. পিএফসি, ইউপিএস, এসভিজি, এসভিসি ডিভাইস;
৬. অন্যান্য ধরণের বিদ্যুৎ মান ব্যবস্থাপনা।

আয়ুষ্কাল

রূপরেখা অঙ্কন

ΦD(মিমি)	পি(মিমি)	H1(মিমি)	S	F	M
76	32	20	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
86	32	20	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
96	45	20	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
১১৬	50	22	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
১৩৬	50	30	M16×25 এর বিবরণ	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ

ভোল্টেজ	৪৫০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
৩৮০	76	75	50	10	৩.৮	১১.৪	45	২.২	৪.৫	32	০.৫
৫০০	76	১০০	40	8	৪.০	১২.০	65	১.৫	৩.২	32	০.৬
৭৫০	76	১৩০	50	5	৩.৮	১১.৩	65	১.৬	৩.০	32	০.৭৫
৫০০	86	75	50	8	৪.০	১২.০	55	১.৮	৩.৭	32	০.৮
১০০০	86	১৩০	50	5	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.১
৬৫০	86	১০০	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৯
৬৫০	86	95	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৮৫
৬৫০	96	75	50	5	৩.৩	৯.৮	60	১.৫	৩.৭	45	০.৭৫
১২৫০	96	১৩০	50	4	৫.০	১৫.০	80	১	৩.১	45	১.২
১৮০০	১১৬	১৩০	50	4	৭.২	২১.৬	85	০.৮	৩.৫	50	১.৬
১৪৫০	86	১৯০	60	4	৫.৮	১৭.৪	90	০.৯	২.৭	32	১.৫৫
২৭০০	১১৬	১৯০	60	3	৮.১	২৪.৩	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪৫

ভোল্টেজ	৬০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
২৫০	76	75	40	15	৩.৮	১১.৩	40	৩.১	৪.০	32	০.৫
৩২০	76	১০০	40	10	৩.২	৯.৬	40	২.২	৫.৭	32	০.৬
৪৭০	76	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	60	১.৮	৩.১	32	০.৭৫
৩৩০	86	75	40	15	৫.০	১৪.৯	45	২.৪	৪.১	32	০.৮
৬০০	86	১২০	45	12	৭.২	২১.৬	60	১.৩	৪.৩	32	১.০৫
৬৫০	86	১৩০	50	12	৭.৮	২৩.৪	70	১.২	৩.৪	32	১.১
৬৫০	86	95	50	15	৯.৮	২৯.৩	65	১.২	৩.৯	32	০.৮৫
১০০০	86	১৮০	50	12	১২.০	৩৬.০	70	১.৫	২.৭	32	১.৫
৪২০	96	75	45	15	৬.৩	১৮.৯	50	২	৪.০	45	০.৭৫
৮০০	96	১৩০	60	12	৯.৬	২৮.৮	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৯৫০	১১৬	১০০	60	10	৯.৫	২৮.৫	90	১.২	২.১	50	১.২৫
১২০০	১১৬	১৩০	70	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১৮০০	১১৬	১৮০	50	8	১৪.৪	৪৩.২	80	১.২	২.৬	50	২.৪
২৭০০	১১৬	২৬০	70	5	১৩.৫	৪০.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.২
২৫০০	১৩৬	১৮০	60	5	১২.৫	৩৭.৫	১০০	০.৮	২.৫	50	৩.৭
৩৭৫০	১৩৬	২৬০	70	4	১৫.০	৪৫.০	১১৫	০.৭	২.২	50	৪.৭

ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২০০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	40	4	৩.১	32	০.৫
৪০০	76	১৩০	45	15	৬.০	১৮.০	60	২	২.৮	32	০.৭৫
৪২০	76	১৩০	50	15	৬.৩	১৮.৯	60	২	২.৮	32	০.৭৫
৬০০	86	১২৫	60	15	৯.০	২৭.০	45	৩.২	৩.১	32	১.০৫
৫৫০	86	১৩০	50	12	৬.৬	১৯.৮	65	১.৮	২.৬	32	১.১
৬৮০	96	১৩০	45	12	৮.২	২৪.৫	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৭২০	96	১২৫	60	12	৮.৬	২৫.৯	55	২.৬	২.৫	45	১.১৫
১০০০	১১৬	১৩০	50	10	১০.০	৩০.০	80	১	৩.১	50	১.৬
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.২	৩.০	45	১.৬
১৫০০	১১৬	১৮০	60	7	১০.৫	৩১.৫	85	০.৯	৩.১	50	২.৪
২০০০	১১৬	২৩০	70	7	১৪.০	৪২.০	85	০.৮	৩.৫	50	3
২০০০	১৩৬	১৮০	60	7	১৪.০	৪২.০	90	০.৭৫	৩.৩	50	৩.৭
৩০০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৫.০	৪৫.০	১০০	০.৭	২.৯	50	৪.২
৩৩০০	১৩৬	২৬০	70	5	১৬.৫	৪৯.৫	১২০	০.৬	২.৩	50	৪.৭

