ফিল্টার এবং ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটারগুলি পাওয়ার কনভার্সন সিস্টেমের জন্য মূল প্যাসিভ উপাদান।

ছোট বিবরণ:

ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটরের উদ্দেশ্য হল আরও স্থিতিশীল ডিসি ভোল্টেজ প্রদান করা, যা ইনভার্টার যখন বিক্ষিপ্তভাবে ভারী কারেন্টের দাবি করে তখন ওঠানামা সীমিত করে।

সিআরই ডিসি লিংক ক্যাপাসিটর ড্রাই টাইপ প্রযুক্তির জন্য প্রযোজ্য যা এর উচ্চ কর্মক্ষমতা, নিরাপত্তা পরিচালনা, দীর্ঘ জীবনকাল ইত্যাদি নিশ্চিত করে।

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

ফিল্টার এবং ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটারগুলি পাওয়ার কনভার্সন সিস্টেমের জন্য মূল প্যাসিভ উপাদান,
কাস্টম ফিল্ম ক্যাপাসিটর,

ডিসি লিংক ক্যাপাসিটর

ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটারগুলি অনেক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পাওয়ার রূপান্তরের একটি অপরিহার্য পর্যায় গঠন করে।

চাহিদাপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির খরচ, কঠোর পরিবেশ এবং কঠোর নির্ভরযোগ্যতার সীমাবদ্ধতা রয়েছে। যদিও সার্কিট ডিজাইন বিভিন্ন পদ্ধতি ব্যবহার করতে পারে, পাওয়ার রূপান্তর ডিজাইনের দীর্ঘস্থায়ী মূল অংশে রয়েছে DC-Link ক্যাপাসিটার।

ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটারগুলি সিস্টেমের শক্তির ঘনত্ব উন্নত করতে পারে এবং দ্রুত স্যুইচিংয়ের মাধ্যমে প্রবর্তিত তরঙ্গের ভৌত চ্যালেঞ্জগুলি সমাধান করতে পারে যা স্যুইচিং পাওয়ার রূপান্তরের অন্তর্নিহিত।

জিজিজি

আবেদন

পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটারগুলি হল উচ্চ শক্তিতে কাজ করে এমন সরঞ্জামের উপাদান। এই শক্তিকে রূপান্তর এবং নিয়ন্ত্রণ করতে ক্যাপাসিটারগুলি ব্যবহার করা হয়।

১. থ্রি-ফেজ পালস উইথড মডুলেশন (PWM) ইনভার্টার,

2. ফটোভোলটাইক এবং বায়ু শক্তি ইনভার্টার

৩. শিল্প মোটর ড্রাইভ

৪. অটোমোটিভ অনবোর্ড চার্জার এবং ইনভার্টার

৫. চিকিৎসা সরঞ্জাম,

৬. বিদ্যুৎ সরবরাহ ইত্যাদি।

আয়ুষ্কাল

রূপরেখা অঙ্কন

ΦD(মিমি)	পি(মিমি)	H1(মিমি)	S	F	M
76	32	20	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
86	32	20	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
96	45	20	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
১১৬	50	22	M12×16	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ
১৩৬	50	30	M16×25 এর বিবরণ	এম৬×১০	M8×20 এর বিবরণ

ভোল্টেজ	৪৫০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
৩৮০	76	75	50	10	৩.৮	১১.৪	45	২.২	৪.৫	32	০.৫
৫০০	76	১০০	40	8	৪.০	১২.০	65	১.৫	৩.২	32	০.৬
৭৫০	76	১৩০	50	5	৩.৮	১১.৩	65	১.৬	৩.০	32	০.৭৫
৫০০	86	75	50	8	৪.০	১২.০	55	১.৮	৩.৭	32	০.৮
১০০০	86	১৩০	50	5	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.১
৬৫০	86	১০০	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৯
৬৫০	86	95	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৮৫
৬৫০	96	75	50	5	৩.৩	৯.৮	60	১.৫	৩.৭	45	০.৭৫
১২৫০	96	১৩০	50	4	৫.০	১৫.০	80	১	৩.১	45	১.২
১৮০০	১১৬	১৩০	50	4	৭.২	২১.৬	85	০.৮	৩.৫	50	১.৬
১৪৫০	86	১৯০	60	4	৫.৮	১৭.৪	90	০.৯	২.৭	32	১.৫৫
২৭০০	১১৬	১৯০	60	3	৮.১	২৪.৩	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪৫

