ছাড়যোগ্য মূল্য Igbt Snubber - এসি ফিল্টার ক্যাপাসিটর (AKMJ-MC) – CRE
ছাড়যোগ্য মূল্যে Igbt Snubber - এসি ফিল্টার ক্যাপাসিটর (AKMJ-MC) – CRE বিস্তারিত:
প্রযুক্তিগত তথ্য
| অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা | সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা: +85 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +70 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃ | ||
| ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা | একক-পর্যায় | ২০UF~৫০০μF | |
| তিন-পর্যায়ের | ৩×৪০UF~৩×২০০μF | ||
| রেটেড ভোল্টেজ | ৩৩০V.AC/৫০Hz~১১৪০V.AC/৫০Hz | ||
| ক্যাপ.টল | ±৫%(জে); | ||
| ভোল্টেজ সহ্য করুন | ভিটি-টি | ২.১৫ ইউএন / ১০ সেকেন্ড | |
| ভিটি-সি | ১০০০+২×আন ভি.এসি ৬০ এস (মিনিমাম ৩০০০ ভি.এসি) | ||
| ওভার ভোল্টেজ | ১.১Un(চালু-চালু-সময়ের ৩০%।) | ||
| ১.১৫ ইউএন (৩০ মিনিট/দিন) | |||
| ১.২ ইউএন (৫ মিনিট/দিন) | |||
| ১.৩ ইউএন (১ মিনিট/দিন) | |||
| ১.৫Un (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবদ্দশায় ১০০০ বার) | |||
| অপচয় ফ্যাক্টর | tgδ≤0.002 f=100Hz | ||
| tgδ0≤0.0002 | |||
| অন্তরণ প্রতিরোধের | আরএস*সি≥১০০০০সে (২০℃ ১০০V.DC এ) | ||
| শিখা প্রতিবন্ধকতা | UL94V-0 লক্ষ্য করুন | ||
| সর্বোচ্চ উচ্চতা | ২০০০ মি | ||
| যখন উচ্চতা ২০০০ মিটারের উপরে থেকে ৫০০০ মিটারের নিচে থাকে, তখন হ্রাসকৃত পরিমাণ ব্যবহারের কথা বিবেচনা করা প্রয়োজন। (প্রতিটি ১০০০ মিটার বৃদ্ধির জন্য, ভোল্টেজ এবং কারেন্ট ১০% হ্রাস পাবে)
| |||
| আয়ুষ্কাল | 100000h(Un; Θhotspot≤55 °C) | ||
| রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড | আইইসি 61071; আইইসি 60831; | ||
বৈশিষ্ট্য
1. অ্যালুমিনিয়াম বৃত্তাকার হাউজিং প্যাকেজ, রজন দিয়ে সিল করা;
2. তামার বাদাম/স্ক্রু লিড, উত্তাপযুক্ত প্লাস্টিকের কভার পজিশনিং;
3. বৃহৎ ক্ষমতা, কাস্টমাইজড মাত্রা;
৪. উচ্চ ভোল্টেজের প্রতিরোধ, স্ব-নিরাময় সহ;
৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।
আবেদন
1. এসি ফিল্টারিংয়ের জন্য ব্যবহৃত পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
2. উচ্চ-ক্ষমতার ইউপিএস-এ, এসি ফিল্টারের জন্য পাওয়ার সাপ্লাই, ইনভার্টার এবং অন্যান্য সরঞ্জামের সুইচিং, হারমোনিক্স এবং পাওয়ার ফ্যাক্টর নিয়ন্ত্রণ উন্নত করা।
সাধারণ সার্কিট

আয়ুষ্কাল

একক ফেজের রূপরেখা অঙ্কন
| ΦD(মিমি) | পি(মিমি) | H1(মিমি) | S | F | M |
| 76 | 32 | 20 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| 86 | 32 | 20 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| 96 | 45 | 20 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| ১১৬ | 50 | 22 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |
| ১৩৬ | 50 | 30 | M16×25 এর বিবরণ | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ |


তিন-পর্যায়ের রূপরেখা অঙ্কন
| ΦD(মিমি) | H1(মিমি) | S | F | M | D1 | P |
| ১১৬ | 40 | M12×16 | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ | 50 | ৪৩.৫ |
