উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনে উন্নত ধাতব পলিপ্রোপিলিন ফিল্ম ক্যাপাসিটর - CRE

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা পণ্য প্রশাসন এবং QC প্রোগ্রামের উন্নতির উপরও মনোনিবেশ করছি যাতে আমরা এই তীব্র প্রতিযোগিতামূলক কোম্পানি থেকে দুর্দান্ত লাভ বজায় রাখতে পারি।উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি ক্যাপাসিটর , পিভি ইনভার্টারের জন্য ডিজাইন করা ফিল্ম ক্যাপাসিটর , এনার্জি স্টোরেজ ফিল্ম ক্যাপাসিটার, আমরা আন্তরিকভাবে বন্ধুদের ব্যবসায়িক আলোচনা এবং আমাদের সাথে সহযোগিতা শুরু করার জন্য স্বাগত জানাই। আমরা একটি উজ্জ্বল ভবিষ্যত তৈরি করতে বিভিন্ন শিল্পে বন্ধুদের সাথে হাত মিলিয়ে কাজ করার আশা করি।

Igbt-এর জন্য কারখানা তৈরির স্নাবার ক্যাপাসিটর - উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনে উন্নত ধাতব পলিপ্রোপিলিন ফিল্ম ক্যাপাসিটর - CRE বিস্তারিত:

ডিএমজে-এমসি সিরিজ

পাওয়ার ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ক্যাপাসিটর উদ্ভাবন বিকাশে CRE একটি শীর্ষস্থানীয় প্রতিষ্ঠান। আমরা আমাদের অনন্য উদ্ভাবনের সাথে সর্বোত্তম প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে ডিফারেনশিয়াল ক্যাপাসিটরের একটি পোর্টফোলিও তৈরি করি।

শিল্প-নির্দিষ্ট ক্ষেত্রগুলির জন্য নির্ভরযোগ্য নকশা সমাধান প্রদান করতে সক্ষম CRE ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলি ধাতব ফিল্ম উপকরণ, প্রক্রিয়াকরণ এবং নকশা সম্পর্কিত বেশ কয়েকটি নির্দিষ্ট পরামিতি পূরণ করে।

স্বয়ংক্রিয় উৎপাদন লাইন দ্রুততম ডেলিভারি নিশ্চিত করে।

আবেদন

এই ক্যাপাসিটারগুলি এসি/ডিসি পাওয়ার কনভার্টার এবং ইনভার্টারগুলিতে ব্যবহারের জন্য। সাধারণত এগুলি শিল্প অটোমেশন, পাওয়ার সাপ্লাই, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, রেল পরিবহন, নতুন শক্তি যানবাহন, বায়ু শক্তি রূপান্তরকারী এবং সৌর ইনভার্টারগুলিতে ডিসি লিঙ্ক (বাফার) এবং/অথবা ফিল্টার হিসাবে পাওয়া যায়।

