মাঝারি ফ্রিকোয়েন্সি ইন্ডাকশন ফার্নেসের জন্য ক্যাপাসিটরের সর্বনিম্ন দাম - উচ্চ ক্ষমতার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটরের নকশা - CRE

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

গ্রাহকের স্বার্থের প্রতি ইতিবাচক এবং প্রগতিশীল মনোভাব পোষণ করে, আমাদের সংস্থা ক্রেতাদের চাহিদা পূরণের জন্য ধারাবাহিকভাবে আমাদের পণ্যের মান উন্নত করে এবং সুরক্ষা, নির্ভরযোগ্যতা, পরিবেশগত বৈশিষ্ট্য এবং উদ্ভাবনের উপর আরও জোর দেয়।Abb মাইনিং কনভার্টারের জন্য ব্যবহৃত ডিসি লিঙ্ক ক্যাপাসিটর , পিএফসি ক্যাপাসিটর , টিউনড প্যাসিভ ফিল্টারিংয়ের জন্য এসি ক্যাপাসিটর, আমরা মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র, যুক্তরাজ্য, জার্মানি এবং কানাডার ২০০ টিরও বেশি পাইকারের সাথে টেকসই ব্যবসায়িক সম্পর্ক বজায় রাখছি। আপনি যদি আমাদের যেকোনো পণ্যের প্রতি আগ্রহী হন, তাহলে অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে দ্বিধা করবেন না।

মাঝারি ফ্রিকোয়েন্সি ইন্ডাকশন ফার্নেসের জন্য ক্যাপাসিটরের সর্বনিম্ন দাম - উচ্চ ক্ষমতার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটরের নকশা - CRE বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +85℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	০.১μF~৫.৬μF
রেটেড ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট.ডিসি~৩০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	১.৫Un DC/১০S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S এ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
স্ট্রাইক কারেন্ট সহ্য করুন	ডেটাশিট দেখুন
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071; জিবি/টি17702;

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ	700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি (ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	৫০০	২৩৫	8
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	25	৪৮০	৩২৬.৪	10
1	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	24	৪৫০	৪৫০	12
১.৫	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	25	৪৩০	৬৪৫	5
2	৪২.৫	33	৩৫.৫	6	24	৪২০	৮৪০	15
২.৫	৪২.৫	33	45	6	23	৪০০	১০০০	18
3	৪২.৫	33	45	৫.৫	22	৩৮০	১১৪০	20
3	৫৭.৫	30	45	5	26	৩৫০	১০৫০	22
৩.৫	৪২.৫	33	45	5	23	৩৫০	১২২৫	25
৩.৫	৫৭.৫	30	45	6	25	৩০০	১০৫০	22
৪.৭	৫৭.৫	35	50	5	28	২৮০	১৩১৬	25
৫.৬	৫৭.৫	38	54	4	30	২৫০	১৪০০	25
6	৫৭.৫	38	54	৩.৫	33	২৩০	১৩৮০	28
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	32	২২০	১৪৯৬	32
8	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	30	২০০	১৬০০	33
ভোল্টেজ	১০০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ৫০০ ভ্যাক; ইউএস ১৫০০ ভোল্ট
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	25	১০০০	৪৭০	10
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	25	৮০০	৫৪৪	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	24	৮০০	৮০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	24	৭০০	১০৫০	15
2	৪২.৫	33	45	5	22	৭০০	১৪০০	20
২.৫	৫৭.৫	30	45	5	30	৬০০	১৫০০	22
3	৫৭.৫	35	50	4	30	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	35	50	৩.৫	28	৫৫০	১৮১৫	25
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	28	৫০০	১৭৫০	25
4	৫৭.৫	38	54	৩.২	26	৫০০	২০০০	28
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	3	25	৪২০	১৯৭৪	30
৫.৬	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	24	৪০০	২২৪০	32
ভোল্টেজ	1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	24	১২০০	৫৬৪	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	23	১১০০	৭৪৮	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	22	৮০০	৮০০	14
১.৫	৪২.৫	33	45	5	20	৮০০	১২০০	15
2	৫৭.৫	30	45	4	30	৭৫০	১৫০০	20
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	৭০০	১৭৫০	25
3	৫৭.৫	35	50	4	27	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	4	27	৫৫০	১৮১৫	28
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	28
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৪৫০	১৮০০	30
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	23	৪২০	১৯৭৪	32
ভোল্টেজ	1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৩৩	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	১৩০০	৪২৯	9
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	24	১৩০০	৬১১	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	8	23	১৩০০	৮৮৪	12
1	৪২.৫	33	45	7	22	১২০০	১২০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	22	১২০০	১৮০০	18
১.৫	৫৭.৫	30	45	5	31	১২০০	১৮০০	20
2	৫৭.৫	30	45	5	30	১১০০	২২০০	22
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	১১০০	২৭৫০	25
3	৫৭.৫	38	54	4	27	৭০০	২১০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	৩.৮	26	৬০০	১৯৮০	28
৩.৫	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	30
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	25	৪৫০	১৮০০	32
ভোল্টেজ	২০০০V.DC,Urms৭০০Vac;Us৩০০০V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.২২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	15	25	১৫০০	৩৩০	10
০.৩৩	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	12	24	১৫০০	৪৯৫	12
০.৪৭	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	11	23	১৪০০	৬৫৮	15
০.৬৮	৪২.৫	33	45	8	22	১২০০	৮১৬	18
০.৬৮	৫৭.৫	30	45	7	30	১১০০	৭৪৮	20
০.৮২	৪২.৫	33	45	7	28	১২০০	৯৮৪	22
1	৫৭.৫	30	45	6	28	১১০০	১১০০	25
১.৫	৫৭.৫	35	50	5	25	১০০০	১৫০০	28
2	৫৭.৫	38	54	5	24	৮০০	১৬০০	28
২.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	4	23	৭০০	১৫৪০	32
ভোল্টেজ	3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.১৫	৪২.৫	33	45	18	28	২৫০০	৩৭৫	25
০.২২	৪২.৫	33	45	15	27	২২০০	৪৮৪	28
০.২২	৫৭.৫	35	50	15	25	২০০০	৩৩০	20
০.৩৩	৫৭.৫	35	50	12	24	১৮০০	৪৯৫	20
০.৪৭	৫৭.৫	38	54	11	23	১৬০০	৭৫২	22
০.৬৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	8	22	১৫০০	১০২০	28