| ১৩৬ | 30 | M16×25 এর বিবরণ | এম৬×১০ | M8×20 এর বিবরণ | 60 | 52 |

| ভোল্টেজ | আন=৩৩০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১২০০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 80 | 76 | 80 | 40 | 80 | ৬.৪ | ১৯.২ | 30 | 4 | ৪.২ | 32 | ০.৫ |
| ১২০ | 86 | 80 | 40 | 70 | ৮.৪ | ২৫.২ | 40 | ২.৮ | ৩.৩ | 32 | ০.৭ |
| ১৫০ | 96 | 80 | 45 | 70 | ১০.৫ | ৩১.৫ | 50 | ৩.৫ | ১.৭ | 45 | ০.৭৫ |
| ১৭০ | 76 | ১৩০ | 50 | 60 | ১০.২ | ৩০.৬ | 60 | ৩.২ | ১.৩ | 32 | ০.৭৫ |
| ২৩০ | 86 | ১৩০ | 50 | 60 | ১৩.৮ | ৪১.৪ | 70 | ২.৪ | ১.৩ | 32 | ১.১ |
| ৩০০ | 96 | ১৩০ | 50 | 50 | ১৫.০ | ৪৫.০ | 75 | ২.৮ | ১.০ | 45 | ১.২ |
| ৪২০ | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 50 | ২১.০ | ৬৩.০ | 80 | ১.৯ | ১.২ | 50 | ১.৬ |
| ভোল্টেজ | আন=৪৫০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১৫২০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 50 | 76 | 80 | 40 | 90 | ৪.৫ | ১৩.৫ | 30 | 4 | ৪.২ | 32 | ০.৫ |
| 65 | 86 | 80 | 50 | 80 | ৫.২ | ১৫.৬ | 40 | ২.৮ | ৩.৩ | 32 | ০.৭ |
| 80 | 96 | 80 | 45 | 80 | ৬.৪ | ১৯.২ | 50 | ৩.৫ | ১.৭ | 45 | ০.৭৫ |
| ১০০ | 76 | ১৩০ | 50 | 70 | ৭.০ | ২১.০ | 60 | ৩.২ | ১.৩ | 32 | ০.৭৫ |
| ১৩০ | 86 | ১৩০ | 45 | 60 | ৭.৮ | ২৩.৪ | 70 | ২.৪ | ১.৩ | 32 | ১.১ |
| ১৬০ | 96 | ১৩০ | 50 | 50 | ৮.০ | ২৪.০ | 75 | ২.৮ | ১.০ | 45 | ১.২ |
| ২৫০ | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 50 | ১২.৫ | ৩৭.৫ | 80 | ১.৯ | ১.২ | 50 | ১.৬ |
| ভোল্টেজ | আন=৬৯০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২১০০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 40 | 76 | ১৩০ | 50 | ১০০ | ৪.০ | ১২.০ | 30 | ২.৮ | ৬.০ | 32 | ০.৭৫ |
| 50 | 76 | ১৫০ | 45 | 90 | ৪.৫ | ১৩.৫ | 35 | ২.৪ | ৫.১ | 32 | ০.৮৫ |
| 60 | 86 | ১৩০ | 45 | 80 | ৪.৮ | ১৪.৪ | 40 | ২.২ | ৪.৩ | 32 | ১.১ |
| 65 | 86 | ১৫০ | 50 | 80 | ৫.২ | ১৫.৬ | 45 | ১.৮ | ৪.১ | 32 | ১.২ |
| 75 | 96 | ১৩০ | 50 | 80 | ৬.০ | ১৮.০ | 50 | ১.৫ | ৪.০ | 45 | ১.২ |
| 80 | 96 | ১৫০ | 55 | 75 | ৬.০ | ১৮.০ | 60 | ১.২ | ৩.৫ | 45 | ১.৩ |
| ১১০ | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 70 | ৭.৭ | ২৩.১ | 65 | ০.৮ | ৪.৪ | 50 | ১.৬ |
| ১২০ | ১১৬ | ১৫০ | 65 | 50 | ৬.০ | ১৮.০ | 75 | ০.৬ | ৪.৪ | 50 | ১.৮ |
| ভোল্টেজ | আন=৮৫০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২৮৫০ ভোল্ট | ||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) |
| 25 | 76 | ১৩০ | 50 | ১১০ | ২.৮ | ৮.৩ | 35 | ১.৫ | ৮.২ | 32 | ০.৭৫ |
| 30 | 76 | ১৫০ | 60 | ১০০ | ৩.০ | ৯.০ | 40 | ১.২ | ৭.৮ | 32 | ০.৮৫ |
| 32 | 86 | ১৩০ | 45 | ১০০ | ৩.২ | ৯.৬ | 50 | ১.১৫ | ৫.২ | 32 | ১.১ |
| 45 | 86 | ১৫০ | 50 | 90 | ৪.১ | ১২.২ | 50 | ১.০৫ | ৫.৭ | 32 | ১.২ |
| 40 | 96 | ১৩০ | 50 | 90 | ৩.৬ | ১০.৮ | 50 | 1 | ৬.০ | 45 | ১.২ |
| 60 | 96 | ১৫০ | 60 | 85 | ৫.১ | ১৫.৩ | 60 | ০.৯ | ৪.৬ | 45 | ১.৩ |