ভোল্টেজ	৬০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
২৫০	76	75	40	15	৩.৮	১১.৩	40	৩.১	৪.০	32	০.৫
৩২০	76	১০০	40	10	৩.২	৯.৬	40	২.২	৫.৭	32	০.৬
৪৭০	76	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	60	১.৮	৩.১	32	০.৭৫
৩৩০	86	75	40	15	৫.০	১৪.৯	45	২.৪	৪.১	32	০.৮
৬০০	86	১২০	45	12	৭.২	২১.৬	60	১.৩	৪.৩	32	১.০৫
৬৫০	86	১৩০	50	12	৭.৮	২৩.৪	70	১.২	৩.৪	32	১.১
৬৫০	86	95	50	15	৯.৮	২৯.৩	65	১.২	৩.৯	32	০.৮৫
১০০০	86	১৮০	50	12	১২.০	৩৬.০	70	১.৫	২.৭	32	১.৫
৪২০	96	75	45	15	৬.৩	১৮.৯	50	২	৪.০	45	০.৭৫
৮০০	96	১৩০	60	12	৯.৬	২৮.৮	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৯৫০	১১৬	১০০	60	10	৯.৫	২৮.৫	90	১.২	২.১	50	১.২৫
১২০০	১১৬	১৩০	70	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১৮০০	১১৬	১৮০	50	8	১৪.৪	৪৩.২	80	১.২	২.৬	50	২.৪
২৭০০	১১৬	২৬০	70	5	১৩.৫	৪০.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.২
২৫০০	১৩৬	১৮০	60	5	১২.৫	৩৭.৫	১০০	০.৮	২.৫	50	৩.৭
৩৭৫০	১৩৬	২৬০	70	4	১৫.০	৪৫.০	১১৫	০.৭	২.২	50	৪.৭

ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২০০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	40	4	৩.১	32	০.৫
৪০০	76	১৩০	45	15	৬.০	১৮.০	60	২	২.৮	32	০.৭৫
৪২০	76	১৩০	50	15	৬.৩	১৮.৯	60	২	২.৮	32	০.৭৫
৬০০	86	১২৫	60	15	৯.০	২৭.০	45	৩.২	৩.১	32	১.০৫
৫৫০	86	১৩০	50	12	৬.৬	১৯.৮	65	১.৮	২.৬	32	১.১
৬৮০	96	১৩০	45	12	৮.২	২৪.৫	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৭২০	96	১২৫	60	12	৮.৬	২৫.৯	55	২.৬	২.৫	45	১.১৫
১০০০	১১৬	১৩০	50	10	১০.০	৩০.০	80	১	৩.১	50	১.৬
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.২	৩.০	45	১.৬
১৫০০	১১৬	১৮০	60	7	১০.৫	৩১.৫	85	০.৯	৩.১	50	২.৪
২০০০	১১৬	২৩০	70	7	১৪.০	৪২.০	85	০.৮	৩.৫	50	3
২০০০	১৩৬	১৮০	60	7	১৪.০	৪২.০	90	০.৭৫	৩.৩	50	৩.৭
৩০০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৫.০	৪৫.০	১০০	০.৭	২.৯	50	৪.২
৩৩০০	১৩৬	২৬০	70	5	১৬.৫	৪৯.৫	১২০	০.৬	২.৩	50	৪.৭

ভোল্টেজ	৮০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১১০	86	80	45	20	২.২	৬.৬	75	২	১.৮	32	০.৮
১৫০	86	95	45	20	৩.০	৯.০	80	১.৫	২.১	32	০.৮৫
২৫০	86	75	45	15	৩.৮	১১.৩	45	৩.১	৩.২	32	০.৮
৩৬০	86	১৩০	55	12	৪.৩	১৩.০	65	২.২	২.২	32	১.১
৪৭০	86	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.১
৬০০	96	১৩০	55	10	৬.০	১৮.০	75	২.২	১.৬	45	১.২
৭৩০	86	১৮০	55	10	৭.৩	২১.৯	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৭৫০	86	১৮০	55	12	৯.০	২৭.০	75	১.৮	২.০	32	১.৫
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.৩	২.৭	45	১.৬
৯০০	১১৬	১৩০	65	7	৬.৩	১৮.৯	80	১.৪	২.২	50	১.৬
১৪০০	১১৬	১৮০	65	7	৯.৮	২৯.৪	80	০.৯	৩.৫	50	২.৪
১০০০	১১৬	১২৫	60	7	৭.০	২১.০	70	১.৪	২.৯	50	১.৫৫
২০০০	১১৬	২৩০	65	5	১০.০	৩০.০	85	০.৯	৩.১	50	3
২৮০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৪.০	৪২.০	১০০	০.৮	২.৫	50	৪.২