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমাদের চমৎকার পণ্যের গুণমান, প্রতিযোগিতামূলক মূল্য এবং মাঝারি ফ্রিকোয়েন্সি ইন্ডাকশন ফার্নেসের জন্য ক্যাপাসিটরের সর্বনিম্ন মূল্যের জন্য সর্বোত্তম পরিষেবার জন্য আমরা আমাদের গ্রাহকদের মধ্যে খুব ভালো খ্যাতি উপভোগ করি - উচ্চ শক্তি প্রয়োগের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর ডিজাইন - CRE, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: কায়রো, নাইজেরিয়া, জ্যামাইকা, আমরা আপনার পৃষ্ঠপোষকতাকে আন্তরিকভাবে স্বাগত জানাই এবং সর্বদা আরও উন্নয়নের প্রবণতার জন্য তৈরি উন্নত মানের পণ্য এবং চমৎকার পরিষেবা দিয়ে দেশে এবং বিদেশে আমাদের ক্লায়েন্টদের সেবা করব। আমরা বিশ্বাস করি আপনি শীঘ্রই আমাদের পেশাদারিত্ব থেকে উপকৃত হবেন।

সোলার ইনভার্টারের জন্য কাস্টমাইজড ক্যাপাসিটর

ড্রাই টাইপ ফিল্ম ক্যাপাসিটর কারখানা

ইলেকট্রনিক ফিল্ম ক্যাপাসিটর

Ess এর জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর

চিকিৎসা সরঞ্জামের জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ধাতব প্লাস্টিক ফিল্ম ক্যাপাসিটর

পিসিবি মাউন্টেড ক্যাপাসিটর

পাওয়ার কনভার্টার ক্যাপাসিটর

স্নাবার হাই ভোল্টেজ ক্যাপাসিটর

ঢেউ শোষণকারী ক্যাপাসিটর

এটি একটি খুব ভালো, খুব বিরল ব্যবসায়িক অংশীদার, পরবর্তী আরও নিখুঁত সহযোগিতার জন্য উন্মুখ!

ইজরায়েল থেকে জ্যানেটের লেখা - ২০১৭.০৯.০৯ ১০:১৮

কারখানার শ্রমিকদের শিল্প জ্ঞান এবং পরিচালনার অভিজ্ঞতা সমৃদ্ধ, তাদের সাথে কাজ করে আমরা অনেক কিছু শিখেছি, আমরা অত্যন্ত কৃতজ্ঞ যে আমরা একটি ভালো কোম্পানির সাথে দেখা করতে পারি যেখানে চমৎকার কর্মী রয়েছে।

নেপলস থেকে ড্যানিয়েল কপিন - 2017.05.31 13:26