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ	৪৫০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
৩৮০	76	75	50	10	৩.৮	১১.৪	45	২.২	৪.৫	32	০.৫
৫০০	76	১০০	40	8	৪.০	১২.০	65	১.৫	৩.২	32	০.৬
৭৫০	76	১৩০	50	5	৩.৮	১১.৩	65	১.৬	৩.০	32	০.৭৫
৫০০	86	75	50	8	৪.০	১২.০	55	১.৮	৩.৭	32	০.৮
১০০০	86	১৩০	50	5	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.১
৬৫০	86	১০০	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৯
৬৫০	86	95	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৮৫
৬৫০	96	75	50	5	৩.৩	৯.৮	60	১.৫	৩.৭	45	০.৭৫
১২৫০	96	১৩০	50	৪	৫.০	১৫.০	80	1	৩.১	45	১.২
১৮০০	১১৬	১৩০	50	৪	৭.২	২১.৬	85	০.৮	৩.৫	50	১.৬
১৪৫০	86	১৯০	60	৪	৫.৮	১৭.৪	90	০.৯	২.৭	32	১.৫৫
২৭০০	১১৬	১৯০	60	3	৮.১	২৪.৩	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪৫
ভোল্টেজ	৬০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
২৫০	76	75	40	15	৩.৮	১১.৩	40	৩.১	৪.০	32	০.৫
৩২০	76	১০০	40	10	৩.২	৯.৬	40	২.২	৫.৭	32	০.৬
৪৭০	76	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	60	১.৮	৩.১	32	০.৭৫
৩৩০	86	75	40	15	৫.০	১৪.৯	45	২.৪	৪.১	32	০.৮
৬০০	86	১২০	45	12	৭.২	২১.৬	60	১.৩	৪.৩	32	১.০৫
৬৫০	86	১৩০	50	12	৭.৮	২৩.৪	70	১.২	৩.৪	32	১.১
৬৫০	86	95	50	15	৯.৮	২৯.৩	65	১.২	৩.৯	32	০.৮৫
১০০০	86	১৮০	50	12	১২.০	৩৬.০	70	১.৫	২.৭	32	১.৫
৪২০	96	75	45	15	৬.৩	১৮.৯	50	2	৪.০	45	০.৭৫
৮০০	96	১৩০	60	12	৯.৬	২৮.৮	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৯৫০	১১৬	১০০	60	10	৯.৫	২৮.৫	90	১.২	২.১	50	১.২৫
১২০০	১১৬	১৩০	70	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১৮০০	১১৬	১৮০	50	8	১৪.৪	৪৩.২	80	১.২	২.৬	50	২.৪
২৭০০	১১৬	২৬০	70	5	১৩.৫	৪০.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.২
২৫০০	১৩৬	১৮০	60	5	১২.৫	৩৭.৫	১০০	০.৮	২.৫	50	৩.৭
৩৭৫০	১৩৬	২৬০	70	৪	১৫.০	৪৫.০	১১৫	০.৭	২.২	50	৪.৭
ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২০০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	40	৪	৩.১	32	০.৫
৪০০	76	১৩০	45	15	৬.০	১৮.০	60	2	২.৮	32	০.৭৫
৪২০	76	১৩০	50	15	৬.৩	১৮.৯	60	2	২.৮	32	০.৭৫
৬০০	86	১২৫	60	15	৯.০	২৭.০	45	৩.২	৩.১	32	১.০৫
৫৫০	86	১৩০	50	12	৬.৬	১৯.৮	65	১.৮	২.৬	32	১.১
৬৮০	96	১৩০	45	12	৮.২	২৪.৫	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৭২০	96	১২৫	60	12	৮.৬	২৫.৯	55	২.৬	২.৫	45	১.১৫
১০০০	১১৬	১৩০	50	10	১০.০	৩০.০	80	1	৩.১	50	১.৬
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.২	৩.০	45	১.৬
১৫০০	১১৬	১৮০	60	7	১০.৫	৩১.৫	85	০.৯	৩.১	50	২.৪
২০০০	১১৬	২৩০	70	7	১৪.০	৪২.০	85	০.৮	৩.৫	50	3
২০০০	১৩৬	১৮০	60	7	১৪.০	৪২.০	90	০.৭৫	৩.৩	50	৩.৭
৩০০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৫.০	৪৫.০	১০০	০.৭	২.৯	50	৪.২
৩৩০০	১৩৬	২৬০	70	5	১৬.৫	৪৯.৫	১২০	০.৬	২.৩	50	৪.৭

