উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন থাইরিস্টরের জন্য কারখানায় তৈরি হট-সেল স্নাবার - উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর ডিজাইন - CRE

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

আমাদের বিক্রয় কর্মী, স্টাইল এবং ডিজাইন কর্মী, কারিগরি কর্মী, QC টিম এবং প্যাকেজ কর্মী রয়েছে। প্রতিটি সিস্টেমের জন্য আমাদের কঠোর চমৎকার নিয়ন্ত্রণ পদ্ধতি রয়েছে। এছাড়াও, আমাদের সমস্ত কর্মী মুদ্রণ ক্ষেত্রে অভিজ্ঞ।এমকেপি কনডেনস্যাডর , কাস্টম-ডিজাইন করা এসি ক্যাপাসিটর , এসি ফিল্টার ক্যাপাসিটর ব্যাংক, আমরা নতুন এবং পুরনো প্রতিটি গ্রাহকের জন্য সবচেয়ে কার্যকর মানের, সম্ভবত সবচেয়ে সাম্প্রতিক বাজার আক্রমণাত্মক হারে, সবচেয়ে দুর্দান্ত পরিবেশ বান্ধব সমাধান প্রদান করব।

উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন থাইরিস্টরের জন্য কারখানায় তৈরি হট-সেল স্নাবার - উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটরের নকশা - CRE বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +85℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	০.১μF~৫.৬μF
রেটেড ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট.ডিসি~৩০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	১.৫Un DC/১০S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S এ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
স্ট্রাইক কারেন্ট সহ্য করুন	ডেটাশিট দেখুন
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071; জিবি/টি17702;

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ	700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি (ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	৫০০	২৩৫	8
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	25	৪৮০	৩২৬.৪	10
1	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	24	৪৫০	৪৫০	12
১.৫	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	25	৪৩০	৬৪৫	5
2	৪২.৫	33	৩৫.৫	6	24	৪২০	৮৪০	15
২.৫	৪২.৫	33	45	6	23	৪০০	১০০০	18
3	৪২.৫	33	45	৫.৫	22	৩৮০	১১৪০	20
3	৫৭.৫	30	45	5	26	৩৫০	১০৫০	22
৩.৫	৪২.৫	33	45	5	23	৩৫০	১২২৫	25
৩.৫	৫৭.৫	30	45	6	25	৩০০	১০৫০	22
৪.৭	৫৭.৫	35	50	5	28	২৮০	১৩১৬	25
৫.৬	৫৭.৫	38	54	4	30	২৫০	১৪০০	25
6	৫৭.৫	38	54	৩.৫	33	২৩০	১৩৮০	28
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	32	২২০	১৪৯৬	32
8	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	30	২০০	১৬০০	33
ভোল্টেজ	১০০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ৫০০ ভ্যাক; ইউএস ১৫০০ ভোল্ট
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	25	১০০০	৪৭০	10
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	25	৮০০	৫৪৪	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	24	৮০০	৮০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	24	৭০০	১০৫০	15
2	৪২.৫	33	45	5	22	৭০০	১৪০০	20
২.৫	৫৭.৫	30	45	5	30	৬০০	১৫০০	22
3	৫৭.৫	35	50	4	30	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	35	50	৩.৫	28	৫৫০	১৮১৫	25
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	28	৫০০	১৭৫০	25
4	৫৭.৫	38	54	৩.২	26	৫০০	২০০০	28
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	3	25	৪২০	১৯৭৪	30
৫.৬	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	24	৪০০	২২৪০	32
ভোল্টেজ	1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	24	১২০০	৫৬৪	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	23	১১০০	৭৪৮	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	22	৮০০	৮০০	14
১.৫	৪২.৫	33	45	5	20	৮০০	১২০০	15
2	৫৭.৫	30	45	4	30	৭৫০	১৫০০	20
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	৭০০	১৭৫০	25
3	৫৭.৫	35	50	4	27	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	4	27	৫৫০	১৮১৫	28
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	28
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৪৫০	১৮০০	30
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	23	৪২০	১৯৭৪	32
ভোল্টেজ	1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৩৩	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	১৩০০	৪২৯	9
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	24	১৩০০	৬১১	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	8	23	১৩০০	৮৮৪	12
1	৪২.৫	33	45	7	22	১২০০	১২০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	22	১২০০	১৮০০	18
১.৫	৫৭.৫	30	45	5	31	১২০০	১৮০০	20
2	৫৭.৫	30	45	5	30	১১০০	২২০০	22
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	১১০০	২৭৫০	25
3	৫৭.৫	38	54	4	27	৭০০	২১০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	৩.৮	26	৬০০	১৯৮০	28
৩.৫	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	30
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	25	৪৫০	১৮০০	32
ভোল্টেজ	২০০০V.DC,Urms৭০০Vac;Us৩০০০V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.২২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	15	25	১৫০০	৩৩০	10
০.৩৩	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	12	24	১৫০০	৪৯৫	12
০.৪৭	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	11	23	১৪০০	৬৫৮	15
০.৬৮	৪২.৫	33	45	8	22	১২০০	৮১৬	18
০.৬৮	৫৭.৫	30	45	7	30	১১০০	৭৪৮	20
০.৮২	৪২.৫	33	45	7	28	১২০০	৯৮৪	22
1	৫৭.৫	30	45	6	28	১১০০	১১০০	25
১.৫	৫৭.৫	35	50	5	25	১০০০	১৫০০	28
2	৫৭.৫	38	54	5	24	৮০০	১৬০০	28
২.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	4	23	৭০০	১৫৪০	32
ভোল্টেজ	3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.১৫	৪২.৫	33	45	18	28	২৫০০	৩৭৫	25
০.২২	৪২.৫	33	45	15	27	২২০০	৪৮৪	28
০.২২	৫৭.৫	35	50	15	25	২০০০	৩৩০	20
০.৩৩	৫৭.৫	35	50	12	24	১৮০০	৪৯৫	20
০.৪৭	৫৭.৫	38	54	11	23	১৬০০	৭৫২	22
০.৬৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	8	22	১৫০০	১০২০	28