ভোল্টেজ	৮০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১১০	86	80	45	20	২.২	৬.৬	75	২	১.৮	32	০.৮
১৫০	86	95	45	20	৩.০	৯.০	80	১.৫	২.১	32	০.৮৫
২৫০	86	75	45	15	৩.৮	১১.৩	45	৩.১	৩.২	32	০.৮
৩৬০	86	১৩০	55	12	৪.৩	১৩.০	65	২.২	২.২	32	১.১
৪৭০	86	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.১
৬০০	96	১৩০	55	10	৬.০	১৮.০	75	২.২	১.৬	45	১.২
৭৩০	86	১৮০	55	10	৭.৩	২১.৯	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৭৫০	86	১৮০	55	12	৯.০	২৭.০	75	১.৮	২.০	32	১.৫
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.৩	২.৭	45	১.৬
৯০০	১১৬	১৩০	65	7	৬.৩	১৮.৯	80	১.৪	২.২	50	১.৬
১৪০০	১১৬	১৮০	65	7	৯.৮	২৯.৪	80	০.৯	৩.৫	50	২.৪
১০০০	১১৬	১২৫	60	7	৭.০	২১.০	70	১.৪	২.৯	50	১.৫৫
২০০০	১১৬	২৩০	65	5	১০.০	৩০.০	85	০.৯	৩.১	50	3
২৮০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৪.০	৪২.০	১০০	০.৮	২.৫	50	৪.২

ভোল্টেজ	৯০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৬০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	35	3	৫.৪	32	০.৫
৩২০	76	১৩০	50	15	৫.০	১৪.৯	60	৩.২	১.৭	32	০.৭৫
৩৫০	76	১২৫	50	15	৫.০	১৫.০	40	২.৮	৪.৫	32	০.৭৫
২১০	86	75	40	15	৩.২	৯.৫	40	২.২	৫.৭	32	০.৮
৪৫০	86	১২৫	45	12	৫.৪	১৬.২	50	২.৭	৩.০	32	১.১
৪২০	86	১৩০	45	12	৫.০	১৫.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
৪৯০	86	১২০	45	10	৪.৯	১৪.৭	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৫১০	86	১২০	45	10	৫.১	১৫.৩	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৬৬০	86	১৮০	50	10	৬.৬	১৯.৮	70	২	২.০	32	১.৫
৯০০	86	২৩০	50	10	৯.০	২৭.০	65	২.১	২.৩	32	১.৮
৫৮০	96	১২৫	50	10	৫.৮	১৭.৪	55	৩.৩	২.০	45	১.২
৫৪০	96	১৩০	50	7	৩.৮	১১.৩	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৬৩০	১১৬	১০০	55	7	৪.৪	১৩.২	60	২	২.৮	50	১.৩
৮৬০	১১৬	১২৫	55	7	৬.০	১৮.১	60	২.২	২.৫	50	১.৫৫
৮১০	১১৬	১৩০	60	7	৫.৭	১৭.০	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১২৫০	১১৬	১৮০	60	7	৮.৮	২৬.৩	80	১.২	২.৬	50	২.৪
১৭০০	১১৬	২৩০	60	5	৮.৫	২৫.৫	80	১.১	২.৮	50	3
১৭০০	১৩৬	১৮০	65	6	১০.২	৩০.৬	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৪০০	১৩৬	২৩০	70	5	১২.০	৩৬.০	১০০	০.৯৫	২.১	50	৪.২