ভোল্টেজ	৯০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৬০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	35	3	৫.৪	32	০.৫
৩২০	76	১৩০	50	15	৫.০	১৪.৯	60	৩.২	১.৭	32	০.৭৫
৩৫০	76	১২৫	50	15	৫.০	১৫.০	40	২.৮	৪.৫	32	০.৭৫
২১০	86	75	40	15	৩.২	৯.৫	40	২.২	৫.৭	32	০.৮
৪৫০	86	১২৫	45	12	৫.৪	১৬.২	50	২.৭	৩.০	32	১.১
৪২০	86	১৩০	45	12	৫.০	১৫.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
৪৯০	86	১২০	45	10	৪.৯	১৪.৭	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৫১০	86	১২০	45	10	৫.১	১৫.৩	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৬৬০	86	১৮০	50	10	৬.৬	১৯.৮	70	২	২.০	32	১.৫
৯০০	86	২৩০	50	10	৯.০	২৭.০	65	২.১	২.৩	32	১.৮
৫৮০	96	১২৫	50	10	৫.৮	১৭.৪	55	৩.৩	২.০	45	১.২
৫৪০	96	১৩০	50	7	৩.৮	১১.৩	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৬৩০	১১৬	১০০	55	7	৪.৪	১৩.২	60	২	২.৮	50	১.৩
৮৬০	১১৬	১২৫	55	7	৬.০	১৮.১	60	২.২	২.৫	50	১.৫৫
৮১০	১১৬	১৩০	60	7	৫.৭	১৭.০	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১২৫০	১১৬	১৮০	60	7	৮.৮	২৬.৩	80	১.২	২.৬	50	২.৪
১৭০০	১১৬	২৩০	60	5	৮.৫	২৫.৫	80	১.১	২.৮	50	3
১৭০০	১৩৬	১৮০	65	6	১০.২	৩০.৬	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৪০০	১৩৬	২৩০	70	5	১২.০	৩৬.০	১০০	০.৯৫	২.১	50	৪.২

ভোল্টেজ	১১০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	76	75	40	15	১.৯	৫.৬	35	৪.৫	৩.৬	32	০.৫
২৬০	76	১৩০	45	15	৩.৮	১১.৩	60	২.৮	২.০	32	০.৭৫
২৮০	76	১২৫	50	12	৩.৩	৯.৯	35	4	৪.১	32	০.৭৫
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	5	২.০	32	০.৮
৩৬০	86	১২৫	55	12	৪.৩	১৩.০	35	২.৫	৬.৫	32	১.১
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	60	২	২.৮	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	65	১.৫	৩.২	32	১.২৫
৪৭০	86	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৫০০	86	১৮০	60	10	৫.০	১৫.০	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৭২০	86	২৩০	70	12	৮.৬	২৫.৯	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৪৬০	96	১২৫	65	10	৪.৬	১৩.৮	55	৩.২	২.১	45	১.২
৫২০	96	১৮০	65	12	৬.২	১৮.৭	75	১.৫	২.৪	45	১.৬
৫০০	১১৬	১০০	70	10	৫.০	১৫.০	55	২.৫	২.৬	50	১.৩
৬৮০	১১৬	১২৫	70	10	৬.৮	২০.৪	60	২.৮	২.০	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৩০	75	10	৬.৫	১৯.৫	75	১.৩	২.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	75	12	১২.০	৩৬.০	75	১.৫	২.৪	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১২০০	১১৬	২৩০	75	12	১৪.৪	৪৩.২	১০৫	০.৯	২.০	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.০	৪৫.০	80	১.৫	২.১	50	3
১৩০০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.৬	৪৬.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	70	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.৩	২.১	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	70	5	৮.৫	২৫.৫	১০০	১.৪	১.৪	50	৪.২
১৯০০	১৩৬	২৩০	75	5	৯.৫	২৮.৫	১০০	১.২	১.৭	50	৪.২
২৮০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৪.০	৪২.০	১২০	০.৮	১.৭	50	৬.১
৩০৬০	১৩৬	৩৪৫	80	5	১৫.৩	৪৫.৯	১২০	০.৯	১.৫	50	৬.২
৩২০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৬.০	৪৮.০	১২০	০.৮৫	১.৬	50	৬.১