ভোল্টেজ	৮০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১১০	86	80	45	20	২.২	৬.৬	75	2	১.৮	32	০.৮
১৫০	86	95	45	20	৩.০	৯.০	80	১.৫	২.১	32	০.৮৫
২৫০	86	75	45	15	৩.৮	১১.৩	45	৩.১	৩.২	32	০.৮
৩৬০	86	১৩০	55	12	৪.৩	১৩.০	65	২.২	২.২	32	১.১
৪৭০	86	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.১
৬০০	96	১৩০	55	10	৬.০	১৮.০	75	২.২	১.৬	45	১.২
৭৩০	86	১৮০	55	10	৭.৩	২১.৯	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৭৫০	86	১৮০	55	12	৯.০	২৭.০	75	১.৮	২.০	32	১.৫
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.৩	২.৭	45	১.৬
৯০০	১১৬	১৩০	65	7	৬.৩	১৮.৯	80	১.৪	২.২	50	১.৬
১৪০০	১১৬	১৮০	65	7	৯.৮	২৯.৪	80	০.৯	৩.৫	50	২.৪
১০০০	১১৬	১২৫	60	7	৭.০	২১.০	70	১.৪	২.৯	50	১.৫৫
২০০০	১১৬	২৩০	65	5	১০.০	৩০.০	85	০.৯	৩.১	50	3
২৮০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৪.০	৪২.০	১০০	০.৮	২.৫	50	৪.২

ভোল্টেজ	৯০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৬০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	35	3	৫.৪	32	০.৫
৩২০	76	১৩০	50	15	৫.০	১৪.৯	60	৩.২	১.৭	32	০.৭৫
৩৫০	76	১২৫	50	15	৫.০	১৫.০	40	২.৮	৪.৫	32	০.৭৫
২১০	86	75	40	15	৩.২	৯.৫	40	২.২	৫.৭	32	০.৮
৪৫০	86	১২৫	45	12	৫.৪	১৬.২	50	২.৭	৩.০	32	১.১
৪২০	86	১৩০	45	12	৫.০	১৫.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
৪৯০	86	১২০	45	10	৪.৯	১৪.৭	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৫১০	86	১২০	45	10	৫.১	১৫.৩	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৬৬০	86	১৮০	50	10	৬.৬	১৯.৮	70	2	২.০	32	১.৫
৯০০	86	২৩০	50	10	৯.০	২৭.০	65	২.১	২.৩	32	১.৮
৫৮০	96	১২৫	50	10	৫.৮	১৭.৪	55	৩.৩	২.০	45	১.২
৫৪০	96	১৩০	50	7	৩.৮	১১.৩	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৬৩০	১১৬	১০০	55	7	৪.৪	১৩.২	60	2	২.৮	50	১.৩
৮৬০	১১৬	১২৫	55	7	৬.০	১৮.১	60	২.২	২.৫	50	১.৫৫
৮১০	১১৬	১৩০	60	7	৫.৭	১৭.০	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১২৫০	১১৬	১৮০	60	7	৮.৮	২৬.৩	80	১.২	২.৬	50	২.৪
১৭০০	১১৬	২৩০	60	5	৮.৫	২৫.৫	80	১.১	২.৮	50	3
১৭০০	১৩৬	১৮০	65	6	১০.২	৩০.৬	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৪০০	১৩৬	২৩০	70	5	১২.০	৩৬.০	১০০	০.৯৫	২.১	50	৪.২
ভোল্টেজ	১১০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	76	75	40	15	১.৯	৫.৬	35	৪.৫	৩.৬	32	০.৫
২৬০	76	১৩০	45	15	৩.৮	১১.৩	60	২.৮	২.০	32	০.৭৫
২৮০	76	১২৫	50	12	৩.৩	৯.৯	35	৪	৪.১	32	০.৭৫
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	5	২.০	32	০.৮
৩৬০	86	১২৫	55	12	৪.৩	১৩.০	35	২.৫	৬.৫	32	১.১
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	60	2	২.৮	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	65	১.৫	৩.২	32	১.২৫
৪৭০	86	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৫০০	86	১৮০	60	10	৫.০	১৫.০	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৭২০	86	২৩০	70	12	৮.৬	২৫.৯	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৪৬০	96	১২৫	65	10	৪.৬	১৩.৮	55	৩.২	২.১	45	১.২
৫২০	96	১৮০	65	12	৬.২	১৮.৭	75	১.৫	২.৪	45	১.৬
৫০০	১১৬	১০০	70	10	৫.০	১৫.০	55	২.৫	২.৬	50	১.৩
৬৮০	১১৬	১২৫	70	10	৬.৮	২০.৪	60	২.৮	২.০	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৩০	75	10	৬.৫	১৯.৫	75	১.৩	২.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	75	12	১২.০	৩৬.০	75	১.৫	২.৪	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১২০০	১১৬	২৩০	75	12	১৪.৪	৪৩.২	১০৫	০.৯	২.০	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.০	৪৫.০	80	১.৫	২.১	50	3
১৩০০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.৬	৪৬.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	70	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.৩	২.১	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	70	5	৮.৫	২৫.৫	১০০	১.৪	১.৪	50	৪.২
১৯০০	১৩৬	২৩০	75	5	৯.৫	২৮.৫	১০০	১.২	১.৭	50	৪.২
২৮০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৪.০	৪২.০	১২০	০.৮	১.৭	50	৬.১
৩০৬০	১৩৬	৩৪৫	80	5	১৫.৩	৪৫.৯	১২০	০.৯	১.৫	50	৬.২
৩২০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৬.০	৪৮.০	১২০	০.৮৫	১.৬	50	৬.১