| 60 | ১১৬ | ১৩০ | 60 | 80 | ৪.৮ | ১৪.৪ | 65 | ০.৮৫ | ৪.২ | 50 | ১.৬ |
| 90 | ১১৬ | ১৫০ | 65 | 75 | ৬.৮ | ২০.৩ | 75 | ০.৮ | ৩.৩ | 50 | ১.৮ |
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস(এ) | ESR(mΩ) | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ভোল্টেজ | আন=৪০০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১২০০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | ১১০ | ১১৬ | ১৩০ | ১০০ | 60 | ৬.৬ | ১৯.৮ | ৩×৫০ | ৩×০.৭৮ | ৪.৫ | ৪৩.৫ | ১.৬ |
| ৩× | ১৪৫ | ১১৬ | ১৮০ | ১১০ | 50 | ৭.৩ | ২১.৮ | ৩×৬০ | ৩×০.৭২ | ৩.৮ | ৪৩.৫ | ২.৪ |
| ৩× | ১৭৫ | ১১৬ | ২১০ | ১২০ | 50 | ৮.৮ | ২৬.৩ | ৩×৭৫ | ৩×০.৬৭ | ৩.৫ | ৪৩.৫ | ২.৭ |
| ৩× | ২০০ | ১৩৬ | ২৩০ | ১২৫ | 40 | ৮.০ | ২৪.০ | ৩×৮৫ | ৩×০.৬ | ২.১ | 52 | ৪.২ |
| ভোল্টেজ | আন=৫০০ ভোল্ট।এসি ইউএস=১৫২০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | ১০০ | ১১৬ | ১৮০ | ১০০ | 80 | ৮.০ | ২৪.০ | ৩×৪৫ | ৩×০.৭৮ | ৪.৫ | ৪৩.৫ | ২.৬ |
| ৩× | ১২০ | ১১৬ | ২৩০ | ১২০ | 70 | ৮.৪ | ২৫.২ | ৩×৫০ | ৩×০.৭২ | ৩.৮ | ৪৩.৫ | 3 |
| ৩× | ১২৫ | ১৩৬ | ১৮০ | ১১০ | 40 | ৫.০ | ১৫.০ | ৩×৭০ | ৩×০.৬৭ | ৩.৫ | 52 | ৩.২ |
| ৩× | ১৩৫ | ১৩৬ | ২৩০ | ১৩০ | 50 | ৬.৮ | ২০.৩ | ৩×৮০ | ৩×০.৬ | ২.১ | 52 | ৪.২ |
| ভোল্টেজ | আন=৬৯০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২১০০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | 49 | ১১৬ | ২৩০ | ১২০ | 70 | ৩.৪ | ১০.৩ | ৩×৫৬ | ৩×০.৫৫ | ২.১ | ৪৩.৫ | 3 |
| ৩× | ৫৫.৭ | ১৩৬ | ২৩০ | ১৩০ | 90 | ৫.০ | ১৫.০ | ৩×৫৬ | ৩×০.৪ | ২.১ | 52 | ৪.২ |
| ভোল্টেজ | আন=৮৫০ ভোল্ট।এসি ইউএস=২৫৮০ ভোল্ট | |||||||||||
| Cn (μF) | φD এর বিবরণ | H | ইএসএল(এনএইচ) | ডিভি/ডিটি(ভি/μS) | আইপি(কেএ) | (কেএ) | আইআরএমএস (এ) ৫০ ℃ | ESR (mΩ) @1KHz | Rth(K/W) | পি(মিমি) | ওজন (কেজি) | |
| ৩× | ৪১.৫ | ১১৬ | ২৩০ | ১২০ | 80 | ৩.০ | ৯.০ | ৩×৫৬ | ৩×০.৫৫ | ২.১ | ৪৩.৫ | 3 |
| ৩× | ৫৫.৭ | ১৩৬ | ২৩০ | ১৩০ | 50 | ০.৪ | ১.২ | ৩×১০৪ | ৩×০.৪৫ | ১.৮ | 52 | ৪.২ |
পণ্যের বিস্তারিত ছবি:
সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:
"গুণমান প্রথমে, ভিত্তি হিসেবে সততা, আন্তরিক সেবা এবং পারস্পরিক লাভ" হল আমাদের ধারণা, যাতে ক্রমাগত বিকাশ করা যায় এবং ছাড়যোগ্য মূল্যে Igbt Snubber - AC ফিল্টার ক্যাপাসিটর (AKMJ-MC) - CRE - এর শ্রেষ্ঠত্ব অর্জন করা যায়, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: এস্তোনিয়া, উরুগুয়ে, ফিলিপাইন, আমরা বিদেশী কোম্পানিগুলির সাথে সহযোগিতা করতে আগ্রহী যারা প্রকৃত গুণমান, স্থিতিশীল সরবরাহ, শক্তিশালী ক্ষমতা এবং ভাল পরিষেবার উপর অনেক বেশি যত্নশীল। আমরা উচ্চ মানের সাথে সর্বাধিক প্রতিযোগিতামূলক মূল্য অফার করতে পারি, কারণ আমরা অনেক বেশি পেশাদার। যেকোনো সময় আমাদের কোম্পানিতে যাওয়ার জন্য আপনাকে স্বাগত জানানো হচ্ছে।
কারখানাটিতে উন্নত সরঞ্জাম, অভিজ্ঞ কর্মী এবং ভালো ব্যবস্থাপনার স্তর রয়েছে, তাই পণ্যের গুণমান নিশ্চিত ছিল, এই সহযোগিতা খুবই স্বাচ্ছন্দ্যময় এবং আনন্দের!