ভোল্টেজ	১২০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	৪.৫	২.২	32	০.৮
৪২০	76	১৪৫	50	15	৬.৩	১৮.৯	30	12	১.৯	32	০.৮৫
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	65	২	২.৪	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.২৫
৪২০	১১৬	95	55	10	৪.২	১২.৬	80	১.৪	২.২	50	১.২
৪৫০	86	১৬০	55	12	৫.৪	১৬.২	70	২.৯	১.৪	32	১.৩
৪৭০	86	১৮০	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৫
৪৭০	86	২২৫	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৮
৫৫০	86	১৪৫	55	12	৬.৬	১৯.৮	40	11	১.১	32	১,২
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৫০০	১১৬	১০০	65	10	৫.০	১৫.০	55	২.৬	২.৫	50	১.২
৬৮০	১১৬	১২৫	65	10	৬.৮	২০.৪	50	২.৮	২.৯	50	১.৫৫
৬৫০	১১৬	১৩০	65	10	৬.৫	১৯.৫	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	70	7	৭.০	২১.০	75	১.৩	২.৭	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৪	২৫.২	75	১.৩	২.৭	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৮	২৬.৩	75	১.২	৩.০	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	75	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.১	২.৫	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	80	5	৮.৫	২৫.৫	85	১	২.৮	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	১২৫	70	8	৬.৮	২০.৪	75	১.৬	২.২	50	১.৯
৯৫০	১৩৬	১২৫	60	8	৭.৬	২২.৮	80	১.১	২.৮	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	১	৩.১	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	60	5	৬.০	১৮.০	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪
১৫০০	১৩৬	১৮০	70	5	৭.৫	২২.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৭০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৩.৫	৪০.৫	১১০	০.৮৫	১.৯	50	৬.১

ভোল্টেজ	১৩০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২৩০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
২১০	86	১৩০	50	15	৩.২	৯.৫	70	২	২.০	32	১.১
৩৩০	86	১৮০	60	15	৫.০	১৪.৯	65	3	১.৬	32	১.৫
৪৭০	86	২৩০	65	12	৫.৬	১৬.৯	65	৩.২	১.৫	32	১.৮
৪১০	১১৬	১৩০	65	12	৪.৯	১৪.৮	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৮০	65	10	৬.৫	১৯.৫	85	২	১.৪	50	২.৪
৮৮০	১১৬	২৩০	80	10	৮.৮	২৬.৪	85	২.২	১.৩	50	3
৯০০	১৩৬	১৮০	70	7	৬.৩	১৮.৯	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
১২০০	১৩৬	২৩০	80	7	৮.৪	২৫.২	১০৫	১.৫	১.২	50	৪.২

ভোল্টেজ	১৫০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১৬০	86	১৩০	50	15	২.৪	৭.২	60	৩.৫	১.৬	32	১.১
২৪০	86	১৮০	55	15	৩.৬	১০.৮	65	5	০.৯	32	১.৫
৩২০	86	২৩০	55	12	৩.৮	১১.৫	60	৩.৫	১.৬	32	১.৮
৩০০	১১৬	১৩০	55	12	৩.৬	১০.৮	75	২	১.৮	50	১.৬
৪৭০	১১৬	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	75	২.৮	১.৩	50	২.৪
৬৫০	১১৬	২৩০	60	10	৬.৫	১৯.৫	80	২.৮	১.১	50	3
৬৬০	১৩৬	১৮০	60	7	৪.৬	১৩.৯	১০০	১.৮	১.১	50	৩.৭
৯০০	১৩৬	২৩০	60	6	৫.৪	১৬.২	১০৫	১.২	১.৫	50	৪.২
১০০০	১৩৬	২৬০	70	5	৫.০	১৫.০	১২০	০.৯	১.৫	50	৪.৭

ভোল্টেজ	১৮০০ ভি.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	86	১২৫	55	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১২০	86	১৩০	55	15	১.৮	৫.৪	60	২.৫	২.২	32	১.১
১৮০	86	১৮০	60	15	২.৭	৮.১	65	২	২.৪	32	১.৫
২৬০	86	২৩০	60	12	৩.১	৯.৪	60	3	১.৯	32	১.৮
২৩০	১১৬	১৩০	60	12	২.৮	৮.৩	80	২	১.৬	50	১.৬
৩৬০	১১৬	১৮০	65	10	৩.৬	১০.৮	80	৩.২	১.০	50	২.৪
৫০০	১১৬	২৩০	70	10	৫.০	১৫.০	75	3	১.২	50	3
৫১০	১৩৬	১৮০	70	7	৩.৬	১০.৭	১০০	২	১.০	50	৩.৭
৬৮০	১৩৬	২৩০	70	7	৪.৮	১৪.৩	95	২	১.১	50	৪.২

