৮ বছরের রপ্তানিকারক বৈদ্যুতিক হিটিং ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি ব্যবস্থার জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - CRE

৮ বছরের রপ্তানিকারক বৈদ্যুতিক হিটিং ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি ব্যবস্থার জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - সিআরই বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

"গ্রাহক প্রথমে, উচ্চ মানের আগে" এই কথাটি মাথায় রেখে, আমরা আমাদের গ্রাহকদের সাথে ঘনিষ্ঠভাবে কাজ করি এবং তাদের দক্ষ এবং অভিজ্ঞ পরিষেবা প্রদান করিফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টারের জন্য ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটর , উচ্চ পালস কারেন্ট Igbt স্নাবার , অ্যাব ইনভার্টারের জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর, ভালো মানের এবং আকর্ষনীয় দাম আমাদের পণ্যগুলিকে বিশ্বজুড়ে একটি উল্লেখযোগ্য নাম থেকে আনন্দ দেয়।

৮ বছরের রপ্তানিকারক বৈদ্যুতিক হিটিং ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি ব্যবস্থার জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - সিআরই বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	৩～৫০μF
রেটেড ভোল্টেজ	২০০ ভোল্ট.এসি~৪৫০ ভোল্ট.এসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	2Un DC/10S সম্পর্কে
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0015f=1KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	আরএস*সি≥৫০০০সে (২০℃ ১০০ ভোল্টে। ডিসি৬০সে)
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি 61071;
অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ বিভাগের তাপমাত্রা: +85 ℃ নিম্ন বিভাগের তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	৩～৫০μF
রেটেড ভোল্টেজ	২০০ ভোল্ট.এসি~৪৫০ ভোল্ট.এসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	2Un DC/10S সম্পর্কে
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0015f=1KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	আরএস*সি≥৫০০০সে (২০℃ ১০০ ভোল্টে। ডিসি৬০সে)
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)

বৈশিষ্ট্য

১. শুষ্ক ফিল্ম নির্মাণ;
2. টিনযুক্ত তামার তার দিয়ে তৈরি লিড; ছোট আকার। সহজ ইনস্টলেশন;
৩. কম ESL এবং ESR;
৪. উচ্চ পালস কারেন্ট।

আবেদন

1. শক্তি সঞ্চয় ফিল্টার করার জন্য ডিসি-লিংক সার্কিটে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়;
2. ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার প্রতিস্থাপন করতে পারে, উন্নত কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘ জীবনকাল।
৩. পিভি ইনভার্টার, উইন্ড পাওয়ার কনভার্টার; সকল ধরণের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার এবং ইনভার্টার পাওয়ার সাপ্লাই;
খাঁটি বৈদ্যুতিক এবং হাইব্রিড গাড়ি; চার্জিং পাইল, ইউপিএস, ইত্যাদি।

রূপরেখা অঙ্কন

এফএফএফ

	(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR @১০KHz (mΩ)	ডিভি/ডিটি (ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @40℃ @10KHz (A)
20	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	30	৬০০	12
20	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	30	৬০০	22
25	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৮	17	৪২৫	12
25	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.২	17	৪২৫	22
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৫	17	৫১০	12
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৯	17	৫১০	22
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৮	17	৫১০	25
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৩	17	৫৬১	12
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৭	17	৫৬১	22
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৬	17	৫৬১	28
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.২	17	৫৯৫	12
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৬	17	৫৯৫	22
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৫	17	৫৯৫	30
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		3	17	৬৮০	12
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৪	17	৬৮০	22
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৩	17	৬৮০	30
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫		২.৮	17	৭৬৫	12
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫	২০.৩	২.৩	17	৭৬৫	22
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫	১০.২	২.২	17	৭৬৫	32
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫		২.৭	17	৮৫০	12
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.২	17	৮৫০	22
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫	১০.২	২.১	17	৮৫০	32

ভোল্টেজ			৪০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ২৫০ ভ্যাক; ইউএস ৮০০ ভোল্ট
	(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
10	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫		২.৬	40	৪০০	12
10	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫	২০.৩	2	40	৪০০	23
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	40	৬০০	28
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	40	৬০০	28
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৭	40	৬০০	28
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫		২.২	40	৭২০	15
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৭	40	৭২০	15
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৬	40	৭২০	15
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৫	20	৪০০	25
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৯	20	৪০০	25
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৮	20	৪০০	25
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৪	20	৫০০	28
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৮	20	৫০০	28
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৭	20	৫০০	28
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫		৩.২	20	৬০০	25
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৭	20	৬০০	25
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৬	20	৬০০	25

