এসি ফিল্টারিংয়ের জন্য ২০১৮ সালের ভালো মানের পাওয়ার ক্যাপাসিটর - উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর ডিজাইন - CRE

এসি ফিল্টারিংয়ের জন্য ২০১৮ সালের ভালো মানের পাওয়ার ক্যাপাসিটর - উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-মানের IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর ডিজাইন - CRE বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

ছোট বিবরণ:

আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

সংশ্লিষ্ট ভিডিও

প্রতিক্রিয়া (2)

আমরা সর্বোত্তম এবং চমৎকার হওয়ার জন্য সর্বাত্মক প্রচেষ্টা এবং কঠোর পরিশ্রম করব, এবং আন্তঃমহাদেশীয় শীর্ষ-গ্রেড এবং উচ্চ-প্রযুক্তি উদ্যোগের তালিকায় স্থান পাওয়ার জন্য আমাদের পদক্ষেপগুলিকে ত্বরান্বিত করবটিউনড প্যাসিভ ফিল্টারিংয়ের জন্য এসি ক্যাপাসিটর , অ্যালুমিনিয়াম ক্যান ক্যাপাসিটর , উচ্চ কর্মক্ষমতা ফিল্ম ক্যাপাসিটর, আমরা আমাদের বহুমুখী সহযোগিতার মাধ্যমে বিশ্বজুড়ে ক্লায়েন্টদের আমাদের সাথে দেখা করার জন্য আন্তরিকভাবে স্বাগত জানাই এবং নতুন বাজার বিকাশের জন্য, জয়-জয় অসামান্য ভবিষ্যত গড়ে তোলার জন্য একে অপরের সাথে কাজ সম্পন্ন করি।

এসি ফিল্টারিংয়ের জন্য ২০১৮ সালের ভালো মানের পাওয়ার ক্যাপাসিটর - উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটর ডিজাইন - CRE বিস্তারিত:

প্রযুক্তিগত তথ্য

অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা	সর্বোচ্চ। অপারেটিং তাপমাত্রা।, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +105 ℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +85℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -40 ℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসীমা	০.১μF~৫.৬μF
রেটেড ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট.ডিসি~৩০০০ ভোল্ট.ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(জে);±১০%(কে)
ভোল্টেজ সহ্য করুন	১.৫Un DC/১০S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
অন্তরণ প্রতিরোধের	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S এ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S এ)
স্ট্রাইক কারেন্ট সহ্য করুন	ডেটাশিট দেখুন
শিখা প্রতিবন্ধকতা	UL94V-0 লক্ষ্য করুন
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071; জিবি/টি17702;

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ	700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR @১০০KHz (mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি (ভি/μS)	আইপিকে(এ)	Irms @ 40℃ @ 100KHz (A)
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	৫০০	২৩৫	8
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	25	৪৮০	৩২৬.৪	10
1	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	24	৪৫০	৪৫০	12
১.৫	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	25	৪৩০	৬৪৫	5
2	৪২.৫	33	৩৫.৫	6	24	৪২০	৮৪০	15
২.৫	৪২.৫	33	45	6	23	৪০০	১০০০	18
3	৪২.৫	33	45	৫.৫	22	৩৮০	১১৪০	20
3	৫৭.৫	30	45	5	26	৩৫০	১০৫০	22
৩.৫	৪২.৫	33	45	5	23	৩৫০	১২২৫	25
৩.৫	৫৭.৫	30	45	6	25	৩০০	১০৫০	22
৪.৭	৫৭.৫	35	50	5	28	২৮০	১৩১৬	25
৫.৬	৫৭.৫	38	54	4	30	২৫০	১৪০০	25
6	৫৭.৫	38	54	৩.৫	33	২৩০	১৩৮০	28
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	32	২২০	১৪৯৬	32
8	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	30	২০০	১৬০০	33
ভোল্টেজ	১০০০ ভোল্ট ডিসি, ইউআরএমএস ৫০০ ভ্যাক; ইউএস ১৫০০ ভোল্ট
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	25	১০০০	৪৭০	10
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	25	৮০০	৫৪৪	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	24	৮০০	৮০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	24	৭০০	১০৫০	15
2	৪২.৫	33	45	5	22	৭০০	১৪০০	20
২.৫	৫৭.৫	30	45	5	30	৬০০	১৫০০	22
3	৫৭.৫	35	50	4	30	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	35	50	৩.৫	28	৫৫০	১৮১৫	25
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	28	৫০০	১৭৫০	25
4	৫৭.৫	38	54	৩.২	26	৫০০	২০০০	28
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	3	25	৪২০	১৯৭৪	30
৫.৬	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	24	৪০০	২২৪০	32
ভোল্টেজ	1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	24	১২০০	৫৬৪	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	23	১১০০	৭৪৮	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	22	৮০০	৮০০	14
১.৫	৪২.৫	33	45	5	20	৮০০	১২০০	15
2	৫৭.৫	30	45	4	30	৭৫০	১৫০০	20
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	৭০০	১৭৫০	25
3	৫৭.৫	35	50	4	27	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	4	27	৫৫০	১৮১৫	28
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	28
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৪৫০	১৮০০	30
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	23	৪২০	১৯৭৪	32
ভোল্টেজ	1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.৩৩	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	১৩০০	৪২৯	9
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	24	১৩০০	৬১১	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	8	23	১৩০০	৮৮৪	12
1	৪২.৫	33	45	7	22	১২০০	১২০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	22	১২০০	১৮০০	18
১.৫	৫৭.৫	30	45	5	31	১২০০	১৮০০	20
2	৫৭.৫	30	45	5	30	১১০০	২২০০	22
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	১১০০	২৭৫০	25
3	৫৭.৫	38	54	4	27	৭০০	২১০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	৩.৮	26	৬০০	১৯৮০	28
৩.৫	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	30
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	25	৪৫০	১৮০০	32
ভোল্টেজ	২০০০V.DC,Urms৭০০Vac;Us৩০০০V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.২২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	15	25	১৫০০	৩৩০	10
০.৩৩	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	12	24	১৫০০	৪৯৫	12
০.৪৭	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	11	23	১৪০০	৬৫৮	15
০.৬৮	৪২.৫	33	45	8	22	১২০০	৮১৬	18
০.৬৮	৫৭.৫	30	45	7	30	১১০০	৭৪৮	20
০.৮২	৪২.৫	33	45	7	28	১২০০	৯৮৪	22
1	৫৭.৫	30	45	6	28	১১০০	১১০০	25
১.৫	৫৭.৫	35	50	5	25	১০০০	১৫০০	28
2	৫৭.৫	38	54	5	24	৮০০	১৬০০	28
২.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	4	23	৭০০	১৫৪০	32
ভোল্টেজ	3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	এল (±১)	টি (± 1)	এইচ(±১)	ESR(mΩ)	ইএসএল(এনএইচ)	ডিভি/ডিটি(ভি/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস
০.১৫	৪২.৫	33	45	18	28	২৫০০	৩৭৫	25
০.২২	৪২.৫	33	45	15	27	২২০০	৪৮৪	28
০.২২	৫৭.৫	35	50	15	25	২০০০	৩৩০	20
০.৩৩	৫৭.৫	35	50	12	24	১৮০০	৪৯৫	20
০.৪৭	৫৭.৫	38	54	11	23	১৬০০	৭৫২	22
০.৬৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	8	22	১৫০০	১০২০	28

