IGBT অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পলিপ্রোপিলিন ফিল্মের কম ক্ষতির ডাইইলেক্ট্রিক স্নাবার ক্যাপাসিটর – CRE

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা ভালো মানের পণ্য, আকর্ষনীয় খরচ এবং সর্বোত্তম ক্রেতা সহায়তা সরবরাহ করতে পারি। আমাদের গন্তব্য হল "আপনি এখানে কষ্ট করে আসেন এবং আমরা আপনাকে হাসিমুখে নিয়ে যেতে সাহায্য করি"।ওয়েল্ডিং ইনভার্টার ডিসি লিংক ক্যাপাসিটর , কম ফ্রিকোয়েন্সি ইন্ডাকশন ফার্নেস ক্যাপাসিটর , ডিসি লিংক উল ফিল্ম ক্যাপাসিটর, আমরা আপনাকে এবং আপনার কোম্পানিকে আমাদের সাথে একসাথে উন্নতি করতে এবং বিশ্বব্যাপী বাজারে একটি উজ্জ্বল অদূরদর্শী ভবিষ্যত ভাগ করে নেওয়ার জন্য আমন্ত্রণ জানাচ্ছি।

কারখানার পাইকারি অ্যালুমিনিয়াম ক্যান এসি ক্যাপাসিটর - IGBT অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পলিপ্রোপিলিন ফিল্মের কম ক্ষতির ডাইইলেক্ট্রিক স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE বিস্তারিত:

এসএমজে-পি সিরিজ

রেটেড ভোল্টেজ রেঞ্জ: ১০০০ ভিডিসি থেকে ২০০০ ভিডিসি
ক্যাপাসিট্যান্স রেঞ্জ: ০.১ uf থেকে ৩.০ uf
মাউন্টিং পিচ: ২২.৫ মিমি থেকে ৪৮ মিমি
নির্মাণ: ধাতবায়িত পলিপ্রোপিলিন ডাইইলেকট্রিক অভ্যন্তরীণ সিরিজ সংযোগ
প্রয়োগ: আইজিবিটি সুরক্ষা, অনুরণন ট্যাঙ্ক সার্কিট

স্ব-নিরাময়কারী, শুষ্ক-ধরণের, স্নাবার ক্যাপাসিটর উপাদানগুলি বিশেষভাবে প্রোফাইলযুক্ত, তরঙ্গ কাটা ধাতব পিপি ফিল্ম ব্যবহার করে তৈরি করা হয় যা কম স্ব-আনয়ন, উচ্চ ভাঙ্গন প্রতিরোধ এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। অতিরিক্ত চাপ সংযোগ বিচ্ছিন্ন করার প্রয়োজন হয় না। ক্যাপাসিটরের শীর্ষটি স্ব-নির্বাপক পরিবেশ-বান্ধব ইপোক্সি দিয়ে সিল করা হয়। বিশেষ নকশা খুব কম স্ব-আনয়ন নিশ্চিত করে।

IMG_0397.HEIC সম্পর্কে

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ	700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি (ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	৫০০	২৩৫	8
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	25	৪৮০	৩২৬.৪	10
1	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	24	৪৫০	৪৫০	12
১.৫	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	25	৪৩০	৬৪৫	5
2	৪২.৫	33	৩৫.৫	6	24	৪২০	৮৪০	15
২.৫	৪২.৫	33	45	6	23	৪০০	১০০০	18
3	৪২.৫	33	45	৫.৫	22	৩৮০	১১৪০	20
3	৫৭.৫	30	45	5	26	৩৫০	১০৫০	22
৩.৫	৪২.৫	33	45	5	23	৩৫০	১২২৫	25
৩.৫	৫৭.৫	30	45	6	25	৩০০	১০৫০	22
৪.৭	৫৭.৫	35	50	5	28	২৮০	১৩১৬	25
৫.৬	৫৭.৫	38	54	4	30	২৫০	১৪০০	25
6	৫৭.৫	38	54	৩.৫	33	২৩০	১৩৮০	28
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	32	২২০	১৪৯৬	32
8	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	30	২০০	১৬০০	33

ভোল্টেজ	১০০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ৫০০ ভ্যাক; ইউএস ১৫০০ ভোল্ট
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	25	১০০০	৪৭০	10
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	25	৮০০	৫৪৪	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	24	৮০০	৮০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	24	৭০০	১০৫০	15
2	৪২.৫	33	45	5	22	৭০০	১৪০০	20
২.৫	৫৭.৫	30	45	5	30	৬০০	১৫০০	22
3	৫৭.৫	35	50	4	30	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	35	50	৩.৫	28	৫৫০	১৮১৫	25
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	28	৫০০	১৭৫০	25
4	৫৭.৫	38	54	৩.২	26	৫০০	২০০০	28
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	3	25	৪২০	১৯৭৪	30
৫.৬	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	24	৪০০	২২৪০	32

ভোল্টেজ	1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	24	১২০০	৫৬৪	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	23	১১০০	৭৪৮	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	22	৮০০	৮০০	14
১.৫	৪২.৫	33	45	5	20	৮০০	১২০০	15
2	৫৭.৫	30	45	4	30	৭৫০	১৫০০	20
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	৭০০	১৭৫০	25
3	৫৭.৫	35	50	4	27	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	4	27	৫৫০	১৮১৫	28
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	28
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৪৫০	১৮০০	30
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	23	৪২০	১৯৭৪	32

