পাওয়ার জেনারেশনের জন্য ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটরের জন্য উত্পাদনকারী কোম্পানি - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE

পাওয়ার জেনারেশনের জন্য ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটরের জন্য উত্পাদনকারী সংস্থাগুলি - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা নিশ্চিত যে যৌথ প্রচেষ্টায়, আমাদের মধ্যে ব্যবসা আমাদের পারস্পরিক সুবিধা নিয়ে আসবে।আমরা আপনাকে পণ্যের গুণমান এবং প্রতিযোগিতামূলক মূল্য নিশ্চিত করতে পারিপিসিবি ক্যাপাসিটর , আইজিবিটি স্নাবার ক্যাপাসিটর , (ক্যাপাসিটার ব্যবহার করে মাল্টি-আওয়ার বাল্ক এনার্জি স্টোরেজ, সমস্ত দাম আপনার নিজ নিজ অর্ডার পরিমাণ উপর নির্ভর করে;আপনি অতিরিক্ত কিনবেন, অতিরিক্ত অর্থনৈতিক হার হবে।আমরা অসংখ্য বিখ্যাত ব্র্যান্ডের জন্য চমত্কার OEM প্রদানকারী অফার করি।

পাওয়ার জেনারেশনের জন্য ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটরের জন্য উত্পাদনকারী কোম্পানি - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা বিন্যাস	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, উপরে, সর্বোচ্চ: + 85℃ উপরের বিভাগের তাপমাত্রা: +85℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	0.1μF～5.6μF
রেটেড ভোল্টেজ	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	1.5Un DC/10S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S এ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
স্ট্রাইক স্রোত সহ্য করুন
আয়ু	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

আবেদন

1. আইজিবিটি স্নাবার, জিটিও স্নাবার

2. ব্যাপকভাবে শক্তি ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতি ব্যবহৃত যখন পিক ভোল্টেজ, পিক বর্তমান শোষণ সুরক্ষা.

রূপরেখা অঙ্কন

SMJ-TE অক্ষীয় ক্যাপাসিটর
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±1)	T (মিমি±1)	H (mm±1)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
৬.৮	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
৬.৮	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ		আন 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±1)	T (মিমি±1)	H (mm±1)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	৮.৭
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ		আন 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±1)	T (মিমি±1)	H (mm±1)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	৯.৮
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974	18.2
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±1)	T (মিমি±1)	H (mm±1)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ		আন 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±1)	T (মিমি±1)	H (mm±1)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	৬.৯
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ		আন 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
ক্যাপাসিট্যান্স (uF)	এল (মিমি±1)	T (মিমি±1)	H (mm±1)	φd (মিমি)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

ভিডিও

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমাদের সাফল্যের মূল চাবিকাঠি হল "ভালো পণ্য চমৎকার, যুক্তিসঙ্গত হার এবং দক্ষ পরিষেবা" উৎপাদনকারী কোম্পানিগুলির জন্য ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটরের জন্য পাওয়ার জেনারেশন - উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং উচ্চ পালস অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত পলিপ্রোপিলিন স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE , পণ্যটি সরবরাহ করবে সারা বিশ্বে, যেমন: কুয়ালালামপুর, সুদান, সাইপ্রাস, আমরা "সর্বোত্তম আইটেম এবং চমৎকার পরিষেবা দিয়ে গ্রাহকদের আকৃষ্ট করার" দর্শন মেনে চলেছি।আমরা আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে এবং পারস্পরিক সুবিধার জন্য সহযোগিতা চাইতে বিশ্বের সমস্ত প্রান্ত থেকে গ্রাহকদের, ব্যবসায়িক সমিতি এবং বন্ধুদের স্বাগত জানাই।

এসি ফিল্টারিং সলিউশন

কন্ডাকশন কুলড ক্যাপাসিটার

কাস্টম-তৈরি অনুরণন ক্যাপাসিটর

সৌর বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল জন্য কাস্টমাইজড ক্যাপাসিটর

ডিসি ক্যাপাসিটর

সিমেনস ওয়েল্ডিং মেশিনের জন্য ডিসি লিংক ক্যাপাসিটর

ড্রাই টাইপ ফিল্ম ক্যাপাসিটর সলিউশন

এনার্জি-স্টোরেজ ক্যাপাসিটর

ফিল্ম ক্যাপাসিটর উদ্ভাবন

উচ্চ ভোল্টেজ পলিপ্রোপিলিন ফিল্ম ক্যাপাসিটর

কারখানার প্রযুক্তিগত কর্মীরা আমাদের সহযোগিতা প্রক্রিয়ায় অনেক ভাল পরামর্শ দিয়েছেন, এটি খুব ভাল, আমরা খুব কৃতজ্ঞ।

তানজানিয়া থেকে অ্যান্ড্রু দ্বারা - 2017.09.26 12:12

কারখানার কর্মীদের সমৃদ্ধ শিল্প জ্ঞান এবং অপারেশনাল অভিজ্ঞতা রয়েছে, আমরা তাদের সাথে কাজ করে অনেক কিছু শিখেছি, আমরা অত্যন্ত কৃতজ্ঞ যে আমরা একটি ভাল কোম্পানির সাথে চমৎকার কর্মী রয়েছে।

উরুগুয়ে থেকে জেনেভিভ দ্বারা - 2017.08.21 14:13