ভোল্টেজ	১১০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	76	75	40	15	১.৯	৫.৬	35	৪.৫	৩.৬	32	০.৫
২৬০	76	১৩০	45	15	৩.৮	১১.৩	60	২.৮	২.০	32	০.৭৫
২৮০	76	১২৫	50	12	৩.৩	৯.৯	35	4	৪.১	32	০.৭৫
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	5	২.০	32	০.৮
৩৬০	86	১২৫	55	12	৪.৩	১৩.০	35	২.৫	৬.৫	32	১.১
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	60	২	২.৮	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	65	১.৫	৩.২	32	১.২৫
৪৭০	86	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৫০০	86	১৮০	60	10	৫.০	১৫.০	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৭২০	86	২৩০	70	12	৮.৬	২৫.৯	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৪৬০	96	১২৫	65	10	৪.৬	১৩.৮	55	৩.২	২.১	45	১.২
৫২০	96	১৮০	65	12	৬.২	১৮.৭	75	১.৫	২.৪	45	১.৬
৫০০	১১৬	১০০	70	10	৫.০	১৫.০	55	২.৫	২.৬	50	১.৩
৬৮০	১১৬	১২৫	70	10	৬.৮	২০.৪	60	২.৮	২.০	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৩০	75	10	৬.৫	১৯.৫	75	১.৩	২.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	75	12	১২.০	৩৬.০	75	১.৫	২.৪	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১২০০	১১৬	২৩০	75	12	১৪.৪	৪৩.২	১০৫	০.৯	২.০	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.০	৪৫.০	80	১.৫	২.১	50	3
১৩০০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.৬	৪৬.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	70	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.৩	২.১	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	70	5	৮.৫	২৫.৫	১০০	১.৪	১.৪	50	৪.২
১৯০০	১৩৬	২৩০	75	5	৯.৫	২৮.৫	১০০	১.২	১.৭	50	৪.২
২৮০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৪.০	৪২.০	১২০	০.৮	১.৭	50	৬.১
৩০৬০	১৩৬	৩৪৫	80	5	১৫.৩	৪৫.৯	১২০	০.৯	১.৫	50	৬.২
৩২০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৬.০	৪৮.০	১২০	০.৮৫	১.৬	50	৬.১

ভোল্টেজ	১২০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	৪.৫	২.২	32	০.৮
৪২০	76	১৪৫	50	15	৬.৩	১৮.৯	30	12	১.৯	32	০.৮৫
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	65	২	২.৪	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.২৫
৪২০	১১৬	95	55	10	৪.২	১২.৬	80	১.৪	২.২	50	১.২
৪৫০	86	১৬০	55	12	৫.৪	১৬.২	70	২.৯	১.৪	32	১.৩
৪৭০	86	১৮০	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৫
৪৭০	86	২২৫	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৮
৫৫০	86	১৪৫	55	12	৬.৬	১৯.৮	40	11	১.১	32	১,২
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৫০০	১১৬	১০০	65	10	৫.০	১৫.০	55	২.৬	২.৫	50	১.২
৬৮০	১১৬	১২৫	65	10	৬.৮	২০.৪	50	২.৮	২.৯	50	১.৫৫
৬৫০	১১৬	১৩০	65	10	৬.৫	১৯.৫	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	70	7	৭.০	২১.০	75	১.৩	২.৭	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৪	২৫.২	75	১.৩	২.৭	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৮	২৬.৩	75	১.২	৩.০	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	75	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.১	২.৫	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	80	5	৮.৫	২৫.৫	85	১	২.৮	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	১২৫	70	8	৬.৮	২০.৪	75	১.৬	২.২	50	১.৯
৯৫০	১৩৬	১২৫	60	8	৭.৬	২২.৮	80	১.১	২.৮	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	১	৩.১	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	60	5	৬.০	১৮.০	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪
১৫০০	১৩৬	১৮০	70	5	৭.৫	২২.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৭০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৩.৫	৪০.৫	১১০	০.৮৫	১.৯	50	৬.১

ভোল্টেজ	১৩০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২৩০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
২১০	86	১৩০	50	15	৩.২	৯.৫	70	২	২.০	32	১.১
৩৩০	86	১৮০	60	15	৫.০	১৪.৯	65	3	১.৬	32	১.৫
৪৭০	86	২৩০	65	12	৫.৬	১৬.৯	65	৩.২	১.৫	32	১.৮
৪১০	১১৬	১৩০	65	12	৪.৯	১৪.৮	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৮০	65	10	৬.৫	১৯.৫	85	২	১.৪	50	২.৪
৮৮০	১১৬	২৩০	80	10	৮.৮	২৬.৪	85	২.২	১.৩	50	3
৯০০	১৩৬	১৮০	70	7	৬.৩	১৮.৯	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
১২০০	১৩৬	২৩০	80	7	৮.৪	২৫.২	১০৫	১.৫	১.২	50	৪.২