পণ্যের বিস্তারিত ছবি:

সম্পর্কিত পণ্য নির্দেশিকা:

কঠোর উচ্চ-মানের ব্যবস্থাপনা এবং বিবেচ্য ক্রেতা সহায়তার জন্য নিবেদিতপ্রাণ, আমাদের অভিজ্ঞ কর্মচারী সদস্যরা সাধারণত আপনার স্পেসিফিকেশন নিয়ে আলোচনা করতে এবং 2018 সালের এসি ফিল্টারিংয়ের জন্য ভালো মানের পাওয়ার ক্যাপাসিটরের জন্য সম্পূর্ণ ক্রেতা সন্তুষ্টি নিশ্চিত করতে উপলব্ধ। - উচ্চ ক্ষমতার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-শ্রেণীর IGBT স্নাবার ক্যাপাসিটরের নকশা - CRE, পণ্যটি সারা বিশ্বে সরবরাহ করা হবে, যেমন: ম্যাসেডোনিয়া, মাস্কাট, ইয়েমেন, নমুনা বা অঙ্কন অনুসারে পণ্য উৎপাদনে আমাদের যথেষ্ট অভিজ্ঞতা রয়েছে। আমরা দেশ-বিদেশের গ্রাহকদের আমাদের কোম্পানিতে পরিদর্শন করার জন্য এবং একসাথে একটি সুন্দর ভবিষ্যতের জন্য আমাদের সাথে সহযোগিতা করার জন্য আন্তরিকভাবে স্বাগত জানাই।

এসি ফিল্ম ক্যাপাসিটর

কাস্টম-ডিজাইন করা এসি ক্যাপাসিটর

নবায়নযোগ্য শক্তি সিস্টেমের জন্য ডিসি-লিংক ক্যাপাসিটর

এক্স-রে ডিটেক্টরের জন্য ফিল্ম ক্যাপাসিটর

হারমোনিক রেজোন্যান্স ক্যাপাসিটর

টেসলা কয়েলের জন্য উচ্চ ভোল্টেজ ক্যাপাসিটর

উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি ক্যাপাসিটর

বিক্রয়ের জন্য শিল্প ক্যাপাসিটার

রেডিয়াল ফিল্ম ক্যাপাসিটর

স্নাবার ফিল্ম ক্যাপাসিটর

ভালো মানের, যুক্তিসঙ্গত দাম, সমৃদ্ধ বৈচিত্র্য এবং নিখুঁত বিক্রয়োত্তর পরিষেবা, এটা চমৎকার!

সুইডেন থেকে মেরি দ্বারা - 2018.08.12 12:27

কোম্পানির অ্যাকাউন্ট ম্যানেজারের শিল্প জ্ঞান এবং অভিজ্ঞতা প্রচুর, তিনি আমাদের চাহিদা অনুযায়ী উপযুক্ত প্রোগ্রাম প্রদান করতে পারেন এবং সাবলীলভাবে ইংরেজি বলতে পারেন।

সেশেলস থেকে হেনরি স্টোকেল্ড - ২০১৭.০৮.২৮ ১৬:০২