লিরন প্রস্তুতকারকের তৈরি OEM 105 অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরে নতুন আগত স্ন্যাপ

Liron প্রস্তুতকারকের তৈরি OEM 105 অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরে নতুন আগত স্ন্যাপ বৈশিষ্ট্যযুক্ত ছবি

ছোট বিবরণ:

AKMJ-PS সিরিজটি পিন টার্মিনাল দিয়ে ডিজাইন করা হয়েছে, PCB বোর্ডে মাউন্ট করা হয়েছে। AC ফিল্টারের জন্য ব্যবহৃত পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

"আন্তরিকতা, উদ্ভাবন, কঠোরতা এবং দক্ষতা" আমাদের উদ্যোগের দীর্ঘমেয়াদী ধারণা হতে পারে পারস্পরিক পারস্পরিকতা এবং পারস্পরিক লাভের জন্য ক্লায়েন্টদের সাথে একসাথে উৎপাদন করা, লিরন প্রস্তুতকারকের তৈরি OEM 105 অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরগুলিতে নতুন আগমন স্ন্যাপের জন্য, আমরা সৎ গ্রাহকদের সাথে নিবিড় সহযোগিতা অর্জনের চেষ্টা করছি, গ্রাহকদের এবং কৌশলগত অংশীদারদের সাথে গৌরবের একটি নতুন প্রেরণা অর্জন করছি।
"আন্তরিকতা, উদ্ভাবন, কঠোরতা এবং দক্ষতা" আমাদের উদ্যোগের দীর্ঘমেয়াদী ধারণা হতে পারে পারস্পরিক পারস্পরিকতা এবং পারস্পরিক লাভের জন্য ক্লায়েন্টদের সাথে একসাথে উৎপাদন করা।চায়না সুপার ক্যাপাসিটর এবং ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর, চুলের পণ্য উৎপাদনে আমাদের বহু বছরের অভিজ্ঞতা রয়েছে, এবং আমাদের কঠোর QC টিম এবং দক্ষ কর্মীরা নিশ্চিত করবে যে আমরা আপনাকে সর্বোত্তম চুলের গুণমান এবং কারিগরি দক্ষতা সহ সেরা চুলের পণ্য সরবরাহ করব। আপনি যদি এমন একজন পেশাদার প্রস্তুতকারকের সাথে সহযোগিতা করতে চান তবে আপনি সফল ব্যবসা পাবেন। আপনার অর্ডার সহযোগিতাকে স্বাগত জানাই!

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	৩～৫০μF
রেটেড ভোল্টেজ	২০০ ভোল্ট.এসি~৪৫০ ভোল্ট.এসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	2Un DC/10S সম্পর্কে
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0015f=1KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	আরএস*সি≥৫০০০সে (২০℃ ১০০ ভোল্টে। ডিসি৬০সে)
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি 61071;
অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	৩～৫০μF
রেটেড ভোল্টেজ	২০০ ভোল্ট.এসি~৪৫০ ভোল্ট.এসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	2Un DC/10S সম্পর্কে
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0015f=1KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	আরএস*সি≥৫০০০সে (২০℃ ১০০ ভোল্টে। ডিসি৬০সে)
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)

বৈশিষ্ট্য

১. শুষ্ক ফিল্ম নির্মাণ;
2. টিনযুক্ত তামার তার দিয়ে তৈরি লিড; ছোট আকার। সহজ ইনস্টলেশন;
৩. কম ESL এবং ESR;
৪. উচ্চ পালস কারেন্ট।

আবেদন

1. শক্তি সঞ্চয় ফিল্টার করার জন্য ডিসি-লিংক সার্কিটে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়;
2. ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার প্রতিস্থাপন করতে পারে, উন্নত কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘ জীবনকাল।
৩. পিভি ইনভার্টার, উইন্ড পাওয়ার কনভার্টার; সকল ধরণের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার এবং ইনভার্টার পাওয়ার সাপ্লাই;
খাঁটি বৈদ্যুতিক এবং হাইব্রিড গাড়ি; চার্জিং পাইল, ইউপিএস, ইত্যাদি।

রূপরেখা অঙ্কন

এফএফএফ

	(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR @১০KHz (mΩ)	ডিভি/ডিটি (ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @40℃ @10KHz (A)
20	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	30	৬০০	12
20	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	30	৬০০	22
25	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৮	17	৪২৫	12
25	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.২	17	৪২৫	22
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৫	17	৫১০	12
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৯	17	৫১০	22
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৮	17	৫১০	25
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৩	17	৫৬১	12
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৭	17	৫৬১	22
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৬	17	৫৬১	28
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.২	17	৫৯৫	12
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৬	17	৫৯৫	22
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৫	17	৫৯৫	30
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		3	17	৬৮০	12
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৪	17	৬৮০	22
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৩	17	৬৮০	30
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫		২.৮	17	৭৬৫	12
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫	২০.৩	২.৩	17	৭৬৫	22
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫	১০.২	২.২	17	৭৬৫	32
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫		২.৭	17	৮৫০	12
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.২	17	৮৫০	22
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫	১০.২	২.১	17	৮৫০	32