ভোল্টেজ	১২০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	৪.৫	২.২	32	০.৮
৪২০	76	১৪৫	50	15	৬.৩	১৮.৯	30	12	১.৯	32	০.৮৫
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	65	2	২.৪	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.২৫
৪২০	১১৬	95	55	10	৪.২	১২.৬	80	১.৪	২.২	50	১.২
৪৫০	86	১৬০	55	12	৫.৪	১৬.২	70	২.৯	১.৪	32	১.৩
৪৭০	86	১৮০	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৫
৪৭০	86	২২৫	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৮
৫৫০	86	১৪৫	55	12	৬.৬	১৯.৮	40	11	১.১	32	১,২
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৫০০	১১৬	১০০	65	10	৫.০	১৫.০	55	২.৬	২.৫	50	১.২
৬৮০	১১৬	১২৫	65	10	৬.৮	২০.৪	50	২.৮	২.৯	50	১.৫৫
৬৫০	১১৬	১৩০	65	10	৬.৫	১৯.৫	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	70	7	৭.০	২১.০	75	১.৩	২.৭	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৪	২৫.২	75	১.৩	২.৭	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৮	২৬.৩	75	১.২	৩.০	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	75	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.১	২.৫	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	80	5	৮.৫	২৫.৫	85	1	২.৮	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	১২৫	70	8	৬.৮	২০.৪	75	১.৬	২.২	50	১.৯
৯৫০	১৩৬	১২৫	60	8	৭.৬	২২.৮	80	১.১	২.৮	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	1	৩.১	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	60	5	৬.০	১৮.০	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪
১৫০০	১৩৬	১৮০	70	5	৭.৫	২২.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৭০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৩.৫	৪০.৫	১১০	০.৮৫	১.৯	50	৬.১

ভোল্টেজ	১৩০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২৩০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
২১০	86	১৩০	50	15	৩.২	৯.৫	70	2	২.০	32	১.১
৩৩০	86	১৮০	60	15	৫.০	১৪.৯	65	3	১.৬	32	১.৫
৪৭০	86	২৩০	65	12	৫.৬	১৬.৯	65	৩.২	১.৫	32	১.৮
৪১০	১১৬	১৩০	65	12	৪.৯	১৪.৮	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৮০	65	10	৬.৫	১৯.৫	85	2	১.৪	50	২.৪
৮৮০	১১৬	২৩০	80	10	৮.৮	২৬.৪	85	২.২	১.৩	50	3
৯০০	১৩৬	১৮০	70	7	৬.৩	১৮.৯	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
১২০০	১৩৬	২৩০	80	7	৮.৪	২৫.২	১০৫	১.৫	১.২	50	৪.২