ভোল্টেজ	২০০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১০০	86	১২৫	55	15	১.৫	৪.৫	35	৩.৮	৪.৩	32	১.১
90	86	১৩০	55	15	১.৪	৪.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
১৫০	86	১৮০	60	15	২.৩	৬.৮	60	৩.৫	১.৬	32	১.৫
২০০	86	২৩০	60	12	২.৪	৭.২	65	২	২.৪	32	১.৮
১৮০	১১৬	১৩০	65	10	১.৮	৫.৪	75	২.৫	১.৪	50	১.৬
২৮০	১১৬	১৮০	70	10	২.৮	৮.৪	70	২	২.০	50	২.৪
৩৮০	১১৬	২৩০	80	10	৩.৮	১১.৪	80	২	১.৬	50	3
৪০০	১৩৬	১৮০	60	7	২.৮	৮.৪	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
৫৫০	১৩৬	২৩০	70	7	৩.৯	১১.৬	১০০	১.৫	১.৩	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	৩৩৫	80	5	৪.৩	১২.৮	১২০	১.১	১.৩	50	৬.১

ভোল্টেজ	২৮০০ ভি.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	১১৬	১৮০	70	30	৪.৮	১৪.৪	75	২.২	১.৬	50	২.৪
২১০	১১৬	২৩০	75	25	৫.৩	১৫.৮	70	২.৮	১.৫	50	3
২২৫	১৩৬	১৮০	75	20	৪.৫	১৩.৫	85	২	১.৪	50	৩.৭
৩০০	১৩৬	২৩০	80	15	৪.৫	১৩.৫	80	২.৫	১.৩	50	৪.২

ভোল্টেজ	৪০০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
70	১১৬	১৮০	70	50	৩.৫	১০.৫	70	৩.৫	১.২	50	২.৪
95	১১৬	২৩০	75	40	৩.৮	১১.৪	70	৩.৬	১.১	50	3
১০০	১৩৬	১৮০	75	35	৩.৫	১০.৫	85	3	০.৯	50	৩.৭
১৩৫	১৩৬	২৩০	80	30	৪.১	১২.২	80	৩.৫	০.৯	50	৪.২

শক্তি সাশ্রয় এবং নবায়নযোগ্য উৎসের চাহিদা বৈদ্যুতিক যানবাহন, পিভি কনভার্টার, বায়ু বিদ্যুৎ জেনারেটরের মতো পণ্যের উন্নয়নের উপর জোর দেয়। এই পণ্যগুলির অপারেটিং সিস্টেম বাস্তবায়নের জন্য ডিসি থেকে এসি ইনভার্টার প্রয়োজন হয়। ফিল্টার এবং ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটারগুলি বিদ্যুৎ ব্যবস্থার জন্য গুরুত্বপূর্ণ প্যাসিভ উপাদান যা উচ্চ ভোল্টেজ এবং রিপল স্রোতের সাথে শক্তি বৃদ্ধির প্রয়োজনীয়তা পূরণে সহায়তা করে।

একটি উদীয়মান উচ্চ-প্রযুক্তিগত উদ্যোগ হিসেবে, CRE-এর পাওয়ার ইলেকট্রনিক ফিল্ম ক্যাপাসিটরের জন্য একটি ফ্রন্ট-এন্ড R&D এবং উৎপাদন দল রয়েছে এবং আন্তর্জাতিকভাবে বিখ্যাত গবেষণা প্রতিষ্ঠানগুলির সাথে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স R&D ইঞ্জিনিয়ারিং কেন্দ্র স্থাপন করেছে। এখন পর্যন্ত, CRE-এর 40 টিরও বেশি আবিষ্কার এবং ইউটিলিটি মডেল পেটেন্ট রয়েছে এবং ISO-9001, IATF16949, ISO14001/45001 এবং UL দ্বারা প্রত্যয়িত 10টি জাতীয় এবং শিল্প মান উন্নয়নে অংশগ্রহণ করেছে। আমরা পাওয়ার উদ্ভাবনকে এগিয়ে নেওয়ার জন্য আরও ব্যবসায়িক অংশীদার তৈরি করতে নিবেদিতপ্রাণ।

CRE জনপ্রিয় পণ্য:
① ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটর
② এসি ফিল্টার ক্যাপাসিটর
③ শক্তি সঞ্চয় / পালস ক্যাপাসিটর
④ আইজিবিটি স্নাবার
⑤ অনুরণন ক্যাপাসিটর
⑥ জল-শীতল ক্যাপাসিটর

আগে: ফিল্টার এবং ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটারগুলি পাওয়ার কনভার্সন সিস্টেমের জন্য মূল প্যাসিভ উপাদান।

পরবর্তী: ফিল্টার এবং ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটারগুলি পাওয়ার কনভার্সন সিস্টেমের জন্য মূল প্যাসিভ উপাদান।