ভোল্টেজ			৪০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ২৫০ ভ্যাক; ইউএস ৮০০ ভোল্ট
	(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
10	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫		২.৬	40	৪০০	12
10	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫	২০.৩	2	40	৪০০	23
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	40	৬০০	28
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	40	৬০০	28
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৭	40	৬০০	28
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫		২.২	40	৭২০	15
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৭	40	৭২০	15
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৬	40	৭২০	15
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৫	20	৪০০	25
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৯	20	৪০০	25
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৮	20	৪০০	25
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৪	20	৫০০	28
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৮	20	৫০০	28
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৭	20	৫০০	28
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫		৩.২	20	৬০০	25
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৭	20	৬০০	25
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৬	20	৬০০	25

ভোল্টেজ			600V.DC, Urms330Vac; Us1200V
		(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
5	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫		৩.১	55	২৭৫	12
5	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৫	55	২৭৫	20
৬.৮	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৮	55	৩৭৪	12
৬.৮	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	55	৩৭৪	22
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৬	55	৪৯৫	12
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	55	৪৯৫	22
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৯	55	৪৯৫	28
10	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৪.২	30	৩০০	22
10	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৭	30	৩০০	25
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৬	30	৪৫০	12
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৮	30	৪৫০	20
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৭	30	৪৫০	28

ভোল্টেজ			700V.DC, Urms400Vac; Us1400V
		(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
৪.৭	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		3	70	৩২৯	12
৪.৭	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৪	70	৩২৯	22
5	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৯	70	৩৫০	12
5	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৩	70	৩৫০	22
6	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫		২.৮	70	৪২০	12
6	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	70	৪২০	22
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৪.২	40	৩২০	12
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৬	40	৩২০	22
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	৩.৫	40	৩২০	28
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৯	40	৪০০	12
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৩	40	৪০০	22
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	৩.২	40	৪০০	30
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫		৩.৬	40	৬০০	12
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.১	40	৬০০	22
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	১০.২	3	40	৬০০	30

ভোল্টেজ			আন 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
		(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৪	১১০	৩৩০	12
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	১১০	৩৩০	22
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৭	১১০	৩৩০	25
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	১১০	৩৬৩	12
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৭	১১০	৩৬৩	22
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৬	১১০	৩৬৩	28
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.১	55	২২০	12
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৫	55	২২০	22
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৪	55	২২০	28
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		3	55	২৫৮.৫	12
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৪	55	২৫৮.৫	22
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৩	55	২৫৮.৫	30
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		২.৯	55	৩০৮	12
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.২	55	৩০৮	22
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.২	55	৩০৮	31
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫		২.৮	55	৩৩০	12
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫	২০.৫	২.১	55	৩৩০	22
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫	১০.২	2	55	৩৩০	32
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫		২.৫	55	৩৭৪	12
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৯	55	৩৭৪	22
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৮	55	৩৭৪	32

"আন্তরিকতা, উদ্ভাবন, কঠোরতা এবং দক্ষতা" আমাদের উদ্যোগের দীর্ঘমেয়াদী ধারণা হতে পারে পারস্পরিক পারস্পরিকতা এবং পারস্পরিক লাভের জন্য ক্লায়েন্টদের সাথে একসাথে উৎপাদন করা, লিরন প্রস্তুতকারকের তৈরি OEM 105 অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরগুলিতে নতুন আগমন স্ন্যাপের জন্য, আমরা সৎ গ্রাহকদের সাথে নিবিড় সহযোগিতা অর্জনের চেষ্টা করছি, গ্রাহকদের এবং কৌশলগত অংশীদারদের সাথে গৌরবের একটি নতুন প্রেরণা অর্জন করছি।
নতুন আগমনচায়না সুপার ক্যাপাসিটর এবং ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর, চুলের পণ্য উৎপাদনে আমাদের বহু বছরের অভিজ্ঞতা রয়েছে, এবং আমাদের কঠোর QC টিম এবং দক্ষ কর্মীরা নিশ্চিত করবে যে আমরা আপনাকে সর্বোত্তম চুলের গুণমান এবং কারিগরি দক্ষতা সহ সেরা চুলের পণ্য সরবরাহ করব। আপনি যদি এমন একজন পেশাদার প্রস্তুতকারকের সাথে সহযোগিতা করতে চান তবে আপনি সফল ব্যবসা পাবেন। আপনার অর্ডার সহযোগিতাকে স্বাগত জানাই!

আগে: OEM/ODM পলিপ্রোপিলিন ক্যাপাসিটর Sh Cbb60 এসি মোটর রান ক্যাপাসিটর ক্যাপাসিটর প্রস্তুতকারক চীন সরবরাহকারী সরবরাহ করুন

পরবর্তী: পাইকারি মূল্য চীন ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের পাইকারি 160V 1UF ডিআইপি ক্যাপাসিটর ক্যাপাসিটরের মূল প্রস্তুতকারক