ভোল্টেজ	১৫০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১৬০	86	১৩০	50	15	২.৪	৭.২	60	৩.৫	১.৬	32	১.১
২৪০	86	১৮০	55	15	৩.৬	১০.৮	65	5	০.৯	32	১.৫
৩২০	86	২৩০	55	12	৩.৮	১১.৫	60	৩.৫	১.৬	32	১.৮
৩০০	১১৬	১৩০	55	12	৩.৬	১০.৮	75	2	১.৮	50	১.৬
৪৭০	১১৬	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	75	২.৮	১.৩	50	২.৪
৬৫০	১১৬	২৩০	60	10	৬.৫	১৯.৫	80	২.৮	১.১	50	3
৬৬০	১৩৬	১৮০	60	7	৪.৬	১৩.৯	১০০	১.৮	১.১	50	৩.৭
৯০০	১৩৬	২৩০	60	6	৫.৪	১৬.২	১০৫	১.২	১.৫	50	৪.২
১০০০	১৩৬	২৬০	70	5	৫.০	১৫.০	১২০	০.৯	১.৫	50	৪.৭

ভোল্টেজ	১৮০০ ভি.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	86	১২৫	55	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১২০	86	১৩০	55	15	১.৮	৫.৪	60	২.৫	২.২	32	১.১
১৮০	86	১৮০	60	15	২.৭	৮.১	65	2	২.৪	32	১.৫
২৬০	86	২৩০	60	12	৩.১	৯.৪	60	3	১.৯	32	১.৮
২৩০	১১৬	১৩০	60	12	২.৮	৮.৩	80	2	১.৬	50	১.৬
৩৬০	১১৬	১৮০	65	10	৩.৬	১০.৮	80	৩.২	১.০	50	২.৪
৫০০	১১৬	২৩০	70	10	৫.০	১৫.০	75	3	১.২	50	3
৫১০	১৩৬	১৮০	70	7	৩.৬	১০.৭	১০০	2	১.০	50	৩.৭
৬৮০	১৩৬	২৩০	70	7	৪.৮	১৪.৩	95	2	১.১	50	৪.২

ভোল্টেজ	২০০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১০০	86	১২৫	55	15	১.৫	৪.৫	35	৩.৮	৪.৩	32	১.১
90	86	১৩০	55	15	১.৪	৪.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
১৫০	86	১৮০	60	15	২.৩	৬.৮	60	৩.৫	১.৬	32	১.৫
২০০	86	২৩০	60	12	২.৪	৭.২	65	2	২.৪	32	১.৮
১৮০	১১৬	১৩০	65	10	১.৮	৫.৪	75	২.৫	১.৪	50	১.৬
২৮০	১১৬	১৮০	70	10	২.৮	৮.৪	70	2	২.০	50	২.৪
৩৮০	১১৬	২৩০	80	10	৩.৮	১১.৪	80	2	১.৬	50	3
৪০০	১৩৬	১৮০	60	7	২.৮	৮.৪	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
৫৫০	১৩৬	২৩০	70	7	৩.৯	১১.৬	১০০	১.৫	১.৩	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	৩৩৫	80	5	৪.৩	১২.৮	১২০	১.১	১.৩	50	৬.১

ভোল্টেজ	২২০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
৩২০	১১৬	২৩০	70	12	৩.৮	১১.৫	85	2	১.৪	50	২.৪
৩৮৫	১১৬	২৯৫	75	10	৩.৯	১১.৬	১১৫	১.১	১.৪	50	৩.১
৪৫০	১৩৬	২৩০	75	7	৩.২	৯.৫	১০০	১.৩	১.৫	50	৪.২
৬৭০	১৩৬	৩৩৫	80	5	৩.৪	১০.১	১২০	1	১.৪	50	৬.১

ভোল্টেজ	২৮০০ ভি.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	১১৬	১৮০	70	30	৪.৮	১৪.৪	75	২.২	১.৬	50	২.৪
২১০	১১৬	২৩০	75	25	৫.৩	১৫.৮	70	২.৮	১.৫	50	3
২২৫	১৩৬	১৮০	75	20	৪.৫	১৩.৫	85	2	১.৪	50	৩.৭
৩০০	১৩৬	২৩০	80	15	৪.৫	১৩.৫	80	২.৫	১.৩	50	৪.২