ভোল্টেজ	১৫০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১৬০	86	১৩০	50	15	২.৪	৭.২	60	৩.৫	১.৬	32	১.১
২৪০	86	১৮০	55	15	৩.৬	১০.৮	65	5	০.৯	32	১.৫
৩২০	86	২৩০	55	12	৩.৮	১১.৫	60	৩.৫	১.৬	32	১.৮
৩০০	১১৬	১৩০	55	12	৩.৬	১০.৮	75	২	১.৮	50	১.৬
৪৭০	১১৬	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	75	২.৮	১.৩	50	২.৪
৬৫০	১১৬	২৩০	60	10	৬.৫	১৯.৫	80	২.৮	১.১	50	3
৬৬০	১৩৬	১৮০	60	7	৪.৬	১৩.৯	১০০	১.৮	১.১	50	৩.৭
৯০০	১৩৬	২৩০	60	6	৫.৪	১৬.২	১০৫	১.২	১.৫	50	৪.২
১০০০	১৩৬	২৬০	70	5	৫.০	১৫.০	১২০	০.৯	১.৫	50	৪.৭

ভোল্টেজ	১৮০০ ভি.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	86	১২৫	55	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১২০	86	১৩০	55	15	১.৮	৫.৪	60	২.৫	২.২	32	১.১
১৮০	86	১৮০	60	15	২.৭	৮.১	65	২	২.৪	32	১.৫
২৬০	86	২৩০	60	12	৩.১	৯.৪	60	3	১.৯	32	১.৮
২৩০	১১৬	১৩০	60	12	২.৮	৮.৩	80	২	১.৬	50	১.৬
৩৬০	১১৬	১৮০	65	10	৩.৬	১০.৮	80	৩.২	১.০	50	২.৪
৫০০	১১৬	২৩০	70	10	৫.০	১৫.০	75	3	১.২	50	3
৫১০	১৩৬	১৮০	70	7	৩.৬	১০.৭	১০০	২	১.০	50	৩.৭
৬৮০	১৩৬	২৩০	70	7	৪.৮	১৪.৩	95	২	১.১	50	৪.২

ভোল্টেজ	২০০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১০০	86	১২৫	55	15	১.৫	৪.৫	35	৩.৮	৪.৩	32	১.১
90	86	১৩০	55	15	১.৪	৪.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
১৫০	86	১৮০	60	15	২.৩	৬.৮	60	৩.৫	১.৬	32	১.৫
২০০	86	২৩০	60	12	২.৪	৭.২	65	২	২.৪	32	১.৮
১৮০	১১৬	১৩০	65	10	১.৮	৫.৪	75	২.৫	১.৪	50	১.৬
২৮০	১১৬	১৮০	70	10	২.৮	৮.৪	70	২	২.০	50	২.৪
৩৮০	১১৬	২৩০	80	10	৩.৮	১১.৪	80	২	১.৬	50	3
৪০০	১৩৬	১৮০	60	7	২.৮	৮.৪	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
৫৫০	১৩৬	২৩০	70	7	৩.৯	১১.৬	১০০	১.৫	১.৩	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	৩৩৫	80	5	৪.৩	১২.৮	১২০	১.১	১.৩	50	৬.১

ভোল্টেজ	২৮০০ ভি.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	১১৬	১৮০	70	30	৪.৮	১৪.৪	75	২.২	১.৬	50	২.৪
২১০	১১৬	২৩০	75	25	৫.৩	১৫.৮	70	২.৮	১.৫	50	3
২২৫	১৩৬	১৮০	75	20	৪.৫	১৩.৫	85	২	১.৪	50	৩.৭
৩০০	১৩৬	২৩০	80	15	৪.৫	১৩.৫	80	২.৫	১.৩	50	৪.২

ভোল্টেজ	৪০০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
70	১১৬	১৮০	70	50	৩.৫	১০.৫	70	৩.৫	১.২	50	২.৪
95	১১৬	২৩০	75	40	৩.৮	১১.৪	70	৩.৬	১.১	50	3
১০০	১৩৬	১৮০	75	35	৩.৫	১০.৫	85	3	০.৯	50	৩.৭
১৩৫	১৩৬	২৩০	80	30	৪.১	১২.২	80	৩.৫	০.৯	50	৪.২