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমাদের পণ্যদ্রব্য সাধারণত শেষ ব্যবহারকারীদের দ্বারা চিহ্নিত এবং নির্ভরযোগ্য এবং কারখানায় তৈরি হট-সেল উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন থাইরিস্টরের জন্য স্নাবারের ক্রমাগত পরিবর্তিত আর্থিক এবং সামাজিক চাহিদা পূরণ করবে - উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর ডিজাইন - CRE, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: মরক্কো, এল সালভাদর, লেস্টার, "ভালো মানের এবং যুক্তিসঙ্গত মূল্য" আমাদের ব্যবসায়িক নীতি। আপনি যদি আমাদের পণ্যগুলিতে আগ্রহী হন বা কোনও প্রশ্ন থাকে, তাহলে অনুগ্রহ করে নির্দ্বিধায় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন। আমরা অদূর ভবিষ্যতে আপনার সাথে সহযোগিতামূলক সম্পর্ক স্থাপন করার আশা করি।

রেল ট্র্যাকশন পাওয়ার সিস্টেমের জন্য ব্যবহৃত এসি ফিল্টার

ইন্ডাস্ট্রিয়াল ইনভার্টারের জন্য ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটর

ড্রাই টাইপ ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ফিল্ম ক্যাপাসিটর কারখানা

ফিল্ম ক্যাপাসিটর প্রস্তুতকারক

গ্লোবাল ক্যাপাসিটর সরবরাহকারী

উচ্চ শক্তি সঞ্চয় ক্যাপাসিটার

আইজিবিটি স্নাবার

মাঝারি ফ্রিকোয়েন্সি ফার্নেস রেজোন্যান্ট ক্যাপাসিটর

ডিসি লিংকের জন্য পাওয়ার ক্যাপাসিটর

কোম্পানিটি "বৈজ্ঞানিক ব্যবস্থাপনা, উচ্চমানের এবং দক্ষতার প্রাধান্য, গ্রাহক সর্বোচ্চ" এই অপারেশন ধারণাটি মেনে চলে, আমরা সর্বদা ব্যবসায়িক সহযোগিতা বজায় রেখেছি। আপনার সাথে কাজ করুন, আমরা সহজ বোধ করি!