ভোল্টেজ	৩২০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১১৫	১১৬	১৮০	70	40	৪.৬	১৩.৮	70	৩.৫	১.২	50	২.৪
১৬০	১১৬	২৩০	75	35	৫.৬	১৬.৮	70	৩.২	১.৩	50	3
১৬০	১৩৬	১৮০	75	30	৪.৮	১৪.৪	85	3	০.৯	50	৩.৭
২২৫	১৩৬	২৩০	80	25	৫.৬	১৬.৯	80	৩.৫	০.৯	50	৪.২

ভোল্টেজ	৪০০০ ভোল্ট.ডিসি
সিএন (ইউএফ)	φD এর বিবরণ	H	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপি(কেএ)	(কেএ)	আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
70	১১৬	১৮০	70	50	৩.৫	১০.৫	70	৩.৫	১.২	50	২.৪
95	১১৬	২৩০	75	40	৩.৮	১১.৪	70	৩.৬	১.১	50	3
১০০	১৩৬	১৮০	75	35	৩.৫	১০.৫	85	3	০.৯	50	৩.৭
১৩৫	১৩৬	২৩০	80	30	৪.১	১২.২	80	৩.৫	০.৯	50	৪.২

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আপনার পছন্দ পূরণ করা এবং দক্ষতার সাথে আপনাকে সরবরাহ করা আমাদের দায়িত্ব হতে পারে। আপনার সন্তুষ্টিই আমাদের সর্বশ্রেষ্ঠ পুরস্কার। আমরা Igbt-এর জন্য কারখানা তৈরির স্নাবার ক্যাপাসিটর - উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনে উন্নত ধাতব পলিপ্রোপিলিন ফিল্ম ক্যাপাসিটরের যৌথ প্রবৃদ্ধির জন্য আপনার সফরের দিকে এগিয়ে যাচ্ছি - CRE, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: জ্যামাইকা, আর্জেন্টিনা, বুরুন্ডি, আমাদের কর্মীরা "সততা-ভিত্তিক এবং ইন্টারেক্টিভ উন্নয়ন" চেতনা এবং "চমৎকার পরিষেবা সহ প্রথম-শ্রেণীর গুণমান" নীতি মেনে চলছে। প্রতিটি গ্রাহকের চাহিদা অনুসারে, আমরা গ্রাহকদের তাদের লক্ষ্য সফলভাবে অর্জনে সহায়তা করার জন্য কাস্টমাইজড এবং ব্যক্তিগতকৃত পরিষেবা প্রদান করি। দেশ-বিদেশের ক্লায়েন্টদের কল করতে এবং জিজ্ঞাসা করতে স্বাগত জানাই!

টিউনড প্যাসিভ ফিল্টারিংয়ের জন্য এসি ক্যাপাসিটর

এসি পাওয়ার কনভার্টারের জন্য এসি ফিল্টার

কাস্টম ডিজাইনের এসি ক্যাপাসিটর

কাস্টমাইজড ক্যাপাসিটর ব্যাংক

ডিসি লিংক পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

ডিসি পাওয়ার ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ড্রাই টাইপ ফিল্ম ক্যাপাসিটর কারখানা

উচ্চ ভোল্টেজ ড্রাই ক্যাপাসিটর

উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

মাইক্রোফ্যারাড ফিল্ম ক্যাপাসিটর

কারখানার শ্রমিকদের শিল্প জ্ঞান এবং পরিচালনার অভিজ্ঞতা সমৃদ্ধ, তাদের সাথে কাজ করে আমরা অনেক কিছু শিখেছি, আমরা অত্যন্ত কৃতজ্ঞ যে আমরা একটি ভালো কোম্পানির সাথে দেখা করতে পারি যেখানে চমৎকার কর্মী রয়েছে।