ভোল্টেজ	1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৩৩	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	১৩০০	৪২৯	9
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	24	১৩০০	৬১১	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	8	23	১৩০০	৮৮৪	12
1	৪২.৫	33	45	7	22	১২০০	১২০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	22	১২০০	১৮০০	18
১.৫	৫৭.৫	30	45	5	31	১২০০	১৮০০	20
2	৫৭.৫	30	45	5	30	১১০০	২২০০	22
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	১১০০	২৭৫০	25
3	৫৭.৫	38	54	4	27	৭০০	২১০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	৩.৮	26	৬০০	১৯৮০	28
৩.৫	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	30
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	25	৪৫০	১৮০০	32

ভোল্টেজ	২০০০V.DC,Urms৭০০Vac;Us৩০০০V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.২২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	15	25	১৫০০	৩৩০	10
০.৩৩	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	12	24	১৫০০	৪৯৫	12
০.৪৭	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	11	23	১৪০০	৬৫৮	15
০.৬৮	৪২.৫	33	45	8	22	১২০০	৮১৬	18
০.৬৮	৫৭.৫	30	45	7	30	১১০০	৭৪৮	20
০.৮২	৪২.৫	33	45	7	28	১২০০	৯৮৪	22
1	৫৭.৫	30	45	6	28	১১০০	১১০০	25
১.৫	৫৭.৫	35	50	5	25	১০০০	১৫০০	28
2	৫৭.৫	38	54	5	24	৮০০	১৬০০	28
২.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	4	23	৭০০	১৫৪০	32

ভোল্টেজ	3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.১৫	৪২.৫	33	45	18	28	২৫০০	৩৭৫	25
০.২২	৪২.৫	33	45	15	27	২২০০	৪৮৪	28
০.২২	৫৭.৫	35	50	15	25	২০০০	৩৩০	20
০.৩৩	৫৭.৫	35	50	12	24	১৮০০	৪৯৫	20
০.৪৭	৫৭.৫	38	54	11	23	১৬০০	৭৫২	22
০.৬৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	8	22	১৫০০	১০২০	28

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

নতুন গ্রাহক বা পুরনো ক্রেতা যাই হোক না কেন, আমরা কারখানার পাইকারি অ্যালুমিনিয়াম ক্যান এসি ক্যাপাসিটরের জন্য দীর্ঘমেয়াদী যোগাযোগ এবং বিশ্বস্ত সম্পর্কে বিশ্বাস করি - IGBT অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পলিপ্রোপিলিন ফিল্মের কম ক্ষতির ডাইইলেক্ট্রিক স্নাবার ক্যাপাসিটর - CRE, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: আয়ারল্যান্ড, যুক্তরাজ্য, লুক্সেমবার্গ, উচ্চ-মানের জেনারেশন লাইন ব্যবস্থাপনা এবং গ্রাহকদের পরামর্শ প্রদানকারীর উপর জোর দিয়ে, আমরা আমাদের গ্রাহকদের প্রথম পর্যায়ের ক্রয় এবং পরবর্তী পরিষেবা অভিজ্ঞতা প্রদানের সিদ্ধান্ত নিয়েছি। আমাদের গ্রাহকদের সাথে বিদ্যমান সহায়ক সম্পর্ক বজায় রেখে, আমরা এখনও আমাদের পণ্য তালিকাগুলিকে নতুন চাহিদা পূরণের জন্য এবং আহমেদাবাদে এই ব্যবসার সর্বশেষ প্রবণতা মেনে চলার জন্য অনেক সময় উদ্ভাবন করি। আমরা আন্তর্জাতিক বাণিজ্যের সম্ভাবনাগুলি উপলব্ধি করার জন্য চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করতে এবং পরিবর্তন আনতে প্রস্তুত।

সাশ্রয়ী ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ড্রাই টাইপ ফিল্ম ক্যাপাসিটর সলিউশন

নতুন শক্তি শক্তি সিস্টেমের জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ফিল্ম ক্যাপাসিটরের উদ্ভাবন

উচ্চ ভোল্টেজ ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ইন্ডাস্ট্রিয়াল ইনভার্টার ক্যাপাসিটর

কম ক্যাপাসিট্যান্স লস ফিম ক্যাপাসিটর

পিন লিডস ফিল্ম ক্যাপাসিটর

পাওয়ার কনভার্টার ক্যাপাসিটর

পিভি ইনভার্টার ক্যাপাসিটর

কোম্পানিটি এই শিল্প বাজারের পরিবর্তনের সাথে তাল মিলিয়ে চলতে পারে, পণ্য দ্রুত আপডেট হয় এবং দাম সস্তা, এটি আমাদের দ্বিতীয় সহযোগিতা, এটি ভালো।

ইতালি থেকে কেরি দ্বারা - 2017.08.21 14:13

আমরা সবসময় বিশ্বাস করি যে বিবরণ কোম্পানির পণ্যের গুণমান নির্ধারণ করে, এই ক্ষেত্রে, কোম্পানি আমাদের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে এবং পণ্যগুলি আমাদের প্রত্যাশা পূরণ করে।

জর্জিয়া থেকে ফার্নান্দো - ২০১৭.০২.১৪ ১৩:১৯