ভোল্টেজ			600V.DC, Urms330Vac; Us1200V
		(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
5	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫		৩.১	55	২৭৫	12
5	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৫	55	২৭৫	20
৬.৮	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৮	55	৩৭৪	12
৬.৮	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	55	৩৭৪	22
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৬	55	৪৯৫	12
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	55	৪৯৫	22
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৯	55	৪৯৫	28
10	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৪.২	30	৩০০	22
10	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৭	30	৩০০	25
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৬	30	৪৫০	12
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৮	30	৪৫০	20
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৭	30	৪৫০	28

ভোল্টেজ			700V.DC, Urms400Vac; Us1400V
		(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
৪.৭	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		3	70	৩২৯	12
৪.৭	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৪	70	৩২৯	22
5	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৯	70	৩৫০	12
5	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৩	70	৩৫০	22
6	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫		২.৮	70	৪২০	12
6	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	70	৪২০	22
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৪.২	40	৩২০	12
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৬	40	৩২০	22
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	৩.৫	40	৩২০	28
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৯	40	৪০০	12
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৩	40	৪০০	22
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	৩.২	40	৪০০	30
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫		৩.৬	40	৬০০	12
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.১	40	৬০০	22
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	১০.২	3	40	৬০০	30

ভোল্টেজ			আন 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
		(মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	φd এর বিবরণ	P1	P2	ESR(mΩ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৪	১১০	৩৩০	12
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	১১০	৩৩০	22
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৭	১১০	৩৩০	25
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	১১০	৩৬৩	12
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৭	১১০	৩৬৩	22
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৬	১১০	৩৬৩	28
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.১	55	২২০	12
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৫	55	২২০	22
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৪	55	২২০	28
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		3	55	২৫৮.৫	12
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৪	55	২৫৮.৫	22
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৩	55	২৫৮.৫	30
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		২.৯	55	৩০৮	12
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.২	55	৩০৮	22
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.২	55	৩০৮	31
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫		২.৮	55	৩৩০	12
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫	২০.৫	২.১	55	৩৩০	22
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫	১০.২	2	55	৩৩০	32
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫		২.৫	55	৩৭৪	12
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৯	55	৩৭৪	22
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৮	55	৩৭৪	32

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

আমরা অগ্রগতির উপর জোর দিই এবং প্রতি বছর বাজারে নতুন পণ্য প্রবর্তন করি ৮ বছরের রপ্তানিকারক ইলেকট্রিক হিটিং ক্যাপাসিটর - উচ্চ শক্তি ব্যবস্থার জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর - সিআরই, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করবে, যেমন: তুরস্ক, এস্তোনিয়া, রোম, ৯ বছরেরও বেশি অভিজ্ঞতা এবং একটি পেশাদার দলের সাথে, আমরা আমাদের পণ্যগুলি সারা বিশ্বের অনেক দেশ এবং অঞ্চলে রপ্তানি করেছি। আমরা বিশ্বের সকল প্রান্তের গ্রাহক, ব্যবসায়িক সমিতি এবং বন্ধুদের আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে এবং পারস্পরিক সুবিধার জন্য সহযোগিতা চাইতে স্বাগত জানাই।

এক্স-রে ডিটেক্টরের জন্য ক্যাপাসিটর

সাশ্রয়ী ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টারের জন্য ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটর

শক্তি সঞ্চয় অ্যাপ্লিকেশনের জন্য শুকনো ধরণের ক্যাপাসিটর

ইনভার্টার ডিসি লিংক ক্যাপাসিটর

ধাতব ফিল্ম পাওয়ার ক্যাপাসিটর

কোষ প্রলিফারেটরের জন্য ধাতব ফিল্ম ক্যাপাসিটর

পিসিবি মাউন্টেড ফিল্ম ক্যাপাসিটর

পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন থাইরিস্টরের জন্য স্নাবার

কারখানাটি ক্রমাগত ক্রমবর্ধমান অর্থনৈতিক ও বাজারের চাহিদা পূরণ করতে পারে, যাতে তাদের পণ্যগুলি ব্যাপকভাবে স্বীকৃত এবং বিশ্বস্ত হয়, এবং সেই কারণেই আমরা এই কোম্পানিটিকে বেছে নিয়েছি।